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公开(公告)号:KR102230011B1
公开(公告)日:2021-03-19
申请号:KR1020167013177A
申请日:2013-12-23
申请人: 인텔 코포레이션
IPC分类号: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L25/065 , H01L49/02
CPC分类号: H01L23/5223 , H01L21/4846 , H01L21/486 , H01L21/4875 , H01L21/76805 , H01L21/76898 , H01L21/8221 , H01L23/481 , H01L23/492 , H01L23/498 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L25/0657 , H01L27/0629 , H01L28/90 , H01L2225/06544 , H01L2924/0002
摘要: 반도체 다이에서 쓰루 바디 비아(TBV; through-body-via) 격리된 동축 커패시터를 형성하기 위한 기술이 개시된다. 일부 실시예에서, 개시된 기술을 이용하여 제공된 원통형 커패시터는, 예를 들어, 유전체 재료 및 외측 전도체 플레이트에 의해 둘러싸인 전도성 TBV를 포함할 수 있다. TBV 및 외측 플레이트는, 예를 들어, 일부 실시예에 따르면, 동축 배열로 서로 자체-정렬되도록 형성될 수 있다. 개시된 커패시터는 상부면 및/또는 하부면 상에서 그 단자들이 액세스가능하도록 호스트 다이의 바디를 통해 연장될 수 있다. 따라서, 일부 경우에, 일부 실시예에 따라 호스트 다이는 또 다른 다이에 전기적으로 접속되어 다이 스택 또는 다른 3차원 집적 회로(3D IC)를 제공할 수 있다. 일부 사례에서, 개시된 커패시터는, 예를 들어, 스위칭형-커패시터 전압 레귤레이터(SCVR)에서 집적된 커패시턴스를 제공하는데 이용될 수 있다.
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公开(公告)号:JP2018137213A
公开(公告)日:2018-08-30
申请号:JP2018012439
申请日:2018-01-29
申请人: ゼロックス コーポレイション , XEROX CORPORATION
发明人: ナヴィーン・チョプラ , バーケフ・コシュケリアン , チャド・スティーヴン・スミスソン , カート・アイ・ハーフヤード , ミシェル・エヌ・クレティエン
CPC分类号: H05K1/097 , C09D11/03 , C09D11/037 , C09D11/30 , C09D11/52 , H01B1/02 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01L23/49838 , H01L23/4985 , H01L23/49894 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/29239 , H01L2224/32227 , H01L2224/75155 , H01L2224/8384 , H01L2924/1203 , H01L2924/1304 , H01L2924/14 , H05K3/3431 , H05K3/3457 , H05K3/3484 , H05K3/3494 , H05K2201/0257
摘要: 【課題】良好な導電性を示し、ナノ銀インクよりも安価であり、トレース、電極などの導電性フィーチャと同様にプラスチックを含む様々な基板上にインターコネクトを製造するのに適した、ハイブリッド導電性インクを提供する。 【解決手段】銀ナノ粒子と、共晶低融点合金粒子とを含み、前記共晶低融点合金粒子と前記銀ナノ粒子の重量比が1:20〜1:5の範囲である。 【選択図】なし
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公开(公告)号:JP2018129528A
公开(公告)日:2018-08-16
申请号:JP2018070970
申请日:2018-04-02
申请人: インテル・コーポレーション
发明人: ロイ、ミヒル ケー , ロッツ、ステファニー エム , ジェン、ウェイ−ルン ケイン
IPC分类号: H01L21/603 , H01L23/12
CPC分类号: H01L23/5386 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L23/13 , H01L23/145 , H01L23/49811 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/0655 , H01L2221/68345 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/1703 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2924/0002 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/15192 , H01L2924/1579 , H01L2924/2064 , H05K1/0313 , H05K1/141 , H05K1/142 , H05K1/181 , H05K3/3436 , H05K3/467 , H05K2201/048 , H05K2201/049 , H05K2201/10522 , H05K2201/10674 , H05K2203/016 , H01L2924/00
摘要: 【課題】有機ブリッジを使用したマルチチップ接続を可能とする高密度有機ブリッジデバイスおよび方法を提供する。 【解決手段】アセンブリ300において、有機パッケージ基板302は、埋め込まれた有機ブリッジ304を有する。有機ブリッジ304は、ダイ318、319を相互に接続可能とする接続構造を有する。有機ブリッジ304は、金属配線層310、金属パッド層316および交互に配置された複数の誘電体層312を有するが、基板層を有さない。数層のみを有する有機ブリッジでは、有機パッケージ基板302の最上層または上側の数層内に埋め込まれる。 【選択図】図3
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公开(公告)号:JP2018098487A
公开(公告)日:2018-06-21
申请号:JP2017187072
申请日:2017-09-27
申请人: 株式会社村田製作所
CPC分类号: H01L24/32 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/00 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/29 , H01L23/293 , H01L23/31 , H01L23/3121 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L24/26 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/26175 , H01L2224/32227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/35121
摘要: 【課題】剥離や動作不良を抑制する半導体モジュールを提供すること。 【解決手段】PCB基材部16と、PCB基材部16上に設けられた導体ダイパッド11bと、導体ダイパッド11b上に設けられた半導体ダイ12aと、導体ダイパッド11bと、半導体ダイ12aを電気的に接続する導電性ダイボンド剤14aと、PCB基材部16上に設けられたワイヤーボンディングパッド18と、ワイヤーボンディングパッド18と半導体ダイ12aを電気的に接続するワイヤー13と、導体ダイパッド11b、半導体ダイ12a、導電性ダイボンド剤14a、ワイヤーボンディングパッド18及びワイヤー13を封止する封止樹脂17を備える半導体モジュール2である。また、平面視において、導体ダイパッド11bの面積は、5.0mm 2 以下である。 【選択図】図3
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公开(公告)号:JP6341714B2
公开(公告)日:2018-06-13
申请号:JP2014062735
申请日:2014-03-25
申请人: 新光電気工業株式会社
CPC分类号: H01L23/49822 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/145 , H01L23/15 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H05K1/0222 , H05K1/0225 , H05K1/0298 , H05K1/0366 , H05K1/0373 , H05K1/116 , H05K3/26 , H05K3/381 , H05K3/4673 , H05K3/4676 , H05K2201/0191 , H05K2201/0281 , H05K2201/029 , H05K2201/0293 , H05K2201/0347 , H05K2201/068 , H05K2201/09227 , H05K2201/093 , H05K2201/09681 , H05K2201/0969 , H05K2203/0514
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公开(公告)号:JP6323325B2
公开(公告)日:2018-05-16
申请号:JP2014255991
申请日:2014-12-18
申请人: 三菱電機株式会社
CPC分类号: H01L23/49894 , H01L23/04 , H01L23/053 , H01L23/10 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/291 , H01L2224/32227 , H01L2224/48105 , H01L2224/48159 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83424 , H01L2924/00014 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/19107 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
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公开(公告)号:JP2018069737A
公开(公告)日:2018-05-10
申请号:JP2017215805
申请日:2017-11-08
申请人: 日立化成株式会社
CPC分类号: B32B17/10697 , B32B7/06 , B32B17/10027 , B32B17/10614 , B32B17/10807 , H01L23/15 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H05K1/036 , H05K3/4605 , H05K2201/0195 , H05K2201/0209 , H05K2201/068 , H01L2924/00
摘要: 【課題】低熱膨張率及び高弾性率を有し、そりが抑制でき、割れの生じ難い積層板及び多層積層板、積層板及び多層積層板の製造に好適な積層体、積層板及び多層積層板を用いたプリント配線板、積層板の製造方法の提供。 【解決手段】1層以上の樹脂組成物層4及び1層以上のガラス基板層6を含む積層体で、樹脂組成物層が熱硬化性樹脂及び無機充填材を含む樹脂組成物からなる積層体。1層以上の樹脂硬化物層4a及び1層以上のガラス基板層を含む積層板で、樹脂硬化物層が、熱硬化性樹脂及び無機充填材を含む樹脂組成物の硬化物からなる積層板。上記の積層板と、積層板の表面に設けられた配線とを有するプリント配線板。熱硬化性樹脂及び無機充填材を含む樹脂組成物の硬化物からなる1層以上の樹脂硬化物層と、1層以上のガラス基板層とを含む積層板の製造方法で、ガラス基板の表面に樹脂硬化物層を形成する樹脂硬化物層形成工程を含む積層板の製造方法。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6314731B2
公开(公告)日:2018-04-25
申请号:JP2014157625
申请日:2014-08-01
申请人: 株式会社ソシオネクスト
IPC分类号: B23K1/00 , H01L23/00 , H05K9/00 , B23K101/40 , H01L23/02
CPC分类号: H01L23/053 , H01L21/52 , H01L23/04 , H01L23/055 , H01L23/10 , H01L23/3675 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L23/552 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/83191 , H01L2224/92125 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/16153 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/1631 , H01L2924/16315 , H01L2924/1659 , H01L2924/16724 , H01L2924/16747 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/014 , H01L2924/00
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公开(公告)号:JP6310677B2
公开(公告)日:2018-04-11
申请号:JP2013232641
申请日:2013-11-11
申请人: ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人: エラディオ・クレメンテ・デルガド , ジョン・スタンレー・グレイザー , ブライアン・リン・ローデン
CPC分类号: H01L24/19 , H01L23/3735 , H01L23/49805 , H01L23/49844 , H01L23/49894 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/06 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/06181 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82005 , H01L2224/82031 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/92144 , H01L2225/1035 , H01L2924/10272 , H01L2924/1203 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/014 , H01L2924/00
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公开(公告)号:JP2018056152A
公开(公告)日:2018-04-05
申请号:JP2016186537
申请日:2016-09-26
申请人: 株式会社 日立パワーデバイス
CPC分类号: H01L23/3675 , H01L23/053 , H01L23/15 , H01L23/24 , H01L23/293 , H01L23/3157 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L23/60 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/46 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/26175 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29118 , H01L2224/29144 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/45655 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/183 , H05K1/0254 , H05K1/0259 , H05K1/0306 , H05K2201/10166 , H01L2924/0105 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/01047 , H01L2924/01013 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2224/05599 , H01L2924/00
摘要: 【課題】半導体装置の高品質化を図る。 【解決手段】主面3dと裏面3eとを備え、主面3dに複数の金属配線3aが設けられたセラミック基板3と、複数の金属配線3aのうちの何れかの金属配線3a上に搭載された半導体チップと、複数の金属配線3aそれぞれの周囲に配置された樹脂部11と、を有するパワーモジュールである。さらに、金属配線3aの側面3fは、めっき膜3gaが形成された第1領域3gと、第1領域3gより上方に位置し、かつ非めっき領域である第2領域3hと、第1領域3gと第2領域3hの間に位置し、かつ金属粒子10が形成された第3領域3iと、を備えており、樹脂部11は、金属粒子10とめっき膜3gaとセラミック基板3の主面3dとに接合している。 【選択図】図2
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