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公开(公告)号:JPWO2019138855A1
公开(公告)日:2021-03-25
申请号:JP2018047444
申请日:2018-12-25
Applicant: パイクリスタル株式会社 , 地方独立行政法人大阪産業技術研究所
Abstract: 素子搭載部分や接続端子部分も含めた全体として高い可撓性を備えた、フレキシブル基板、電子デバイス、さらに、この電子デバイスの製造方法を提供すること。フレキシブル基板は、可撓性を有する基材と、前記基材上に導電性を有する有機化合物により形成された導電性配線とを備え、前記導電性配線の一部が他の電子部材との接続部となる。また、電子デバイス100は、可撓性を有する基材11、21と、前記基材上に導電性を有する有機化合物により形成された導電性配線13、23と、前記導電性配線に接続された電子素子12、22とを備え、前記導電性配線の一部が他の基板との接続部30となる。
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公开(公告)号:JP6748635B2
公开(公告)日:2020-09-02
申请号:JP2017514231
申请日:2016-04-20
Applicant: パイクリスタル株式会社
IPC: G09F9/00 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L21/336 , G09F9/30
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公开(公告)号:JP2019054259A
公开(公告)日:2019-04-04
申请号:JP2018206143
申请日:2018-10-31
Applicant: パイクリスタル株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/40
Abstract: 【課題】均質性の高い単結晶性有機半導体膜の製造方法及びそれを備えた有機半導体デバイスを提供する。 【解決手段】3−クロロチオフェンを溶剤にして溶液を調整し、エッジキャスト法による溶媒蒸発法により有機半導体膜を形成することにより、1mm 2 当たりの面積中に存在するドメイン数が10以下であるポリチオフェン又はチアノアセンからなる単結晶性有機半導体膜を形成する。この半導体膜を用いて有機半導体デバイスを形成する。 【選択図】なし
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公开(公告)号:JP6257027B2
公开(公告)日:2018-01-10
申请号:JP2013188615
申请日:2013-09-11
Applicant: パイクリスタル株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/306 , H01L29/786
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公开(公告)号:JP6934130B2
公开(公告)日:2021-09-15
申请号:JP2018206143
申请日:2018-10-31
Applicant: パイクリスタル株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/40
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公开(公告)号:JPWO2020045597A1
公开(公告)日:2021-08-26
申请号:JP2019034021
申请日:2019-08-29
Applicant: 国立大学法人 東京大学 , パイクリスタル株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , C07D333/50
Abstract: 優れたキャリア移動度をもつ新規なカルコゲン含有有機半導体化合物を提供する。下記式(1a)又は式(1b)で表される化合物。 [化1] (式(1a)及び式(1b)中、XはS、O又はSeを示し、R 1 はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ピリジル基、フリル基、チエニル基又はチアゾリル基を示す。)
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公开(公告)号:JP6590361B2
公开(公告)日:2019-10-16
申请号:JP2014059300
申请日:2014-03-20
Applicant: パイクリスタル株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/40
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公开(公告)号:JP2017147456A
公开(公告)日:2017-08-24
申请号:JP2017077077
申请日:2017-04-07
Applicant: パイクリスタル株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/40 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0003 , B05C11/028 , B05C11/04 , B05C5/02 , B05C5/0254 , C30B19/063 , C30B29/58 , H01L51/0508 , H01L51/0068 , H01L51/0558
Abstract: 【課題】液滴形成に基づく溶媒蒸発法を用いた簡易な工程により、大面積で高い電荷移動度を有する有機半導体単結晶薄膜を作製する製造装置を提供する。 【解決手段】有機半導体材料を溶媒に溶解させた原料溶液6を基板上に供給する原料供給源4と、基板1の表面との間に一定の間隔を設けて対向配置された端面成形部材2とを備え、原料供給源と端面成形部材とが、基板に対して相対的に移動可能である有機半導体薄膜の製造装置において、端面成形部材は、基板上に供給された原料溶液が形成する液滴6aに接触するように、かつ、基板の表面に対して一定の角度で交差するように配置された接触面2aを有し、原料供給源と端面成形部材とを液滴から離間する方向(X1)に移動させた際、液滴の大きさが所定の範囲に維持されるように原料溶液を原料供給源から供給可能である。 【選択図】図1C
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公开(公告)号:JPWO2016171285A1
公开(公告)日:2018-04-05
申请号:JP2017514231
申请日:2016-04-20
Applicant: パイクリスタル株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: アクティブマトリクスアレイ装置は、表示・発光デバイス、センサ、メモリ、アクチュエータ等の機能を持ったデバイスをマトリクスアレイ状に並べたもので、様々な分野・用途での利用拡大が期待されている。しかし、マトリクス要素となる表示・発光デバイス、センサ、メモリ、アクチュエータ等のデバイスと、マトリクス要素にてこれらデバイスを制御する回路部とでは、形成プロセスや材料に類似性や親和性が少なく、それらは相互に制約事項となっている。このことは、製造コストの増加や機能の制限要因となっている。従来のアクティブマトリクスアレイ装置の製造は、同一基板上に種々のプロセス工程を重ねることで装置を作り上げる。その中の一部のプロセス工程によりトランジスタを含む制御回路部も形成される。これに対して、アクティブマトリクスアレイ装置の制御回路部を他の部分とは別の基板上に形成し、マトリクスアレイ本体の製造プロセス工程の途中或は最終工程後に、各マトリクス要素上に実装することを特徴として上記課題を解決する。
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