薄膜キャパシタ構造、および当該薄膜キャパシタ構造を備えた半導体装置

    公开(公告)号:JP6427747B1

    公开(公告)日:2018-11-28

    申请号:JP2017548478

    申请日:2017-05-17

    Inventor: 小山田 成聖

    CPC classification number: H01G4/30 H01G4/33 H01L23/12 H01L23/32 H05K1/16

    Abstract: 薄膜キャパシタ構造(50)は、電極パッド面(2S)に複数の電極パッド(3G、3P、3S)がエリアアレイ状に配置されたエリアアレイ型集積回路(2)の電極パッド面(2S)に接合される。薄膜キャパシタ構造(50)は、第1シート電極(11)、第2シート電極(13)、および第1シート電極(11)と第2シート電極(12)との間に形成された薄膜誘電体層(12)を含む薄膜キャパシタ(10)と、第1絶縁膜(21)と、第2絶縁膜(22)と、複数の貫通孔(30P、30G、30S)と、を備える。複数の貫通孔(30P、30G、30S)は、第1絶縁膜(21)から薄膜キャパシタ(10)を経由して第2絶縁膜(22)まで貫通し、複数の電極パッド(3G、3P、3S)に対応する位置に形成されている。

    貫通電極基板及びその製造方法、並びに実装基板

    公开(公告)号:JP2018139302A

    公开(公告)日:2018-09-06

    申请号:JP2018078673

    申请日:2018-04-16

    CPC classification number: H01L23/15 H01L23/32 H05K1/11 H05K3/40

    Abstract: 【課題】貫通孔が設けられている領域に素子を配置することができる貫通電極基板及びその製造方法を提供する。 【解決手段】貫通電極基板10の製造方法は、第1面13及び第1面の反対側に位置する第2面を含むとともに貫通孔20が設けられた基板12を準備する工程と、基板の第1面に、貫通孔を塞ぐ封止層を設ける工程と、貫通孔の内部に、貫通孔の側壁に沿って延びる第1部分と、第1部分に接続され、封止層に沿って広がる第2部分24と、を有する貫通電極22を形成する電極形成工程と、封止層を除去する工程と、を備える。 【選択図】図1

    圧接型半導体モジュール

    公开(公告)号:JP2018098451A

    公开(公告)日:2018-06-21

    申请号:JP2016244452

    申请日:2016-12-16

    Inventor: 飯塚 祐二

    CPC classification number: H01L25/072 H01L23/32 H01L23/492 H01L25/115

    Abstract: 【課題】外部配線の面積増大に対応し、主配線の低インダクタンス化を実現することができ、複数の定格系列化が望まれる半導体装置の低コスト生産を可能とする半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】圧接型半導体モジュールは、第1面に形成された第1電極13と、第1面に対向する第2面に形成された第2電極18と、該第2電極に接続された電極板23とを有する複数の半導体ユニット2A,2Bと、各半導体ユニットの電極板に個別に螺合されて圧接力を受ける被圧接面31cを基準圧接面に一致するように調整可能な複数の圧接用調整部材3A,3Bとを備えている。 【選択図】図1

    配線回路基板、半導体装置、配線回路基板の製造方法、半導体装置の製造方法
    8.
    发明专利
    配線回路基板、半導体装置、配線回路基板の製造方法、半導体装置の製造方法 审中-公开
    配线电路板,半导体器件,制造电路板的方法及制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:JP2016096262A

    公开(公告)日:2016-05-26

    申请号:JP2014231842

    申请日:2014-11-14

    Inventor: 今吉 孝二

    Abstract: 【課題】半導体素子の駆動に伴う発熱を熱伝導により放熱し、半導体素子の温度上昇を許容温度以下に制御することで、充分な信頼性を有することが可能な、配線回路基板、半導体装置、配線回路基板の製造方法、半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】貫通孔を有する基材1と、基材1上に積層され、且つ導通ビア9を形成した絶縁性樹脂層7と、絶縁性樹脂層7に積層された配線群8からなる配線回路基板100であって、貫通孔内に無機密着層4aを形成し、無機密着層4aの上に導電層5aを積層することにより中空状の貫通電極3を形成し、貫通電極3内を、基材1よりも熱伝導性の高い穴埋め樹脂14にて充填し、導電層5bにて貫通孔の上下端を被覆する。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:为了提供布线电路板,半导体器件,制造布线电路板的方法以及制造半导体器件的方法,能够通过散热来散发由半导体元件驱动的热量而获得足够的可靠性 并且将半导体元件的温度升高控制在允许温度以下。布线电路基板100由具有通孔的基材1构成, 绝缘树脂层7层叠在基材1上并形成有导通孔9; 以及层叠在绝缘树脂层7上的布线组8.在通孔中形成无机粘附层4a。 通过在无机粘合层4a上层叠导电层5a来形成中空的通孔3。 通孔电极3的内部填充有比基材1高的导热性的填充树脂14.通孔的上端和下端由导电层5b涂覆。图1

    半導体装置
    9.
    发明专利
    半導体装置 有权
    半导体器件

    公开(公告)号:JP2015088653A

    公开(公告)日:2015-05-07

    申请号:JP2013226712

    申请日:2013-10-31

    Abstract: 【課題】本発明は、絶縁基板が上に凸に反ることを抑制できる半導体装置を提供することを目的とする。 【解決手段】本願の発明に係る半導体装置は、絶縁基板12と、該絶縁基板の上面に固定された半導体素子22と、該半導体素子22を囲む包囲部30Aを有する、樹脂で形成されたケース30と、端部が該包囲部30Aに固定され、該絶縁基板12の上に位置する金属支持体40と、該絶縁基板12が上に凸に反らないように、該金属支持体40から下方に伸びる押さえ部30Cと、該絶縁基板12と該ケース30を接着する接着剤32と、を備えたことを特徴とする。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种允许防止绝缘基板向上翘曲的半导体器件。解决方案:根据本发明的半导体器件包括:绝缘基板12; 半导体元件22固定在绝缘基板的顶表面上方; 具有围绕半导体元件22并由树脂制成的周围部分30A的壳体30; 具有固定到周围部分30A并位于绝缘基板12上方的端部的金属支撑件40; 从金属支撑件40向下延伸的压脚部分30C,使得绝缘基板12不向上翘曲; 以及粘合绝缘基板12和壳体30的粘合剂32。

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