試料観察方法及び試料観察装置
    11.
    发明专利
    試料観察方法及び試料観察装置 审中-公开
    标本观察方法和装置

    公开(公告)号:JP2016189335A

    公开(公告)日:2016-11-04

    申请号:JP2016115096

    申请日:2016-06-09

    Abstract: 【課題】観察目的箇所を迅速かつ正確に特定し得る試料観察方法の提供 【解決手段】本発明の試料観察方法は、写像投影型観察装置と該写像投影型観察装置とは 別のSEM型観察装置と光学顕微鏡により同一のステージ上に載置された試料を観察する ための複合型の試料観察方法である。本発明の試料観察方法では、光学顕微鏡による試料 観察、ミラー電子画像による試料観察、及び、SEM画像による試料観察で得られた各画 像が観察対象試料のどの位置に対応しているのかを相互に対応付けることができる。これ により、上記3つの観察方法のうちのある方法で特定された観察目的個所を他の観察方法 で観察しようとした場合でも、上記観察目的箇所を迅速かつ正確に特定することができる 。 【選択図】図21

    Abstract translation: 要解决的问题:提供能够快速且精确地识别要观察的区域的样本观察方法。解决方案:本发明的样本观察方法是用于观察放置在同一台上的样本的复合样本观察方法 映射投影型检查装置,与映射投影型检查装置分离的SEM型检查装置和光学显微镜。 在本发明的样本观察方法中,要观察的样本的具体位置可以与通过光学显微镜的样本观察获得的图像,通过镜像电子图像的样本观察和通过 SEM图像。 因此,即使通过其他观察方法观察上述三种观察方法中通过一种方法识别的观察区域,也可以快速,准确地识别要观察的区域。图21

    検査装置
    12.
    发明专利
    検査装置 审中-公开
    检查装置

    公开(公告)号:JP2016127023A

    公开(公告)日:2016-07-11

    申请号:JP2015252534

    申请日:2015-12-24

    Abstract: 【課題】 試料の検査領域全面で均一な検査を行うことのできる検査装置を提供する。 【解決手段】 検査装置は、ステージ上の試料に対して一次ビームを照射する一次光学系と、一次ビームを試料に照射することにより試料から発生した二次ビームの像を生成する二次元センサを含む検出器と、二次ビームを二次元センサに導く2次光学系を備える。一次光学系は、ガウス分布のレーザー光を発生するレーザー光源1701と、ガウス分布のレーザー光を均一分布のレーザー光に強度分布変換するホモジナイザー1703と、均一分布のレーザー光が照射されることにより一次ビームを発生する光電面1702を備える。 【選択図】 図17

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种允许对样品的整个检查区域进行均匀检查的检查装置。解决方案:一种检查装置,包括:用于将样品照射在具有主光束的台上的主光学系统;检测器,包括: 二维传感器,通过用一次光束照射样品,产生从样品产生的次级光束的图像;以及二次光学系统,用于将二次光束引入二维传感器。 主光学系统包括产生高斯分布的激光的激光光源1701,均匀化器1703,其将高斯分布的激光的强度分布转换为均匀分布的激光,以及光电表面1702,当照射时产生主光束 具有均匀分布的激光。选择图:图17

    光軸調整方法および電子線検査装置

    公开(公告)号:JP2018142472A

    公开(公告)日:2018-09-13

    申请号:JP2017036584

    申请日:2017-02-28

    Abstract: 【課題】電子線検査装置において光軸調整の作業に要する時間を大幅に短縮できる光軸調整方法および電子線検査装置を提供する。 【解決手段】レンズをウォブリングしたときに検出器にて撮像される電子像のシフト量とアライナに供給される補正電流または補正電圧との相関関係が予め測定されて記憶装置に記憶されており、(a)コラム内に電子ビームを生成し、レンズをウォブリングし、検出器にて撮像される電子像のシフト量を測定し、(b)測定されたシフト量を予め定められた収束条件と比較し、(c)測定されたシフト量が収束条件より大きい場合には、記憶装置に記憶された相関関係に基づいて、シフト量が小さくなるような補正電流または補正電圧を算出し、算出された補正電流または補正電圧をアライナに供給し、(a)からやり直す。 【選択図】 図4

    検査装置
    20.
    发明专利
    検査装置 有权
    检查装置

    公开(公告)号:JP2016183976A

    公开(公告)日:2016-10-20

    申请号:JP2016127848

    申请日:2016-06-28

    Abstract: 【課題】検査精度を向上させ、5〜30nmのデザインルールにも適用できる検査方法及び検査装置を提供すること。 【解決手段】本発明の検査装置は、荷電粒子又は電磁波の何れか一つをビームとして発生させるビーム発生手段と、ワーキングチャンバ内に保持した検査対象に前記ビームを導き照射する1次光学系と、可動式のニューメリカルアパーチャ、および前記検査対象から発生して当該ニューメリカルアパーチャを通過した二次荷電粒子を検出する第1検出器を有する2次光学系と、前記第1検出器によって検出された二次荷電粒子に基づいて画像を形成する画像処理系と、前記可動式のニューメリカルアパーチャと前記第1検出器の間に設けられ、前記検査対象から発生する二次荷電粒子のクロスオーバ位置における位置及び形状を検出する第2検出器とを備える。 【選択図】図58

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种检测方法和检查装置,其能够提高应用于5至30nm的设计规则的检查精度。解决方案:检查装置包括:束产生装置,用于产生带电粒子和 电磁波作为光束; 用于将光束引入保持在工作室中的检查对象物以照射检查对象物的主光学系统; 具有可动型数值孔径的次级光学系统,以及用于检测从检查对象物产生的并通过数值孔径的二次带电粒子的第一检测器; 图像处理系统,用于基于由第一检测器检测到的二次带电粒子形成图像; 以及第二检测器,设置在可移动型数值孔径和第一检测器之间,并且用于检测从检查目标产生的二次带电粒子的交叉位置处的位置和形状。选择的图示:图58

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