公开(公告)号：JP2018148237A

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：JP2018117778

申请日：2018-06-21

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 桑原 秀明 ,  遠藤 佑太 ,  立石 真理 ,  高橋 正弘

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78696

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】酸化物半導体層及び酸化物半導体層と接する絶縁層を含む積層構造を含み、 酸化物半導体層は、チャネルが形成される第1の層と、第1の層と絶縁層との間に設けら れ、第1の層の伝導帯下端のエネルギーよりも真空準位に近い伝導帯下端のエネルギーを 有する第2の層とを含む。上記において、第2の層は、酸化物半導体層と接する絶縁層と 、チャネルとの間に欠陥準位が形成されることを抑制するバリア層として機能する。また 、第1の層及び第2の層は、それぞれ巨視的には原子配列に周期性が見られない程度、又 は、巨視的には長距離秩序性が見られない程度に極微細な結晶部を含む。例えば、1nm 以上10nm以下の範囲で原子配列に周期性が確認される結晶部を含む。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6378728B2

公开(公告)日：2018-08-22

申请号：JP2016189449

申请日：2016-09-28

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  坂田 淳一郎 ,  三宅 博之 ,  桑原 秀明 ,  立石 真理

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13454 ,  G02F2201/40 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1225

公开(公告)号：JP2017017335A

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：JP2016189449

申请日：2016-09-28

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  坂田 淳一郎 ,  三宅 博之 ,  桑原 秀明 ,  立石 真理

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  G02F1/13454 ,  G02F2201/40 ,  G02F2202/10

Abstract: 【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。 【解決手段】同一基板上に第1の薄膜トランジスタを有する画素部と第2の薄膜トランジ スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁 層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化 物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第1の薄膜トラ ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極 層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 【選択図】図1

Abstract translation: 公开的是，以提高半导体器件的孔径比另一个对象。 具有像素部分和具有在同一基板上的第一薄膜晶体管的第二薄膜晶体管的驱动电路，像素部的薄膜晶体管包括：栅电极层，栅极绝缘层，外周薄膜厚度区域 具有氧化物绝缘在接触层与氧化物半导体层，源极的一部分和漏电极层，和具有像素电极层，所述第一薄膜晶体管的栅电极层，栅极绝缘层的氧化物半导体层 ，氧化物半导体层，源电极层，漏电极层，所述氧化物绝缘层，像素电极层具有透光性，源极和漏极驱动器电路部分中的薄膜晶体管的电极层是保护绝缘层 覆盖，除了像素部的源极和漏极电极层是提供一种半导体装置，其是具有低电阻的导电材料。 1点域

公开(公告)号：JP6017601B2

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：JP2015024824

申请日：2015-02-11

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  坂田 淳一郎 ,  三宅 博之 ,  桑原 秀明 ,  立石 真理

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/477 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  G02F1/13454 ,  G02F2201/40 ,  G02F2202/10

公开(公告)号：JP2015133499A

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：JP2015024824

申请日：2015-02-11

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  坂田 淳一郎 ,  三宅 博之 ,  桑原 秀明 ,  立石 真理

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/477 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  G02F1/13454 ,  G02F2201/40 ,  G02F2202/10

Abstract: 【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。 【解決手段】同一基板上に第1の薄膜トランジスタを有する画素部と第2の薄膜トランジ スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁 層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化 物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第1の薄膜トラ ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極 層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提高半导体器件的孔径比。解决方案：半导体器件包括具有第一薄膜晶体管的像素部分和在同一衬底上具有第二薄膜晶体管的驱动电路。 像素部中的薄膜晶体管具有：栅电极层，栅极绝缘层，具有膜周边薄膜区域的氧化物半导体层; 与所述氧化物半导体层的一部分接触的氧化物绝缘层; 源极电极层和漏极电极层; 和像素电极层。 第一薄膜晶体管的栅极电极层，栅极绝缘层，氧化物半导体层，源极电极层，漏极电极层，氧化物绝缘层和像素电极层是半透明的。 驱动电路中的薄膜晶体管的源电极层和漏电极层由保护绝缘层覆盖，并且由具有比源极电极层和漏电极层的电阻低的导电材料构成 像素部分。

公开(公告)号：JP6882061B2

公开(公告)日：2021-06-02

申请号：JP2017098694

申请日：2017-05-18

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 久保田 大介 ,  岩城 裕司 ,  吉住 健輔 ,  立石 真理 ,  高瀬 奈津子

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1345 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/04 ,  H05B33/06 ,  G09F9/00

公开(公告)号：JP6818917B2

公开(公告)日：2021-01-27

申请号：JP2020012148

申请日：2020-01-29

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 郷戸 宏充 ,  荒井 康行 ,  岡本 知広 ,  立石 真理 ,  小林 恵里子 ,  菅尾 惇平

IPC: H01L27/1156 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

公开(公告)号：JP6797996B2

公开(公告)日：2020-12-09

申请号：JP2019198605

申请日：2019-10-31

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 谷中 順平 ,  熊倉 佳代 ,  佐藤 将孝 ,  井戸尻 悟 ,  吉住 健輔 ,  立石 真理 ,  高瀬 奈津子

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/06 ,  H05B33/02 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP6654216B2

公开(公告)日：2020-02-26

申请号：JP2018106869

申请日：2018-06-04

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 郷戸 宏充 ,  荒井 康行 ,  岡本 知広 ,  立石 真理 ,  小林 恵里子 ,  菅尾 惇平

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

公开(公告)号：JP6586542B1

公开(公告)日：2019-10-02

申请号：JP2019131984

申请日：2019-07-17

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  坂田 淳一郎 ,  三宅 博之 ,  桑原 秀明 ,  立石 真理

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1345 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。 【解決手段】同一基板上に第1の薄膜トランジスタを有する画素部と第2の薄膜トランジ スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁 層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化 物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第1の薄膜トラ ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極 層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 【選択図】図1