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    半導体装置、計測機器、及び半導体装置の製造方法
    4.
    发明专利
    半導体装置、計測機器、及び半導体装置の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017188699A

    公开(公告)日：2017-10-12

    申请号：JP2017135681

    申请日：2017-07-11

    申请人： ラピスセミコンダクタ株式会社

    发明人： 武政 憲吾

    IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  G01R22/06 ,  H01L23/29

    CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181

    摘要： 【課題】電子部品の周波数の変動を抑制できる半導体装置、計測機器及び半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体装置は、ダイパッドの周囲に複数形成されたインナーリードを有するリードフレームと、ダイパッドの一方の面の第1搭載領域に搭載された第1電子部品と、ダイパッドの一方の面の第2搭載領域に搭載された第2電子部品と、第1電子部品を封止する第1の封止部材と、第1の封止部材で封止された第1電子部品、及び第2電子部品を封止する第2の封止部材と、を備えている。第1電子部品は第1ボンディングワイヤを介して第2電子部品に接続され、第2電子部品は第2ボンディングワイヤを介してインナーリードに接続されている。 【選択図】図3

    半導体装置
    8.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020129667A

    公开(公告)日：2020-08-27

    申请号：JP2020069403

    申请日：2020-04-07

    申请人： ラピスセミコンダクタ株式会社

    发明人： 吉田 裕一 ,  武政 憲吾 ,  曽根 紀久 ,  山田 和也 ,  竹井 彰啓

    IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H03B5/32 ,  H01L23/50

    摘要： 【課題】生産効率を向上させ、且つ、集積回路とリードフレームとの接続を容易にした半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置24は、表面と、表面と対向する裏面と、表面と裏面とを接続する側面とを有する封止樹脂32と、電極パッド50を有する集積回路30が搭載された第1の領域と、第1の領域に隣接する第2の領域とにより構成された第1の面と、第1の面の反対側の第2の面であって、第1の領域に対応する第3の領域と第3の領域に隣接し外部電極34を有する発振子28が搭載される第4の領域とにより構成された第2の面と、を備える。封止樹脂に封止されたダイパッド26Aと裏面とダイパッドとの間に配置され、且つ、封止樹脂に封止された封止部(インナーリード38A)と、裏面の方向に屈曲する屈曲部と、封止樹脂の側面から露出する露出部(アウターリード38B)と、を有するリード38と、を備えている。 【選択図】図3

    半導体装置の製造方法
    10.
    发明专利
    半導体装置の製造方法 有权

    公开(公告)号：JP2017147449A

    公开(公告)日：2017-08-24

    申请号：JP2017053990

    申请日：2017-03-21

    申请人： ラピスセミコンダクタ株式会社

    发明人： 武政 憲吾 ,  吉田 裕一 ,  曽根 紀久 ,  山田 和也 ,  竹井 彰啓

    IPC分类号： H01L23/50 ,  H03B5/32 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

    CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181

    摘要： 【課題】発振子と集積回路とを配置したリードフレームを、樹脂中に空洞を発生させることなく樹脂封止でき、また、樹脂封止中にリードフレームが上下方向に変位するのを効果的に防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】第1の面に発振子28が、第1の面とは反対側の第2の面に集積回路30が配置されたダイパッド26Aと、第1のダイパッド26Aとは所定の距離離して設けられたインナーリード38Aとを有し、発振子28と集積回路30とがボンディングワイヤ52で接続され、集積回路30とインナーリード38Aとが第2のボンディングワイヤ52で接続されたリードフレーム26を、第1の面が上方を向き、第2の面が下方を向き、且つインナーリード38Aの下面に沿って注入口7が設けられるように金型5の内部に配置するステップと、注入口7から金型5の内部に樹脂を注入するステップと、を有する半導体装置の製造方法である。 【選択図】図7