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公开(公告)号：JP2018137486A
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：JP2018108884
申请日：2018-06-06
Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社
Abstract: 【課題】半導体装置の性能を向上させる。 【解決手段】半導体装置は、配線基板に搭載されたインタポーザ上に搭載され、かつ、インタポーザを介して互いに電気的に接続されている第1および第2半導体部品と、を含む。また、インタポーザの複数の配線層は、基準の主面側から順に積層される第1、第2および第3配線層、を有する。また、第1半導体部品と第2半導体部品とに挟まれたインタポーザの第1領域では、第3配線層における基準電位用配線の割合が第1配線層における基準電位用配線の割合よりも多い。また、第1領域では、第1配線層における信号用配線の割合が第3配線層における信号用配線の割合よりも多い。 【選択図】図10
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公开(公告)号：JP2019110201A
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：JP2017241957
申请日：2017-12-18
Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社
Inventor： 萱島 祐治
Abstract: 【課題】半導体チップを埋め込んだ封止体(パッケージ構造体)上に半導体装置(半導体パッケージ)を搭載した構造であるPOP(Package On Package)構造の特性を向上させた電子装置および電子機器を提供する。 【解決手段】電子装置は、封止体SS2の上面USに形成された再配線層RDL1と、封止体SS2の下面BSに形成された再配線層RDL2とを含む。再配線層RDL2の厚さは、再配線層RDL1の厚さよりも薄くなっている。 【選択図】図4
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6836418B2
公开(公告)日：2021-03-03
申请号：JP2017035049
申请日：2017-02-27
Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L23/12 , H01L21/3205
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公开(公告)号：JP6352447B2
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：JP2016565722
申请日：2014-12-24
Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社
CPC classification number: H01L23/147 , H01L23/00 , H01L23/32 , H01L23/498 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49894 , H01L23/50 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/66 , H01L25/065 , H01L25/0655 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2223/6611 , H01L2223/6638 , H01L2224/16225 , H01L2225/06506 , H01L2225/06517 , H01L2924/0002 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
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公开(公告)号：JPWO2017138121A1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2016054003
申请日：2016-02-10
Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L25/00 , H01L23/12 , H01L25/065
CPC classification number: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/16225 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192
Abstract: 一実施の形態による半導体装置は、配線基板に搭載される第1半導体部品および第2半導体部品を有している。上記第1半導体部品は、外部との間で第1信号を伝送する第1端子、および上記第2半導体部品との間で第2信号を伝送する第2端子を有する。また、上記第2半導体部品は、上記第1半導体部品との間で上記第2信号を伝送する第3端子を有する。また、上記第1信号は上記第2信号より高い周波数で伝送される。また、上記第1半導体部品の上記第2端子と上記第2半導体部品の上記第3端子は、上記第1配線部材を介して電気的に接続されている。また、上記第1半導体部品の上記第1端子は、上記第1配線部材を介さず、かつ、第1バンプ電極を介して上記配線基板と電気的に接続されるものである。
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公开(公告)号：JP2018142586A
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：JP2017035049
申请日：2017-02-27
Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L23/12 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L23/5283 , H01L23/5223 , H01L23/525 , H01L23/528 , H01L23/5286 , H01L24/04 , H01L24/13 , H01L2224/0236 , H01L2224/02373 , H01L2224/02375 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/13024 , H01L2924/3512
Abstract: 【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。 【解決手段】半導体基板上に層間絶縁膜を介して配線M2aが形成され、その層間絶縁膜上に、配線M2aを覆うよう層間絶縁膜IL3が形成され、層間絶縁膜IL3上にパッドPD1が形成されている。層間絶縁膜IL3上には、パッドPD1を露出する開口部OP3を有する積層膜LMが形成され、開口部OP3から露出されたパッドPD1上を含む積層膜LM上に、パッドPD1と電気的に接続された再配線RWが形成されている。パッドPD1と再配線RWとの接続領域CNの下方に、配線M2aの端部が位置している。配線M2aには、複数の開口部SLが形成されており、複数の開口部SLの少なくとも一部は、接続領域CNと平面視において重なっている。 【選択図】図23
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