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公开(公告)号：JP6373596B2
公开(公告)日：2018-08-15
申请号：JP2014022340
申请日：2014-02-07
IPC分类号： G02F1/1368
CPC分类号： G02F1/134309 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/1343 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134318 , G02F2001/134372 , G02F2001/136272 , G02F2201/121 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869
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公开(公告)号：JP6373498B2
公开(公告)日：2018-08-15
申请号：JP2017525028
申请日：2014-11-12
申请人： 深▲せん▼市華星光電技術有限公司
IPC分类号： G02F1/133 , G09G3/36 , G09G3/20 , G09G3/34 , G02F1/1368
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/133514 , G02F1/1368 , G09G3/3648 , G09G2300/0426 , G09G2310/0218 , G09G2310/0283
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公开(公告)号：JP2018125340A
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：JP2017014389
申请日：2017-01-30
申请人： 株式会社ジャパンディスプレイ
IPC分类号： H01L21/336 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/28 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/02 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1237 , G02F1/133345 , G02F1/136209 , G02F1/1368 , G02F2201/501 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02274 , H01L21/02532 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02675 , H01L27/1225 , H01L27/1229 , H01L27/1233 , H01L27/1248 , H01L27/1251 , H01L27/1274 , H01L27/3262 , H01L29/4908 , H01L29/78633 , H01L29/78675 , H01L29/7869
摘要： 【課題】シリコン系半導体の薄膜トランジスタと酸化物半導体の薄膜トランジスタを同一基板内に作製する場合、シリコン半導体と酸化物半導体の相反する特性を克服する必要がある。 【解決手段】表示装置は基板上に薄膜トランジスタを備える。前記薄膜トランジスタは、酸化物半導体膜と第一ゲート絶縁膜と第一ゲート電極とを有する第一トランジスタと、シリコン半導体膜と第二ゲート絶縁膜と第二ゲート電極とを有する第二トランジスタと、を備える。前記第一ゲート絶縁膜は、第一絶縁膜と、第二絶縁膜と、を備える。前記酸化物半導体膜は前記第一絶縁膜と前記基板との間の層に位置する。前記第一絶縁膜は前記シリコン半導体膜と前記基板との間の層に位置すると共に、前記第二絶縁膜と前記基板との間の層に位置する。前記第二ゲート絶縁膜は前記第二絶縁膜と同層で同一の材料の絶縁膜を含む。前記第一ゲート電極と前記第二ゲート電極は同層である。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2018124313A
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：JP2017013929
申请日：2017-01-30
申请人： パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
IPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/1368
CPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/133345 , G02F1/133514 , G02F1/13394 , G02F1/13439 , G02F1/13471 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133601 , G02F2001/13396 , G02F2001/13398 , G02F2001/134372 , G02F2001/136295 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2202/28 , G09G3/3611 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G2300/023 , G09G2300/0426 , G09G2310/08 , G09G2320/066
摘要： 【課題】複数の表示パネルを重ね合わせて構成される液晶表示装置の製造工程を簡略化する。 【解決手段】液晶表示装置は、第1表示パネルと、前記第1表示パネルに重畳して配置された第2表示パネルと、を含み、前記第2表示パネルは、ソース線とゲート線と薄膜トランジスタと有機絶縁膜とが形成された第1基板と、前記第1基板に対向配置された第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板の間に配置された液晶層と、を含み、前記第1基板には、前記第1基板と前記第2基板との間の距離を保持する第1スペーサが形成されており、前記第1スペーサ及び前記有機絶縁膜は、ポジ型感光性樹脂からなる。 【選択図】図9
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公开(公告)号：JP6369801B2
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：JP2014150345
申请日：2014-07-24
申请人： Tianma Japan株式会社
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1343
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/133345 , G02F1/134363 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/136218
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公开(公告)号：JPWO2017057210A1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2016078146
申请日：2016-09-26
申请人： シャープ株式会社
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1368 , G02F1/1337
CPC分类号： G02F1/133753 , G02F1/13 , G02F1/133516 , G02F1/1337 , G02F1/133788 , G02F1/1343 , G02F1/1368
摘要： 本発明は、暗線の発生が抑制された透過率の高い液晶表示パネル、その製造方法及び該液晶表示パネルを製造する製造装置を提供する。本発明の液晶表示パネルは、画素電極を有する第一基板と、第一垂直配向膜と、液晶分子を含有する液晶層と、第二垂直配向膜と、対向電極を有する第二基板とを順に有する液晶表示パネルであって、液晶表示パネルは、液晶分子の傾斜方位が互いに異なる4つの配向領域が、画素の長手方向に沿って配置された画素を有し、傾斜方位が特定方位である第一、第二、第三、及び、第四の配向領域を含み、液晶分子は、液晶層への電圧無印加時に、第一及び第二垂直配向膜に対して実質的に垂直に、かつ、傾斜方位に沿って傾斜して配向し、液晶層への電圧印加によって、傾斜方位に沿って更に大きく傾斜するものであり、4つの配向領域のそれぞれにおいて、液晶分子のねじれ角が実質的に0°である。
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公开(公告)号：JP6368094B2
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：JP2014011039
申请日：2014-01-24
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/1255 , G02F1/13306 , G02F1/133305 , G02F1/133345 , G02F1/13338 , G02F1/133512 , G02F1/1339 , G02F1/1341 , G02F1/1343 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133357 , G02F2001/13415 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F2203/04108 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L28/60 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/45 , H01L29/78633 , H01L29/7869 , H01L29/78696
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公开(公告)号：JP2018117154A
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：JP2018075325
申请日：2018-04-10
申请人： アップル インコーポレイテッド
发明人： チャン シー チャン , ハン ミン−チン , ユ チェン−ホ , チャン ティン−クオ , ジャムシディ ロウドバリ アッバース , リン シャン−チー , キム キョン−ウク , フアン チュン−ヤオ , リー スー−シエン , チェン ユ−チェン , オオサワ ヒロシ , パク ヨン ベ , グプタ ヴァスダ , リン チン−ウェイ , チェ ジェ ウォン , ツァイ ツン−ティン
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/8238 , H01L27/092 , G09F9/30 , H01L51/50 , H01L27/32 , G02F1/1368 , G09G3/36 , G09G3/20 , G09G3/3233 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/13452 , G02F1/13454 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , H01L27/1222 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L27/3272 , H01L29/7869
摘要： 【課題】シリコン薄膜トランジスタ及び半導体酸化物薄膜トランジスタを有するディスプレイを提供する。 【解決手段】電子デバイスは、基板上に表示ピクセルのアレイを有する、ディスプレイを含み得る。それらの表示ピクセルは、有機発光ダイオード表示ピクセル、又は液晶ディスプレイ内の表示ピクセルとすることができる。有機発光ダイオードディスプレイ内には、半導体酸化物薄膜トランジスタ、シリコン薄膜トランジスタ、及びコンデンサ構造体を含む、ハイブリッド薄膜トランジスタ構造体を形成することができる。コンデンサ構造体は、半導体酸化物薄膜トランジスタに重ね合わせることができる。有機発光ダイオード表示ピクセルは、酸化物トランジスタとシリコントランジスタとの組み合わせを有し得る。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018116228A
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：JP2017008620
申请日：2017-01-20
申请人： 株式会社ジャパンディスプレイ
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1343 , G09F9/30 , G02F1/1368
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/134363 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/13606 , G02F2001/13685 , G02F2202/10 , H01L27/1225 , H01L29/7869
摘要： 【課題】表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供する。 【解決手段】本実施形態によれば、絶縁基板と、絶縁基板の上で第1方向に沿って延伸したゲート線と、絶縁基板の上でゲート線と交差し、第1方向に並んだ第1ソース線及び第2ソース線と、ゲート線、第1ソース線、及び第2ソース線と重なり、第1開口部及び第2開口部を有する第1遮光層と、第1ソース線と第2ソース線との間でゲート線と交差し、第2ソース線に接続された酸化物半導体層と、を備え、第1開口部と第2開口部とは、第1ソース線と第2ソース線との間で第1方向と交差する第2方向に沿って並び、ゲート線は、第1開口部と第2開口部との間に位置し、酸化物半導体層は、第1開口部と重なる第1重畳部を有している、表示装置が提供される。 【選択図】図4
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公开(公告)号：JP2018518787A
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：JP2018513716
申请日：2016-10-21
发明人： イィ ウェイフア , ヂャン シュン , ヂョウ フイロン , ヂャン ボルン , クアン ジュンウェン
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/02 , G06F3/044 , G02F1/1333 , G06F3/041
CPC分类号： G02F1/13338 , G02F1/133514 , G02F1/1368 , G02F2202/22 , G06F3/0412 , G06F2203/04103 , G06F2203/04107 , H01L29/1606 , H01L51/445
摘要： 【課題】より薄い厚さの、高抵抗率層を有するタッチディスプレイデバイスを提供すること。 【解決手段】高抵抗率層を有するタッチ制御ディスプレイデバイス及びその調製方法であって、高抵抗率層を有するタッチ制御ディスプレイデバイス(100)は、順次積層された、薄膜トランジスタ基板(10)、タッチ制御感知層(40)、液晶層(20)、カラー光学フィルタ基板(30)及び高抵抗率層(50)を含む。高抵抗率層(50)の材料は、酸化グラファイトと酸化スズとの混合物である。 【選択図】図1
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