-
公开(公告)号：JP2017135403A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：JP2017074985
申请日：2017-04-05
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性変動を抑制した半導体装置 、又は信頼性を向上させた半導体装置を提供する。 【解決手段】チャネル形成領域を構成する酸化物半導体膜を有する半導体装置において、 当該酸化物半導体膜上に水の侵入を抑制し、少なくとも窒素を含む絶縁膜と、当該絶縁膜 から放出される窒素の侵入を抑制する絶縁膜と、を設けることである。なお、酸化物半導 体膜に侵入する水としては、大気に含まれる水、又は当該水の侵入を抑制する絶縁膜上に 設けられた膜などに含まれる水などがある。また、水の侵入を抑制する絶縁膜としては、 加熱による水素分子の放出量が5.0×10 21 分子/cm 3 未満である窒化絶縁膜を用 いることができる。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP2017126794A
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：JP2017080210
申请日：2017-04-14
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/146 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/42384 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 【課題】静電破壊による歩留まりの低下を防ぎ、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の酸化 物絶縁層と、酸化物絶縁層上に接し、ゲート電極層と重畳する酸化物半導体層と、酸化物 半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、ゲート絶縁層 は、窒素を含むシリコン膜を含んで構成され、酸化物絶縁層は、酸化物半導体層の構成元 素から選択される一又は複数の金属元素を含み、ゲート絶縁層の膜厚は、酸化物絶縁層よ りも厚い半導体装置を提供する。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP2017126791A
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：JP2017078080
申请日：2017-04-11
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786
Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性を向上させる。また、経時 変化や光ゲートBTストレス試験による電気特性の変動の少ない、信頼性の高い半導体装 置を作製する。 【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極の一部とゲート絶縁膜を介して重なる酸化物半導 体膜と、酸化物半導体膜に接する一対の電極とを有するトランジスタにおいて、ゲート絶 縁膜を、膜密度が2.26g/cm 3 以上2.63g/cm 3 以下であり、電子スピン共 鳴法によって計測される信号において、g値が2.001に現れる信号のスピン密度が2 ×10 15 spins/cm 3 以下である絶縁膜で形成する。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP6023651B2
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：JP2013099644
申请日：2013-05-09
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/146 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/401 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66742 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696
-
-
-
Search Results
54
records
(took 0.033 seconds)
