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公开(公告)号：JP2021192429A
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2021126732
申请日：2021-08-02
申请人： インテグリス・インコーポレーテッド
发明人： ホワイト, ダニエラ , パーソン, トーマス , ホワイト, マイケル , クーパー, エマニュエル アイ. , ダス, アタヌ
IPC分类号： C11D17/08 , C11D3/04 , C11D7/06 , C11D7/32 , C11D7/08 , C11D7/26 , C11D7/36 , C11D7/22 , H01L21/304
摘要： 【課題】化学機械研磨(CMP)後、低誘電率材料、窒化シリコン材料又はタングステン含有材料を損なわずに、マイクロ電子デバイスの表面からのセリア粒子及びCMP汚染物質を効果的に除去する方法及び水性除去組成物を提供する。 【解決手段】マイクロ電子デバイスを、少なくとも1つのpH調整剤と、少なくとも1つの還元剤と、少なくとも1つの有機添加剤と、水と、任意選択的に少なくとも1つの錯化剤と、任意選択的に少なくとも1つの酸素捕捉剤とを含む水性除去組成物と接触させ、マイクロ電子デバイスから、セリア粒子とCMP汚染物質とを除去する。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6556935B2
公开(公告)日：2019-08-07
申请号：JP2018500517
申请日：2016-07-07
申请人： インテグリス・インコーポレーテッド
发明人： ビロドー, スティーブン , クーパー, エマニュエル アイ.
IPC分类号： H01L21/308
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公开(公告)号：JP2020504460A
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：JP2019538379
申请日：2018-01-17
申请人： インテグリス・インコーポレーテッド
发明人： ホワイト, ダニエラ , パーソン, トーマス , ホワイト, マイケル , クーパー, エマニュエル アイ. , ダス, アタヌ
摘要： 化学機械研磨(CMP)後汚染物質とセリア粒子とを、前記粒子と汚染物質とをその上に有するマイクロ電子デバイスから洗浄するための除去組成物及びプロセス。本組成物は、低誘電率材料、窒化シリコン材料又はタングステン含有材料を損なわずに、マイクロ電子デバイスの表面からのセリア粒子及びCMP汚染物質の非常に効果的な除去を実現する。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2018525833A
公开(公告)日：2018-09-06
申请号：JP2018507623
申请日：2016-08-12
发明人： ビロドー, スティーブン , クーパー, エマニュエル アイ. , ウー, シン−チェン , ヤン, ミン−チェ
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/28255 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02664 , H01L21/762
摘要： ゲルマニウム含有材料をその上に有するマイクロ電子デバイス上のゲルマニウム含有材料のパッシベーションに有用な組成物。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2021090061A
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：JP2021012437
申请日：2021-01-28
申请人： インテグリス・インコーポレーテッド
发明人： ビロドー, スティーブン , クーパー, エマニュエル アイ.
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 【課題】窒化ケイ素と比べてp型ドープポリシリコン(例えば、ホウ素ドープポリシリコン)を、該材料を上面に含むマイクロ電子デバイスから選択的に除去するための除去用組成物及び方法を提供する。 【解決手段】方法は、p型ドープポリシリコンと窒化ケイ素を含む基板を除去用組成物と接触させることを含む。除去用組成物は、窒化ケイ素と比べてp型ドープポリシリコンを選択的に除去するものであり、少なくとも1種類のナイトレート、少なくとも1種類のフッ化物、少なくとも1種類の強酸、任意選択的に少なくとも1種類のシリコン源又は少なくとも1種類の還元剤及び任意選択的に少なくとも1種類の溶媒を含む。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2020505765A
公开(公告)日：2020-02-20
申请号：JP2019538329
申请日：2018-01-17
申请人： インテグリス・インコーポレーテッド
发明人： クーパー, エマニュエル アイ. , ペイン, マコーネン , キム, ウォンラエ , ホン, エリック , トゥ, シェン−ハン , ワン, チェー チュイ , スー, チア−ユン
IPC分类号： C11D7/50 , C11D7/06 , C11D7/32 , C11D7/26 , C11D7/36 , C11D7/14 , C11D7/38 , C23G1/18 , H01L21/304
摘要： 本開示は、アルミニウム含有エッチング停止層を利用する半導体の製造において、エッチング後残留物及びアルミニウム含有材料、例えば、酸化アルミニウムの除去を助ける洗浄組成物に関する。組成物は、低誘電率材料、コバルト含有材料及びマイクロ電子デバイス上の他の金属と比較して、エッチング後残留物及びアルミニウム含有材料に対する高い選択性を有する。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2018535558A
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：JP2018526779
申请日：2016-11-22
申请人： インテグリス・インコーポレーテッド
发明人： ビロドー, スティーブン , クーパー, エマニュエル アイ.
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/308
CPC分类号： H01L29/66545 , C09K13/08 , H01L21/32134 , H01L29/4966 , H01L29/517
摘要： 窒化ケイ素と比べてp型ドープポリシリコン(例えば、ホウ素ドープポリシリコン)を、該材料を上面に含むマイクロ電子デバイスから選択的に除去するための除去用組成物及び方法。基板は好ましくは、高誘電率/メタルゲート集積化スキームを備えたものである。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6893562B2
公开(公告)日：2021-06-23
申请号：JP2019538329
申请日：2018-01-17
申请人： インテグリス・インコーポレーテッド
发明人： クーパー, エマニュエル アイ. , ペイン, マコーネン , キム, ウォンラエ , ホン, エリック , トゥ, シェン−ハン , ワン, チェー チュイ , スー, チア−ユン
IPC分类号： H01L21/304
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公开(公告)号：JP6885942B2
公开(公告)日：2021-06-16
申请号：JP2018526779
申请日：2016-11-22
申请人： インテグリス・インコーポレーテッド
发明人： ビロドー, スティーブン , クーパー, エマニュエル アイ.
IPC分类号： H01L21/308
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公开(公告)号：JP6735337B2
公开(公告)日：2020-08-05
申请号：JP2018507623
申请日：2016-08-12
发明人： ビロドー, スティーブン , クーパー, エマニュエル アイ. , ウー, シン−チェン , ヤン, ミン−チェ
IPC分类号： H01L21/304
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