センサ素子
    2.
    发明专利
    センサ素子 审中-公开

    公开(公告)号:JP2018189571A

    公开(公告)日:2018-11-29

    申请号:JP2017093728

    申请日:2017-05-10

    Abstract: 【課題】Ptの拡散と、固体電解質層と絶縁層との熱膨張係数差に起因するクラックとを抑制したセンサ素子を提供する。 【解決手段】平板状センサ素子101のヒータ部70が、Ptを含むヒータエレメント72と、素子の基体部を構成する固体電解質4,6と異なる熱膨張係数を有する絶縁材料を90〜99.9wt%の重量比で含んでなる絶縁層74と、ヒータ電極71とを有し、ヒータ電極を除く部分が基体部に埋設されてなり、ヒータエレメントは厚みが10〜50μmであって絶縁層に覆われており、絶縁層は気孔率が4%以下であって厚みが50〜150μmであり、絶縁層と、素子長手方向における先端部との距離、素子厚み方向におけるヒータ電極が備わる主面との距離、素子幅方向における素子側面との距離がそれぞれ0.25〜0.75mm、0.20〜0.60mm、0.20〜0.60mmであり、素子の全長が80.0mm以下であるようにした。 【選択図】図1

    センサ素子
    3.
    发明专利
    センサ素子 审中-公开

    公开(公告)号:JP2018173362A

    公开(公告)日:2018-11-08

    申请号:JP2017072046

    申请日:2017-03-31

    CPC classification number: G01N27/4067 G01N27/4072

    Abstract: 【課題】Ptの拡散と、固体電解質層と絶縁層との熱膨張係数差に起因するクラックとを抑制して、センサ素子を長寿命化させたセンサ素子を提供する。 【解決手段】平板状センサ素子のヒータ部が、Ptを含むヒータエレメント72と、ヒータエレメントを覆う絶縁層74と、センサ素子の主面に露出するヒータ電極とを有し、ヒータ電極を除く部分が固体電解質からなる基体部に埋設されてなり、絶縁層が少なくともMgOとMgAl 2 O 4 とMg 4 Nb 2 O 9 と合計で97〜100wt%の重量比で含んでなり、MgO、MgAl 2 O 4 、およびMg 4 Nb 2 O 9 の重量比がそれぞれ30〜60wt%、30〜60wt%、0.5〜15wt%であり、絶縁層の気孔率が4%以下である、ようにした。 【選択図】図2

    セラミックス成形体の押出成形方法、セラミックス成形体及びセラミックス多孔体

    公开(公告)号:JP2017185799A

    公开(公告)日:2017-10-12

    申请号:JP2017061217

    申请日:2017-03-27

    Abstract: 【課題】高アスペクト比の粒子を含み、その粒子の長さ方向が、壁状又は板状の成形部位の厚さ方向とほぼ平行になるように配向したセラミックス成形体を成形可能な押出成形方法を提供する。 【解決手段】成形用の原料からセラミックス成形体を押出成形するためのスリット8が設けられており、スリット8が、前記押出成形における押出方向の上流側に位置するスリット前段部8aと、前記押出方向の下流側に位置するスリット後段部8bとを有し、前記スリット後段部8bの幅が、前記スリット前段部8aの幅の3〜27倍である押出成形用口金4を用い、アスペクト比が2以上300未満の粒子である第一粒子10を含む原料11が、押出成形用口金4のスリット前段部8aを通過してからスリット後段部8bを通過するように押し出すことにより、壁状又は板状の成形部位を有するセラミックス成形体を成形する、セラミックス成形体の押出成形方法。 【選択図】図3C

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