公开(公告)号：JPWO2018030444A1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：JP2017028853

申请日：2017-08-08

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 内藤 達也

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/12 ,  H01L21/322 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L21/263 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/105 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 半導体基板と、半導体基板の内部に設けられた第1導電型のエミッタ領域と、半導体基板の内部においてエミッタ領域の下方に設けられた第2導電型のベース領域と、半導体基板の内部においてベース領域よりも下方に設けられ、不純物として水素を含む、第1導電型の蓄積領域と、半導体基板の上面からエミッタ領域、ベース領域および蓄積領域を貫通して設けられたトレンチ部とを備える半導体装置を提供する。

公开(公告)号：JPWO2017065067A1

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：JP2016079608

申请日：2016-10-05

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 梅田 賢一

IPC: H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: 本発明の課題は、優れた電極パターンを形成することができる有機半導体デバイス用電極材料、電極パターンの形成方法および有機薄膜トランジスタを提供することである。 本発明の有機半導体デバイス用電極材料は、無機ナノ粒子、有機π共役系配位子および水を含有する有機半導体デバイス用電極材料であって、 有機π共役系配位子が、親水性の置換基を少なくとも1個有する配位子であり、 フッ素系界面活性剤を0.0005〜15質量%含有し、 誘電率が20以上30以下の表面張力調整剤を含有する。

公开(公告)号：JP2018123082A

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：JP2017016229

申请日：2017-01-31

Applicant: 株式会社ニコン ,  学校法人神奈川大学

Inventor： 山口 和夫 ,  伊藤 倫子 ,  川上 雄介

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/288 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/417 ,  C07F7/18

CPC classification number: C07F7/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】光照射の前後で接触角差が大きく、感度がより優れた、カップリング剤として有用な化合物、該化合物を用いたパターン形成用基板、該化合物を用いた光分解性カップリング剤、及びパターン形成方法の提供。 【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物。[式中、R 1 は炭素数1〜5のアルキル基、式(R2−1)で表される基、式(R2−2)で表される基から選択されるいずれか1つの基であり、R 2 は式(R2−1)又は(R2−2)で表される基であり、n1は0〜5の整数、n2は1〜5の自然数である。] [化1] 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2018117102A

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：JP2017008899

申请日：2017-01-20

Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

Inventor： 横山 孝司 ,  梅林 拓

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L27/146 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/146 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】実装面積を縮小化することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】本技術の一実施形態の半導体装置は、半導体装置は、メモリアレイが設けられた第1の基板と、第1の基板と積層されると共に、メモリアレイの動作を制御する周辺回路が設けられた第2の基板とを備える。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018117016A

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：JP2017006002

申请日：2017-01-17

Applicant: 株式会社デンソー ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 浦上 泰 ,  加藤 武寛 ,  青井 佐智子

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L21/768 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】コンタクトホールの角部が丸まることを抑制し、耐久性を向上することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】H 2 アニールを行うことで層間絶縁膜10を緻密化する。このような緻密化を行うことにより、緻密化を行っていない場合と比較して層間絶縁膜10が固くなる。このため、層間絶縁膜10に対してコンタクトホール10a、10bを形成した後に高温となる加熱工程が行われても、コンタクトホール10a、10bの側壁の角部が丸まることが抑制される。よって、金属電極となるAl−Si層9d、31cのコンタクトホール10a、10b内への入り込み量が多くても、応力に基づく層間絶縁膜10の変形が抑制され、当該応力によってゲート絶縁膜7にクラックを発生させることが抑制される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6332573B1

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：JP2017560829

申请日：2017-11-16

Applicant: 東レ株式会社

Inventor： 崎井 大輔 ,  村瀬 清一郎 ,  脇田 潤史

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/288 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/312 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

Abstract: 半導体溶液の均一塗布が可能となり、ヒステリシスが低減され、ゲート絶縁層の耐クラック性が向上した電界効果型トランジスタと、その生産性に優れた製造方法を提供する。本発明は、少なくとも、基板と、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極と、前記ソース電極及びドレイン電極に接する半導体層と、前記半導体層を前記ゲート電極と絶縁するゲート絶縁層と、を備えた電界効果型トランジスタであって、前記ゲート絶縁層が、少なくとも、一般式(1)で表される構造単位を有するポリシロキサンを含有することを特徴とする、電界効果型トランジスタである。 【化1】 (一般式(1)において、A 1 は、カルボキシル基、スルホ基、チオール基、フェノール性水酸基又はそれらの誘導体を、少なくとも二つ、若しくはそれらの基がA 1 内で環状に縮合した官能基又はそれらの誘導体を少なくとも一つ有する、有機基を表す。)

公开(公告)号：JP2018511933A

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：JP2017543957

申请日：2015-02-20

Applicant: ヴィシェイ ジェネラル セミコンダクター,エルエルシー ,  VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR,LLC

Inventor： イ−イン・リン

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417

Abstract: 半導体デバイスは、基板上に配される第1の活性層を含む。第2の活性層が第1の活性層上に配される。第2の活性層は、第1の活性層と第2の活性層との間に2次元電子ガス層が生じるように、第1の活性層より大きいバンドギャップを有する。第1の電極は、第2の活性層との間にショットキー接合を作る。第1の電極は、第1の電極パッドと、第1の電極パッドに電気的に接触する第1の一連のフィンガーと、を含む。第2の電極は、第1の活性層との間にオーミック接合を作る。第2の電極は、第2の電極パッドと、第2の電極パッドに電気的に接触する第2の一連のフィンガーと、を含む。第1及び第2の一連の電極フィンガーは、インターデジタルパターンを形成する。第1の電極パッドは、第1及び第2の一連の電極フィンガー上に位置する。

公开(公告)号：JP6314965B2

公开(公告)日：2018-04-25

申请号：JP2015242605

申请日：2015-12-11

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 亀山 悟 ,  味岡 正樹 ,  大木 周平

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/34 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

公开(公告)号：JP2018056167A

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：JP2016186833

申请日：2016-09-26

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 児玉 栄介

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H03K19/003 ,  H01L21/8222

CPC classification number: H01L27/0259 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/861

Abstract: 【課題】必要最小限の設計変更で、静電破壊耐量の調整に対応できる静電保護素子を提供する 【解決手段】半導体装置は、ベース領域BRとエミッタ領域ERとが抵抗領域RR2を介して電気的に接続されたバイポーラトランジスタからなる静電保護素子CBを含む。このとき、静電保護素子CBのベース領域BRは、コレクタ領域CRと対向する対向部位FPを含む辺S1を有し、辺S1の対向部位FPは、平面視において、エミッタ配線EWLから露出する露出部分EXPと、平面視において、エミッタ配線EWLに覆われた被覆部分CVPとから構成されている。 【選択図】図7

公开(公告)号：JPWO2016136364A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：JP2017501995

申请日：2016-01-27

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 梅田　賢一 ,  賢一 梅田 ,  敬介 後瀉 ,  敬介 後瀉

IPC: H01L21/28 ,  H01B1/00 ,  H01B1/02 ,  H01B1/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/105 ,  C07D487/22 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0091 ,  H01L51/05 ,  H01L2251/301

Abstract: 本発明は、優れた導電性を維持し、有機半導体とのコンタクト性が良好となる有機半導体デバイス用電極材料を提供すること課題とする。本発明の有機半導体デバイス用電極材料は、無機ナノ粒子および有機π共役系配位子を含有し、有機π共役系配位子が、電子吸引性の置換基を少なくとも1個有する配位子である、有機半導体デバイス用電極材料である。