公开(公告)号：JP6856796B2

公开(公告)日：2021-04-14

申请号：JP2020046080

申请日：2020-03-17

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 保本 清治 ,  佐藤 将孝 ,  野村 昌史 ,  宮本 敏行

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H05B33/10

公开(公告)号：JP2020120135A

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：JP2020079953

申请日：2020-04-30

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  羽持 貴士 ,  岡崎 健一

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】静電破壊による歩留まりの低下を防ぎ、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の酸化 物絶縁層と、酸化物絶縁層上に接し、ゲート電極層と重畳する酸化物半導体層と、酸化物 半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、ゲート絶縁層 は、窒素を含むシリコン膜を含んで構成され、酸化物絶縁層は、酸化物半導体層の構成元 素から選択される一又は複数の金属元素を含み、ゲート絶縁層の膜厚は、酸化物絶縁層よ りも厚い半導体装置を提供する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020102459A

公开(公告)日：2020-07-02

申请号：JP2020046080

申请日：2020-03-17

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 保本 清治 ,  佐藤 将孝 ,  野村 昌史 ,  宮本 敏行

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H05B33/10

Abstract: 【課題】剥離工程における歩留まりを向上する。光取り出し効率の高い発光装置を提供す る。 【解決手段】基板上に剥離層を形成する第1の工程と、剥離層の表面にプラズマ処理を行 う第2の工程と、剥離層上に被剥離層を形成する第3の工程と、剥離層と被剥離層を加熱 する第4の工程と、剥離層と被剥離層を分離する第5の工程と、を有する。プラズマ処理 は、亜酸化窒素及びシランを含む雰囲気下で行う。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6505769B2

公开(公告)日：2019-04-24

申请号：JP2017078080

申请日：2017-04-11

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 岡崎 健一 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  羽持 貴士

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

公开(公告)号：JP2018201047A

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：JP2018176852

申请日：2018-09-21

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  羽持 貴士 ,  岡崎 健一

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】静電破壊による歩留まりの低下を防ぎ、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の酸化 物絶縁層と、酸化物絶縁層上に接し、ゲート電極層と重畳する酸化物半導体層と、酸化物 半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、ゲート絶縁層 は、窒素を含むシリコン膜を含んで構成され、酸化物絶縁層は、酸化物半導体層の構成元 素から選択される一又は複数の金属元素を含み、ゲート絶縁層の膜厚は、酸化物絶縁層よ りも厚い半導体装置を提供する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6284973B2

公开(公告)日：2018-02-28

申请号：JP2016079403

申请日：2016-04-12

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 岡崎 健一 ,  宮本 敏行 ,  羽持 貴士 ,  野村 昌史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02211 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02274 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3272 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：JP6246307B2

公开(公告)日：2017-12-13

申请号：JP2016239218

申请日：2016-12-09

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 岡崎 健一 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  羽持 貴士 ,  山崎 舜平 ,  佐々木 俊成

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/283 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/47573 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：JP6193641B2

公开(公告)日：2017-09-06

申请号：JP2013135375

申请日：2013-06-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 佐々木 俊成 ,  羽持 貴士 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  肥塚 純一 ,  岡崎 健一

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L27/146 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/08 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/247 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：JP6182255B2

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：JP2016232336

申请日：2016-11-30

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  佐々木 俊成 ,  羽持 貴士 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  肥塚 純一 ,  岡崎 健一

IPC: H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/10 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

公开(公告)号：JP2017059851A

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：JP2016239218

申请日：2016-12-09

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 岡崎 健一 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  羽持 貴士 ,  山崎 舜平 ,  佐々木 俊成

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/283 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/47573 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、酸素欠損の含有量を低減する。また 、酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性を向上させる。 【解決手段】基板上に形成されるゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲー ト絶縁膜を介してゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜に接する一対の 電極とを有するトランジスタ上に、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、及び一対の電極を覆 う第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜を覆う第2の絶縁膜を有し、第1の絶縁膜は、25℃ において0.5重量%のフッ酸に対する第1の絶縁膜のエッチング速度が10nm/分以 下であり、且つ第2の絶縁膜より遅いことを特徴とする。 【選択図】図1