公开(公告)号：JP6416180B2

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：JP2016244038

申请日：2016-12-16

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 加藤 侑志 ,  及川 壮一 ,  石川 瑞恵 ,  斉藤 好昭 ,  與田 博明

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  G11C11/16 ,  G11C11/18 ,  H01L43/08 ,  H01L21/8239

CPC classification number: G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5685 ,  H01L27/228 ,  H01L43/04 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/14

公开(公告)号：JP2013191692A

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：JP2012056242

申请日：2012-03-13

Applicant: Toshiba Corp ,  株式会社東芝

Inventor： FUKUZUMI YOSHIAKI ,  AOCHI HIDEAKI

IPC: H01L21/8246 ,  G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/02 ,  G11C19/0808 ,  G11C19/0833 ,  H01L27/22 ,  H01L43/02

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a shift-register type memory in which current consumption can be suppressed low even if the elements are made finer.SOLUTION: The shift-register type memory includes a magnetic pillar having a plurality of magnetic layers, and a nonmagnetic layer provided between adjoining magnetic layers, and stores data according to the magnetization state of the plurality of magnetic layers. A stress application part applies a stress to the magnetic pillar. A magnetic field application part applies a static magnetic field to the magnetic pillar. The stress application part transfers the magnetization state of the plurality of magnetic layers in the lamination direction thereof, by applying a stress to the magnetic pillar.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种移位寄存器型存储器，其中即使使元件更精细，也可以将电流消耗抑制得较低。解决方案：移位寄存器型存储器包括具有多个磁性层的磁柱和 提供在相邻磁性层之间的非磁性层，并且根据多个磁性层的磁化状态存储数据。 应力施加部分对磁柱施加应力。 磁场施加部分将静磁场施加到磁柱。 应力施加部件通过向磁性支柱施加应力来转移多个磁性层在其层叠方向上的磁化状态。

公开(公告)号：JP2013115299A

公开(公告)日：2013-06-10

申请号：JP2011261520

申请日：2011-11-30

Applicant: Sony Corp ,  ソニー株式会社

Inventor： HIGO YUTAKA ,  HOSOMI MASAKATSU ,  OMORI HIROYUKI ,  BESSHO KAZUHIRO ,  ASAYAMA TETSUYA ,  YAMANE KAZUAKI ,  UCHIDA HIROYUKI

IPC: H01L21/8246 ,  G11B5/39 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory element and a memory device which can perform a writing operation in a short time without causing writing error.SOLUTION: A memory element is constructed to include a layer structure having: a memory layer in which a magnetization direction is changed according to information; a magnetization fixed layer in which a magnetization direction is fixed; and an intermediate layer made of nonmagnetic material which is disposed between the memory layer and the magnetization fixed layer. In the magnetization fixed layer, at least two ferromagnetic layers are laminated with a coupling layer interposed therebetween. The two ferromagnetic layers are magnetically coupled to each other via the coupling layer. Each magnetization direction in the two ferromagnetic layers is inclined from a direction perpendicular to a film surface. Such a construction can effectively suppress divergence of a magnetization inversion time cased by magnetization directions being approximately parallel or antiparallel in the memory layer and the magnetization fixed layer, thereby decreasing writing error and performing a writing operation in a shorter time.

Abstract translation: 要解决的问题：提供可以在短时间内执行写入操作而不引起写入错误的存储器元件和存储器件。 解决方案：存储元件被构造为包括具有：根据信息使磁化方向改变的存储层的层结构; 磁化固定层，其中磁化方向固定; 以及设置在存储层和磁化固定层之间的由非磁性材料制成的中间层。 在磁化固定层中，至少两层铁磁性层被层叠，其间夹有耦合层。 两个铁磁层通过耦合层彼此磁耦合。 两个铁磁层中的每个磁化方向从垂直于膜表面的方向倾斜。 这样的结构能够有效地抑制由存储层和磁化固定层中的大致平行或反平行的磁化方向带来的磁化反转时间的发散，从而减少写入误差并在较短的时间内执行写入操作。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP4959717B2

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：JP2008547841

申请日：2006-12-31

Applicant: 中国科学院物理研究所

Inventor： 薑麗仙 ,  覃啓航 ,  韓宇男 ,  韓秀峰 ,  馬明 ,  魏紅祥

IPC: H01L43/08 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C11/155 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/329 ,  H01F41/302 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

公开(公告)号：JP4403264B2

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：JP2003160325

申请日：2003-06-05

Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： 寛太 小野 ,  正治 尾嶋 ,  広幸 秋永 ,  敏之 谷内

IPC: G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  G11C11/155 ,  H01F10/00 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01F10/3254 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/155 ,  G11C11/5607 ,  H01F41/308 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  Y10T29/49069

公开(公告)号：JP2009528672A

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：JP2008547841

申请日：2006-12-31

Applicant: 中国科学院物理研究所

Inventor： 薑麗仙 ,  覃啓航 ,  韓宇男 ,  韓秀峰 ,  馬明 ,  魏紅祥

IPC: H01L43/08 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C11/155 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/329 ,  H01F41/302 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本発明は、磁性多層膜、その製造方法及び磁性メモリにおける応用に関するものであり、当該磁性多層膜の各層が閉鎖の円環形または楕円環形であり、その磁性セルには、強磁性を有する薄膜層の磁気モーメントまたは磁束が、時計方向または反時計方向の閉鎖状態に形成される。 本発明は、また前記の閉鎖形状磁性多層膜の幾何中心位置に1つの金属芯が設けられる磁性多層膜に関するものであり、当該金属芯の横断面が対応的に円形または楕円形状である。 本発明は、さらに前記閉鎖の、金属芯を含む（または含まない）磁性多層膜により製造される磁性メモリ。 本発明は、微細加工方法によって前記閉鎖形状磁性多層膜を製造する。 本発明に係る閉鎖の、金属芯を含む（または含まない）形状の磁性多層膜は、磁気ランダムアクセスメモリ、コンピュータ磁気読み出しヘッド、磁気センサー、磁気論理デバイス、スピントランジスタなどのような磁性多層膜を核とする各種のデバイスに広く用いられる。

公开(公告)号：JPS6128196B2

公开(公告)日：1986-06-28

申请号：JP5241078

申请日：1978-05-02

Applicant: Echlin Mfg Co

Inventor： JON RICHAADO UIIGANDO

IPC: G11B5/33 ,  B21F99/00 ,  G01R33/02 ,  G11C11/14 ,  G11C11/155 ,  G11C11/56 ,  H01F1/03 ,  H01F13/00 ,  H01F41/02 ,  H03K3/45

CPC classification number: B21F99/00 ,  G11C11/14 ,  G11C11/155 ,  G11C11/5607 ,  H01F1/0304 ,  H01F13/003 ,  H01F41/0206 ,  H03K3/45

公开(公告)号：JP2018098432A

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：JP2016244038

申请日：2016-12-16

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 加藤 侑志 ,  及川 壮一 ,  石川 瑞恵 ,  斉藤 好昭 ,  與田 博明

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L21/8246

CPC classification number: G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5685 ,  H01L27/228 ,  H01L43/04 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/14

Abstract: 【課題】書き込み電流を低減できる磁気記憶装置を提供する。 【解決手段】実施形態によれば、磁気記憶装置は、金属含有層、第1、第2磁性層、非磁性層及び制御部を含む。金属含有層は、第1、第2部分と、第1、第2部分の間の第3部分と、を含む。第1磁性層は第3部分から離れる。第2磁性層は、第3部分と第1磁性層との間に設けられる。非磁性層は、第1、第2磁性層の間に設けられる。第3部分は、第1領域と、第1領域と第2磁性層との間に設けられ第1金属及びホウ素を含む第2領域と、を含む。第1領域はホウ素を含まない、または、第1領域におけるホウ素の第1濃度は、第2領域よりも低い。第2領域の厚さは、1nm以上7nm以下である。制御部は、第1部分から第2部分に向かう電流を金属含有層に供給する第1動作と、第2部分から第1部分に向かう電流を金属含有層に供給する第2動作と、を実施する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017510016A

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：JP2016548314

申请日：2015-01-19

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： ウェンチン・ウー ,  ケンドリック・ホイ・レオン・ユエン ,  カリム・アラビ

IPC: G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/1693 ,  G11C11/155 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18 ,  G11C14/0081 ,  H03K3/356008 ,  H03K3/35625 ,  H03K3/45

Abstract: システムおよび方法は、第1の組み合わされた端子と第2の組み合わされた端子との間に結合された第1の巨大スピンホール効果(GSHE)-磁気トンネル接合(MTJ)および第2のGSHE-MTJを伴う、デュアルGSHE-MTJ構造から形成されるマスター段と、第2のインバータにクロスカップルされた第1のインバータから形成されるスレーブ段とを含む、3フェーズ不揮発性フリップフロップ(NVFF)を対象とする。第1のデータ値は、第2のデータ値が書込みフェーズの間にマスター段に書き込まれるのと同じクロック周期の読取りフェーズの間に、スレーブ段から読み出される。3フェーズNVFFは、スレーブ段の初期化フェーズ、読取りフェーズ、および書込みフェーズを制御するための、3つの制御信号を含む。

公开(公告)号：JP5862242B2

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：JP2011261520

申请日：2011-11-30

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 肥後 豊 ,  細見 政功 ,  大森 広之 ,  別所 和宏 ,  浅山 徹哉 ,  山根 一陽 ,  内田 裕行

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/329 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286