公开(公告)号：JP6774593B2

公开(公告)日：2020-10-28

申请号：JP2016005910

申请日：2016-01-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 織田 真也 ,  徳田 梨絵 ,  人羅 俊実

IPC: C30B29/16 ,  H01B5/14 ,  H01L21/368 ,  C23C16/40

公开(公告)号：JP2020167332A

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：JP2019068482

申请日：2019-03-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田 時宜 ,  佐々木 貴博 ,  人羅 俊実

IPC: H01C7/04

Abstract: 【課題】200℃〜250℃において高感度かつ良好なサーミスタ特性を実現できるサーミスタの提供。 【解決手段】サーミスタ膜と電極とを少なくとも含むサーミスタであって、200℃〜250℃におけるB定数(K)が8000以上であるサーミスタであり、サーミスタ膜の金属成分中Gaを10原子%以上含むサーミスタ膜と、サーミスタ膜の第1面に配置される第1の電極と、第1面の反対側に位置する第2面に配置される第2の電極と、を有するサーミスタ。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP6761214B2

公开(公告)日：2020-09-23

申请号：JP2016131160

申请日：2016-06-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 織田 真也 ,  徳田 梨絵 ,  人羅 俊実

IPC: C30B25/18 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  C30B29/16

公开(公告)号：JP2020107636A

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：JP2018242291

申请日：2018-12-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社デンソー

Inventor： ▲高▼橋 勲 ,  鳥山 達矢 ,  杉本 雅裕 ,  四戸 孝 ,  上東 秀幸 ,  大原 淳士 ,  廣瀬 富佐雄 ,  松木 英夫

IPC: H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/24 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L23/34 ,  H01L23/29 ,  C30B29/16 ,  C30B25/18 ,  C23C16/40 ,  H01L33/26 ,  H01L21/365

Abstract: 【課題】放熱性が求められる半導体装置等に有用な、結晶品質に優れた結晶性酸化物膜を提供する。 【解決手段】第1の結晶軸と第2の結晶軸とを少なくとも含み、ガリウムを含有する金属酸化物を主成分とする結晶性酸化物膜を形成する際に、第2の辺を第1の辺よりも短くし、第1の結晶軸方向の線熱膨張係数を第2の結晶軸方向の線熱膨張係数よりも小さく、第1の辺方向を第1の結晶軸方向と平行または略平行とし、第2の辺方向を第2の結晶軸方向と平行または略平行とすることで、第1の辺と、第1の辺よりも短い第2の辺とを少なくとも含み、第1の結晶軸方向の線熱膨張係数が、第2の結晶軸方向の線熱膨張係数よりも小さく、第1の辺方向が第1の結晶軸方向と平行または略平行であり、第2の辺方向が第2の結晶軸方向と平行または略平行である結晶性酸化物膜を得る。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2020104084A

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：JP2018248388

申请日：2018-12-28

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 佐藤 博之 ,  柳生 慎悟 ,  井川 拓人

IPC: H01G9/20 ,  B05D7/00 ,  B05D7/24 ,  B05D3/12 ,  B05D1/18

Abstract: 【課題】担持速度を格段に向上させつつ、基体に対して色素を均一且つ良好に担持させることができる新規な成膜方法を提供する。 【解決手段】色素を基体14に接触させることにより前記基体に前記色素を担持させる方法であって、前記基体が、表面の一部または全部に平均孔径が100nm以下の多孔質層を含み、前記色素が前記平均孔径よりも小さく、前記接触を、減圧下で前記色素と溶媒とを含む原料溶液18に前記基体を含浸させて前記多孔質層の孔内に前記色素を担持させることにより行って、色素を基体に担持させる。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2020087950A

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：JP2018214239

申请日：2018-11-14

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田 時宜 ,  佐々木 貴博 ,  柳生 慎悟 ,  井川 拓人

IPC: H01C7/02 ,  H01C7/04

Abstract: 【課題】高周波域においても良好なサーミスタ特性を有するサーミスタ膜およびサーミスタ素子並びにこのようなサーミスタ膜およびサーミスタ素子を工業的有利に得ることができる製造方法を提供する。 【解決手段】サーミスタ素子100の製造方法は、第1電極51の上に、結晶性酸化物を含み、電気抵抗率が100kΩcm以下であるサーミスタ膜50を形成する工程及びサーミスタ膜50の第1電極側の面の反対側に、第2電極52を形成する工程を含む。サーミスタ素子100は、サーミスタ膜50と、サーミスタ膜50の第1面側に配置されている第1電極51と、サーミスタ膜50の第1面の反対側に位置している第2面側に配置されている第2電極52と、を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020087948A

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：JP2018214237

申请日：2018-11-14

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田 時宜 ,  佐々木 貴博 ,  柳生 慎悟 ,  井川 拓人

IPC: H01C7/02 ,  H01C7/04

Abstract: 【課題】高周波域においても良好なサーミスタ特性を有するサーミスタ膜およびサーミスタ素子並びにこのようなサーミスタ膜およびサーミスタ素子を工業的有利に得ることができる製造方法を提供する。 【解決手段】サーミスタ素子100の製造方法は、第1電極51の上に、結晶性酸化物結晶性酸化物を含み、結晶性酸化物がCu 3 Mn 3 O 8 構造を有するサーミスタ膜50を形成する工程及びサーミスタ膜50の第1電極側の面の反対側に、第2電極52を形成する工程を含む。サーミスタ素子100は、サーミスタ膜50と、サーミスタ膜50の第1面側に配置されている第1電極51と、サーミスタ膜50の第1面の反対側に位置している第2面側に配置されている第2電極52と、を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020077719A

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：JP2018209291

申请日：2018-11-06

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 佐藤 博之 ,  柳生 慎悟 ,  井川 拓人

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/48

Abstract: 【課題】担持速度を格段に向上させつつ、基体に対して金属源を均一且つ良好に担持させることができる新規な成膜方法を提供する。 【解決手段】金属源を基体に接触させることにより前記基体に前記金属源を担持させる方法であって、前記接触を、減圧下(例えば、100Pa〜90000Pa)で前記金属源と非プロトン性極性溶媒(例えば、ジメチルホルムアミド)とを含む原料溶液に前記基体を含浸させることにより行って、金属源を基体に担持させる。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP6680433B2

公开(公告)日：2020-04-15

申请号：JP2015070465

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 佐々木 貴博 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: B05B17/06

公开(公告)号：JP6647521B2

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：JP2015200435

申请日：2015-10-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 織田 真也 ,  佐々木 貴博 ,  人羅 俊実

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  C23C16/448 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02