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    バンプ電極基板の形成方法
    1.
    发明专利
    バンプ電極基板の形成方法 有权

    公开(公告)号：JP6767665B1

    公开(公告)日：2020-10-14

    申请号：JP2020100616

    申请日：2020-06-10

    申请人： 千住金属工業株式会社

    发明人： 服部 貴洋 ,  須藤 皓紀 ,  岡田 弘史 ,  相馬 大輔

    IPC分类号： H01L21/60

    摘要： 【課題】本開示は、ボイドの発生とバンプ高さのバラツキという問題を抑制しつつ、不濡れを抑制できるバンプ電極基板の形成方法を提供することを目的とする。 【解決手段】基板に設けられた電極の上に第1フラックスを塗布することと、はんだ材料を搭載することと、該基板を加熱し、該電極にはんだバンプを形成することと、該はんだバンプを変形させて、該はんだバンプに平坦面又は窪み部を設けることと、該はんだバンプに第2フラックスを塗付することと、核部分と、該核部分の表面を覆うはんだ層とを有する、核材料を、該はんだバンプの上に搭載することと、該基板を加熱し、該はんだバンプと該はんだ層によって該核材料を該電極に接合することと、を備える。 【選択図】図3

    はんだ合金、はんだボール、チップソルダ、はんだペースト及びはんだ継手
    3.
    发明专利
    はんだ合金、はんだボール、チップソルダ、はんだペースト及びはんだ継手 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017159314A

    公开(公告)日：2017-09-14

    申请号：JP2016044779

    申请日：2016-03-08

    申请人： 千住金属工業株式会社

    发明人： 立花 賢 ,  服部 貴洋

    IPC分类号： B23K35/22 ,  C22C13/00 ,  B22F1/00 ,  H05K3/34 ,  B23K35/26

    CPC分类号： B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H05K3/34

    摘要： 【課題】高温高湿環境において、変色が抑制され、かつ、酸化膜の成長が抑制されたはんだ合金、はんだボール、チップソルダ、はんだペースト及びはんだ継手を提供することを目的とする。 【解決手段】はんだ合金は、Mnを0.005質量%以上0.1質量%以下、Geを0.001質量%以上0.1質量%以下、更に、Agを0質量%超4質量%以下、または、Cuを0質量%超1質量%以下で含み、残部の主成分をSnとした。Snを主成分としたはんだ合金において、Mnを0.005質量%以上0.1質量%以下、Geを0.001質量%以上0.1質量%以下で含むことで、Sn酸化物、Mn酸化物及びGe酸化物を含む酸化膜において、Ge酸化物が酸化膜の最表面側に多く分布し、高湿環境でも変色防止効果が得られる。また、MnとO 2 が反応してSnとO 2 の反応が抑制され、Sn酸化物の生成が抑制されるので、酸化膜厚の増加を抑制し、融合性が向上される。 【選択図】なし

    核カラムの実装方法
    4.
    发明专利
    核カラムの実装方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019068020A

    公开(公告)日：2019-04-25

    申请号：JP2017195332

    申请日：2017-10-05

    申请人： 千住金属工業株式会社

    发明人： 須藤 皓紀 ,  服部 貴洋 ,  六本木 貴弘 ,  相馬 大輔 ,  佐藤 勇

    IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/60

    摘要： 【課題】電極パッド上に核カラムを載置して形成したバンプ電極において、核カラムが傾いたり倒れたりすることなくバンプ電極を形成できる、核カラムの実装方法を提供することを目的とする。 【解決手段】柱状の核層となる芯材の一例のCuカラム13にはんだめっき層24が形成された核カラムの一例のCu核カラム50を、基板11の電極パッド12上に搭載する工程と、Cuカラム13に被覆されたはんだめっき層24を加熱し、Cu核カラム13を電極パッド12上に接合する加熱工程とを有する。はんだめっき層24の加熱工程中のはんだ14の融点近傍における、基板11の平均昇温速度は、0.1[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下に設定される。 【選択図】 図2