公开(公告)号：JP2017005147A

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：JP2015118587

申请日：2015-06-11

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 織田 真也 ,  徳田 梨絵 ,  谷川 幸登 ,  人羅 俊実

IPC: H01L21/20 ,  C23C16/40 ,  H01L21/368 ,  H01L21/365

Abstract: 【課題】水素濃度が低減され、半導体特性などに優れた結晶性半導体膜を提供する。 【解決手段】コランダム構造を有する半導体を主成分として含む結晶性半導体膜の水素濃度を成膜時および所望により成膜後に低減させて、膜の一部または全部における水素濃度が2×10 17 (atoms/cm 3 )以下である結晶性半導体膜を提供する。また、このような水素濃度が2×10 17 (atoms/cm 3 )以下である結晶性半導体膜をダイオードやトランジスタなどの半導体装置に用いる。 【選択図】なし

Abstract translation: 的氢浓度降低，以提供优良的结晶性半导体膜成半导体的特性。 本发明涉及一种降低含有作为半导体的主要成分通过沉积具有淀积后的刚玉结构的结晶半导体膜中的氢浓度和当需要时，在某些或所有膜的2×1017（原子上的氢浓度 /厘米3）在低于其结晶性半导体膜提供。 此外，使用结晶性半导体膜，例如氢浓度不超过2×1017（原子/ cm3）在半导体器件中，例如二极管或晶体管。 系统技术领域

公开(公告)号：JP2016216332A

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：JP2015106565

申请日：2015-05-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 佐々木 貴博 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: C23C18/12 ,  C23C16/40 ,  C01F17/00

Abstract: 【課題】結晶性酸化イットリウムを含む酸化イットリウム膜を工業的有利に製造することができる製造方法を提供する。 【解決手段】イットリウムを含む金属ハロゲン化物または有機金属錯体の原料溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴をキャリアガスで成膜室内に設置されている基体まで搬送し、ついで前記ミストまたは液滴を熱反応させることにより、結晶性酸化イットリウムを含む酸化イットリウム膜であって、膜厚が1μm以上であり、単層膜である酸化イットリウム膜を成膜する。 【選択図】なし

Abstract translation: 为了提供含有结晶氧化钇可以是工业上的氧化钇膜的制造方法有利地制备的。 金属卤化物的原料溶液或含钇雾化或液滴的有机金属配合物，并输送所产生的雾或液滴，其被安装在载气中的沉积室中的基材上，然后 由雾或液滴是热反应，含有结晶氧化钇的氧化钇膜，膜厚度不小于1微米或更大时，氧化钇膜的形成为单层膜。 系统技术领域

公开(公告)号：JP2016207911A

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：JP2015090050

申请日：2015-04-27

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  株式会社FLOSFIA

Inventor： 赤岩 和明 ,  金子 健太郎 ,  藤田 静雄 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/368 ,  C23C16/448 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365

Abstract: 【課題】電気特性に優れた半導体膜を形成することができる新規かつ有用な成膜方法を提供する。 【解決手段】第1の半導体の前駆体溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴をキャリアガスでもって成膜室内に搬送し、ついで、前記ミストまたは液滴を熱反応させることによって、成膜室内に設置されている基体上に第1の半導体膜を成膜する。そして、第1の半導体からなる第1の半導体膜を絶縁化させた後、第2の半導体の前駆体溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴をキャリアガスでもって成膜室内に搬送し、ついで、成膜室内で前記ミストまたは液滴を熱反応させることによって、絶縁化させた第1の半導体膜上に、第2の半導体からなる第2の半導体膜を成膜する。 【選択図】なし

Abstract translation: 提供一种能够形成优良的半导体膜的电特性的新颖和有用的膜沉积方法。 第一半导体前体溶液被雾化或液滴，并输送到薄膜与载气中所得到的雾或液滴形成室，然后热在于：雾沫或液滴反应 它允许形成其安装在所述沉积室中的衬底上的第一半导体膜。 然后，由第一半导体的第一半导体膜被绝缘之后，第二半导体前体溶液被雾化或液滴，并将得到的雾或液滴与载气沉积 输送到在膜形成由热反应室，在第一半导体膜上的室内，然后雾或液滴是绝缘的，形成第二半导体的第二半导体膜 。 系统技术领域

公开(公告)号：JP2016126988A

公开(公告)日：2016-07-11

申请号：JP2015002541

申请日：2015-01-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 佐々木 貴博 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: C23C24/10 ,  H01B5/14

Abstract: 【課題】半導体膜との密着性に優れ、さらに、透過性に優れ、また、耐酸性や耐久性にも優れた低抵抗の透明導電膜を提供する。 【解決手段】金属酸化物を主成分として含む透明導電膜を、原料溶液を霧化または液滴化して生成されるミストまたは液滴を、キャリアガスでもって基体まで搬送し、ついで該基体上で該ミストまたは該液滴を加熱により熱反応させて形成する。また、前記透明導電膜上に、半導体膜を、原料溶液を霧化または液滴化して生成されるミストまたは液滴を、キャリアガスでもって基体まで搬送し、ついで該基体上で該ミストまたは該液滴を加熱により熱反応させて形成することにより、積層構造体を得る。 【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种对半导体膜的粘附性优异的透明导电膜，透明性，耐酸性和耐久性。解决方案：通过输送由金属氧化物生成的雾或微滴形成的主要由金属氧化物构成的透明导电膜 用载气将原料溶液雾化或液化至基体，并通过在基体上加热使雾或液滴进行热反应。 此外，通过在原料溶液中将由雾化或液化原料溶液而产生的雾或液滴通过载体气体输送到基体而将薄膜或液滴传送到透明导电膜上，形成半导体膜， 热反应通过加热在基体上。选择图：无

公开(公告)号：JP2016051824A

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：JP2014176650

申请日：2014-08-29

Applicant: 高知県公立大学法人 ,  株式会社FLOSFIA

Inventor： 川原村 敏幸 ,  ダン,タイ ジャン ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/368 ,  H01L33/30 ,  H01L21/365

Abstract: 【課題】ライデンフロスト現象を利用して、低温での超マイグレーションを可能として、高品質な薄膜を作製できるエピタキシャル成長方法および成長装置ならびにポテンシャルの高いコランダム構造を有する酸化物半導体からなる量子井戸構造および前記量子井戸構造を含む半導体装置を提供する。 【解決手段】ライデンフロスト現象を利用して、基体上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長方法であって、原料溶液を霧化または液滴化して生成されるミストまたは液滴を熱反応させて基体上にエピタキシャル層を形成する。 【選択図】図3

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供能够通过利用莱顿弗罗斯特现象在低温下实现超迁移和制造高质量薄膜的外延生长方法和生长装置，以提供由氧化物半导体构成的量子阱结构 具有高电位刚玉结构，并提供包括量子阱结构的半导体器件。解决方案：提供了一种通过利用莱顿弗罗斯特现象在基底物质上形成外延层的外延生长方法。 通过使原料溶液雾化或通过形成原料溶液的液滴而产生的雾或液滴被热反应以在基础物质上形成外延层。图3

公开(公告)号：JP2016050357A

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：JP2015108025

申请日：2015-05-27

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: C23C18/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  C23C16/448

CPC classification number: C30B19/00 ,  C03C17/10 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4486 ,  C30B29/02 ,  H01L21/288 ,  H01L29/45 ,  C03C2217/253 ,  C03C2218/112

Abstract: 【課題】密着性に優れた金属膜を工業的有利に成膜できる金属膜の形成方法およびその方法により形成された金属膜を提供する。 【解決手段】基体上に金属膜を形成する金属膜形成方法であって、 酸化剤、キレート剤またはプロトン酸を含む有機溶媒中に、金属を溶解または分散させてなる原料溶液を霧化してミストを発生させる霧化工程と、 キャリアガスを前記ミストに供給するキャリアガス供給工程と、 前記キャリアガスによって前記ミストを前記基体へ供給するミスト供給工程と、 前記ミストを熱反応させて、前記基体表面の一部または全部に前記金属膜を積層する金属膜形成工程とを含む金属膜形成方法。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够在工业上有利地进行粘合性优良的金属膜的成膜方法和通过该方法形成的金属膜的金属成膜方法。本发明提供一种在基板上形成金属膜的金属成膜方法， ：通过将金属溶解或分散在含有氧化剂，螯合剂或质子酸的有机溶剂中而制备的材料溶液的雾化步骤，产生雾气; 向气雾供给载气的载气供给工序; 通过载体气体将雾供给到基板中的雾供给步骤; 以及使所述雾热反应从而将所述金属膜部分地或全部地层叠在所述基板表面上的金属膜形成步骤。选择的图：图1

公开(公告)号：JPD1543291S

公开(公告)日：2016-02-08

申请号：JPD20157720

申请日：2015-04-03

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Designer： 神農 永一 織田 真也 人羅 俊実

公开(公告)号：JP2021172555A

公开(公告)日：2021-11-01

申请号：JP2020077069

申请日：2020-04-24

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立研究開発法人物質・材料研究機構

Inventor： 大島 祐一 ,  河原 克明

IPC: C30B25/04 ,  C23C16/40 ,  H01L21/205 ,  C30B29/16

Abstract: 【課題】半導体装置等に有用な、Si等の不純物が低減された高品質な結晶膜を工業的有利に製造できる方法を提供する。 【解決手段】 原料から結晶成長により基板上に結晶膜を形成する結晶膜の製造方法であって、前記原料がGaCl 3 を含み、前記の結晶成長を、前記基板上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部を形成し、ついで、該凹凸部上に前記原料の分圧を1kPa以上且つ酸素含有雰囲気下の結晶成長条件にて結晶膜を形成することにより行う。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021172554A

公开(公告)日：2021-11-01

申请号：JP2020077068

申请日：2020-04-24

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立研究開発法人物質・材料研究機構

Inventor： 大島 祐一 ,  河原 克明

IPC: C30B25/04 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  C30B29/16

Abstract: 【課題】高品質な結晶層を備える結晶性積層構造体を工業的有利に得ることができる結晶性積層構造体の製造方法を提供する。 【解決手段】 結晶基板(例えば、サファイア基板など)上に、応力緩和層を介して、結晶性酸化物の単結晶を含む結晶性酸化物層を形成する結晶性積層構造体の製造方法において、前記応力緩和層に、κ−Ga 2 O 3 を含む多結晶を用いて、前記応力緩和層の形成を、前記結晶基板上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部を形成し、ついで、該凹凸部上に、前記応力緩和層を成膜することにより行う。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6951714B2

公开(公告)日：2021-10-20

申请号：JP2018537303

申请日：2017-08-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 藤田 静雄 ,  金子 健太郎 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  C23C16/40 ,  H01L21/368 ,  H01L29/24 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/365