断熱膜、および断熱膜構造
    1.
    发明专利

    公开(公告)号:JPWO2015076176A1

    公开(公告)日:2017-03-16

    申请号:JP2015549118

    申请日:2014-11-13

    Abstract: 断熱効果を向上させた断熱膜、および断熱膜構造を提供する。断熱膜3は、多孔質板状フィラー1が、多孔質板状フィラー1を結合するためのマトリックス3mに分散して配置されている。多孔質板状フィラー1は、アスペクト比が3以上の板状で、その最小長が0.1〜50μmであり、気孔率が20〜90%である。断熱膜3は、膜厚方向に平行な断面において、膜厚方向に垂直な方向に、複数の多孔質板状フィラー1の最大長の平均値の10%の長さで定義される領域長さ26の領域に分割したとき、多孔質板状フィラー1の面積割合が領域の面積の50%より少ない領域が、全領域数の10%以下である。多孔質板状フィラー1を用いた断熱膜3は、球状や立方体状のフィラーを用いる場合と比べて、伝熱経路の長さが長くなり、熱伝導率を低くすることができる。

    セラミックス材料、および熱スイッチ
    2.
    发明专利
    セラミックス材料、および熱スイッチ 审中-公开
    陶瓷材料,和热开关

    公开(公告)号:JPWO2015030238A1

    公开(公告)日:2017-03-02

    申请号:JP2015534363

    申请日:2014-09-01

    Abstract: 温度によって伝熱性能を変化させることができるセラミックス材料、およびそれを用いた熱スイッチを提供する。セラミックス材料は、室温におけるフォノンの見かけの平均自由行程をLAMFP=(3×熱伝導率)/(熱容量×音速)で定義したとき、微構造の代表長さLaが0.1LAMFP≦La≦100LAMFPであり、熱伝導率が室温から100℃の間で単調に増加する。微構造の代表長さLaとは、母材に異種材料が分散した複合材料であれば異種材料粒子の粒子間隔、多孔体であれば気孔と気孔の間隔、多結晶体であれば結晶粒径(粒界と粒界の間隔)である。

    Abstract translation: 陶瓷材料可以由温度而变化的热传递性能,并提供了使用相同的热交换。 陶瓷材料,声子定义时意味着LAMFP =(3×热导率)的表观的/在室温(热容量×声速),微结构的代表长度La的自由路径是0.1LAMFP≦拉≦100LAMFP 性,导热性单调增加100℃从室温之间。 代表长度La的微观结构,如果复合材料不同的材料分散在异种材料的颗粒,所述孔和孔的距离的基体材料的颗粒间距如果多孔,结晶粒径如果多晶体 它是(晶界和晶界的间隔)。

    亜鉛空気二次電池
    3.
    发明专利
    亜鉛空気二次電池 有权
    锌空气二次电池

    公开(公告)号:JPWO2013073292A1

    公开(公告)日:2015-04-02

    申请号:JP2013544173

    申请日:2012-09-25

    Abstract: 亜鉛デンドライトによる正負極間の短絡及び二酸化炭素の混入の両方を防止することが可能な亜鉛空気二次電池が提供される。この亜鉛空気二次電池は、正極としての空気極12と、空気極の一面側に密着して設けられる、水酸化物イオン伝導性の無機固体電解質体14と、無機固体電解質体の空気極と反対側に設けられる、亜鉛又は亜鉛合金を含んでなる金属負極16と、金属負極が浸漬され、無機固体電解質体によって空気極と隔離されてなる電解液とを備えてなる。

    Abstract translation: 能够防止与锌枝晶和二氧化碳的污染的正电极和负电极之间的两个短路的锌 - 空气电池提供。 锌空气二次电池,作为正极的空气电极12,在紧密接触设置有空气极,氢氧根离子传导性无机固体电解质体14,所述无机固体电解质体的空气电极的一个表面上 被设置在相对侧上,包括锌或锌合金的金属阳极16,阳极金属浸渍,其包括由无机固体电解质体从阴极分离组成的电解液。

    Silicon carbide porous body and a method of manufacturing the same

    公开(公告)号:JP5292070B2

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:JP2008300742

    申请日:2008-11-26

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide porous silicon carbide having high strength even though having high porosity, having high heat conductivity and excellent thermal shock resistance and capable of being manufactured by sintering at a relatively low temperature. SOLUTION: The porous silicon carbide contains 1-30 mass% metal silicate and has a porosity of 38-80%. Preferably, the porous silicon carbide contains silicon carbide as a main component and the whole of the silicon carbide is a β-SiC. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Patent Agency Ranking