制御回路及び電源回路
    18.
    发明专利
    制御回路及び電源回路 审中-公开
    控制电路和电源电路

    公开(公告)号:JP2015228717A

    公开(公告)日:2015-12-17

    申请号:JP2014112513

    申请日:2014-05-30

    发明人: 伊藤 雄司

    IPC分类号: H02M3/155

    摘要: 【課題】電源回路における駆動制御回路内のトランジスタのゲート耐圧が入力電圧より低くても、デッドタイムを最適化できるようにする。 【解決手段】入力電圧が供給される配線と基準電位が供給される配線の間に直列に接続された第1及び第2のトランジスタMTR1,MTR2と、負荷回路に対する出力電圧に基づいて生成されたパルス幅変調信号に応じて、第1及び第2のトランジスタを交互にオンさせる駆動制御回路31,32とを有し、駆動制御回路は、第1及び第2のトランジスタの他方をオフさせた後、駆動制御回路の電源電圧が供給される配線に抵抗を介して接続されたトリプルウェル構造の第1又は第2のトランジスタのNウェルの電位がしきい値よりも低くなったことで、両方のトランジスタがオフであることを検出し、第1及び第2のトランジスタの一方をオンさせる。 【選択図】図3

    摘要翻译: 要解决的问题:即使电源电路中的驱动控制电路中的晶体管的栅极击穿电压低于输入电压,也可以优化死区时间。解决方案:控制电路包括第一和第二 第二晶体管MTR1和MTR2串联连接到供应输入电压的布线和提供参考电压的布线之间;以及驱动控制电路31和32,用于根据调制的脉冲宽度交替地接通第一和第二晶体管 基于对负载电路的输出电压产生的信号。 在关闭第一或第二晶体管中的另一个之后,驱动控制电路通过检测具有三阱结构的第一或第二晶体管的N阱电压来检测两个晶体管的断开状态,该三阱结构连接到布线,电源 通过电阻提供驱动控制电路的电压,并使第一或第二晶体管中的一个导通。