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公开(公告)号：JP6886547B1
公开(公告)日：2021-06-16
申请号：JP2020084259
申请日：2020-05-13
发明人： 神永 雄大
IPC分类号： G11C16/26
摘要： 【課題】 連続読出し動作中に誤り訂正されたページに関連する種々の情報を出力することができる半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】 本発明のNAND型のフラッシュメモリは、メモリセルアレイと、メモリセルアレイのページを連続的に読み出す連続読出し手段と、連続読出し手段により連続読出しされたページについて、ECC回路130により誤り訂正が行われた全てのページのページアドレスを記憶するECC関連情報記憶部190と、連続読出し動作後の読出し命令に応答してECC関連情報記憶部190に記憶されたページアドレスを出力する出力手段とを有する。 【選択図】 図6
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公开(公告)号：JP6232109B1
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2016187885
申请日：2016-09-27
CPC分类号： G11C11/5642 , G11C11/4074 , G11C11/4082 , G11C11/4085 , G11C7/1051 , H03K19/08
摘要： 【課題】 ページの連続読出しの高速化を図る半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】 本発明のフラッシュメモリ100は、メモリセルアレイ110と、メモリセルアレイ110のページを選択し、選択ページのデータをページバッファ/センス回路180に読み出すページ読出し手段と、連続読出しの範囲に関するページ情報を格納するページ情報格納部160と、ページの連続読出しを制御する制御部150とを有する。制御部150は、ページ情報に基づき連続読出しを継続させるか否かを判定し、継続すると判定した場合には、チップセレクト信号がトグルされても、ページデータ読出し命令およびページアドレスの入力なしに連続読出しを可能にする。 【選択図】 図4
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公开(公告)号：JP5734492B1
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：JP2014096667
申请日：2014-05-08
发明人： 神永 雄大
CPC分类号： G06F21/60 , G06F21/575 , G06F21/79 , G06F3/061 , G06F3/0652 , G06F3/0655 , G06F3/0688 , G06F9/00 , G11C16/08 , G11C16/22 , G11C16/26 , G06F2221/2135
摘要： 【課題】セキュリティの高い情報を効果的に保護することができるフラッシュメモリを提供する。 【解決手段】フラッシュメモリは、特定のコマンドが入力されたときに、特定アドレス情報を不揮発性のコンフィギュレーションレジスタ240に設定し、かつ特定データを隠された記憶領域に設定する設定手段を含む。フラッシュメモリはさらに、読出し動作時に、入力されたアドレス情報と特定アドレス情報とを比較する比較部300と、両アドレス情報が一致するとき隠された記憶領域に設定された特定データを読出させ、かつ特定アドレスを消去させ、両アドレス情報が一致しないとき、入力されたアドレス情報に従いメモリアレイに記憶されたデータを読み出させる制御部310とを有する。 【選択図】図9
摘要翻译： 本发明的一个目的是提供一种闪速存储器，可有效地保护高安全性的信息。 快闪存储器中，当输入一个特定的命令，包括设置装置，用于在非易失性的配置寄存器240设定，并且在隐藏特定的数据的存储区域设置某些地址信息。 在读取操作中，输入的地址信息比较单元300，用于比较所指定的地址信息，读取二者地址信息匹配时隐藏所述存储区域所设定的特定数据期间闪存进一步，和 擦除一个特定的地址，当两个地址信息不匹配，并根据输入的被存储在存储器阵列中的数据的地址信息读出控制单元310。 9系统技术领域
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公开(公告)号：JP2018055737A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2016187885
申请日：2016-09-27
CPC分类号： G11C11/5642 , G11C7/1051 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C29/46 , H03K19/08
摘要： 【課題】 ページの連続読出しの高速化を図る半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】 本発明のフラッシュメモリ100は、メモリセルアレイ110と、メモリセルアレイ110のページを選択し、選択ページのデータをページバッファ/センス回路180に読み出すページ読出し手段と、連続読出しの範囲に関するページ情報を格納するページ情報格納部160と、ページの連続読出しを制御する制御部150とを有する。制御部150は、ページ情報に基づき連続読出しを継続させるか否かを判定し、継続すると判定した場合には、チップセレクト信号がトグルされても、ページデータ読出し命令およびページアドレスの入力なしに連続読出しを可能にする。 【選択図】 図4
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公开(公告)号：JP6258399B2
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：JP2016097870
申请日：2016-05-16
发明人： 神永 雄大
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F11/1048 , G11C29/52 , G11C2029/0411
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公开(公告)号：JP2015215930A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2014096667
申请日：2014-05-08
发明人： 神永 雄大
CPC分类号： G06F21/60 , G06F21/575 , G06F21/79 , G06F3/061 , G06F3/0652 , G06F3/0655 , G06F3/0688 , G06F9/00 , G11C16/08 , G11C16/22 , G11C16/26 , G06F2221/2135
摘要： 【課題】セキュリティの高い情報を効果的に保護することができるフラッシュメモリを提供する。 【解決手段】フラッシュメモリは、特定のコマンドが入力されたときに、特定アドレス情報を不揮発性のコンフィギュレーションレジスタ240に設定し、かつ特定データを隠された記憶領域に設定する設定手段を含む。フラッシュメモリはさらに、読出し動作時に、入力されたアドレス情報と特定アドレス情報とを比較する比較部300と、両アドレス情報が一致するとき隠された記憶領域に設定された特定データを読出させ、かつ特定アドレスを消去させ、両アドレス情報が一致しないとき、入力されたアドレス情報に従いメモリアレイに記憶されたデータを読み出させる制御部310とを有する。 【選択図】図9
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够有效保护高安全性信息的闪速存储器。解决方案：闪速存储器包括：设置装置，当输入特定命令时，将特定地址信息设置在非易失性配置寄存器240中，并设置 隐藏的存储区域中的具体数据。 闪速存储器还包括：比较单元300，其比较输入地址信息和读取时的具体地址信息; 以及控制单元310，其执行控制以读取隐藏存储区域中的特定数据集并且如果两个地址信息匹配则删除特定地址，并且如果两者都是根据输入地址信息读取存储在存储器阵列中的数据 地址信息不匹配。
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公开(公告)号：JP5744118B2
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：JP2013148117
申请日：2013-07-17
发明人： 神永 雄大
IPC分类号： G11C16/02
CPC分类号： G06F3/0688 , G06F3/0611 , G06F3/0659
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公开(公告)号：JP2021180058A
公开(公告)日：2021-11-18
申请号：JP2020084259
申请日：2020-05-13
发明人： 神永 雄大
摘要： 【課題】 連続読出し動作中に誤り訂正されたページに関連する種々の情報を出力することができる半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】 本発明のNAND型のフラッシュメモリは、メモリセルアレイと、メモリセルアレイのページを連続的に読み出す連続読出し手段と、連続読出し手段により連続読出しされたページについて、ECC回路130により誤り訂正が行われた全てのページのページアドレスを記憶するECC関連情報記憶部190と、連続読出し動作後の読出し命令に応答してECC関連情報記憶部190に記憶されたページアドレスを出力する出力手段とを有する。 【選択図】 図6
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公开(公告)号：JP2018055741A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2016189875
申请日：2016-09-28
CPC分类号： G06F3/0659 , G06F3/0604 , G06F3/0656 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F13/16 , G06F13/28 , G06F2212/1024 , G06F2212/7203 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/32
摘要： 【課題】 ページの連続読出しの高速化を図る半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】 本発明のフラッシュメモリ100は、メモリセルアレイ110と、メモリセルアレイ110のページを選択し、選択ページのデータをページバッファ/センス回路180に読み出すページ読出し手段と、ページの連続読出しを制御する制御部150とを有する。制御部150は、連続読出しの終了に関する命令が入力された場合、連続読出しを終了させ、連続読出しの終了に関する命令が入力されない場合、連続読出しモードを継続させ、連続読出しモードの継続中、チップセレクト信号CSがトグルされても、ページデータ読出し命令の入力なしに連続読出しを可能にする。 【選択図】 図4
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公开(公告)号：JP6274589B1
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：JP2016189875
申请日：2016-09-28
CPC分类号： G06F3/0659 , G06F3/0604 , G06F3/0656 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F13/16 , G06F13/28 , G06F2212/1024 , G06F2212/7203 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/32
摘要： 【課題】 ページの連続読出しの高速化を図る半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】 本発明のフラッシュメモリ100は、メモリセルアレイ110と、メモリセルアレイ110のページを選択し、選択ページのデータをページバッファ/センス回路180に読み出すページ読出し手段と、ページの連続読出しを制御する制御部150とを有する。制御部150は、連続読出しの終了に関する命令が入力された場合、連続読出しを終了させ、連続読出しの終了に関する命令が入力されない場合、連続読出しモードを継続させ、連続読出しモードの継続中、チップセレクト信号CSがトグルされても、ページデータ読出し命令の入力なしに連続読出しを可能にする。 【選択図】 図4
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