金属セラミック接合体、隔膜真空計、金属とセラミックとの接合方法、および、隔膜真空計の製造方法
    8.
    发明专利
    金属セラミック接合体、隔膜真空計、金属とセラミックとの接合方法、および、隔膜真空計の製造方法 审中-公开
    金属陶瓷接头,真空真空管,金属与陶瓷的接合方法,以及真空吸盘的制造方法

    公开(公告)号:JP2015129684A

    公开(公告)日:2015-07-16

    申请号:JP2014001418

    申请日:2014-01-08

    IPC分类号: G01L21/00 G01L9/00

    摘要: 【課題】接合物にひずみが生じることを抑えられる金属セラミック接合体、隔膜真空計、金属とセラミックとの接合方法、および、隔膜真空計の製造方法を提供する。 【解決手段】開口11aが筒端に形成された筒形状を有する基準容器11と、開口11aを塞ぐ板形状を有する隔膜と、釉薬から構成されて隔膜と基準容器11とを接合する接合層21と、基準容器11の外表面を構成して接合層21に覆われる導電層22であって、接合層21よりも電気伝導率が高い導電層22とを有する。さらに、基準容器11の表面のうち隔膜から離れた部位に位置する端子層23であって、隔膜と端子層23との間に接合層21が位置し、隔膜と端子層23との間の電圧を接合層21に印加できる端子層23と、を備える。 【選択図】図2

    摘要翻译: 要解决的问题:提供能够抑制接头材料,隔膜真空计,金属对陶瓷的接合方法以及隔膜真空计的制造方法的变形的金属陶瓷接头。解决方案:金属陶瓷 接头包括:具有在其气缸端具有开口11a的圆柱形的参考容器11; 具有阻挡开口11a的板状的隔膜; 由釉料制成的接合层21将隔膜连接到参考容器11; 并且形成参考容器11的外表面的导电层22被接合层21覆盖,并且具有比接合层21高的导电性。金属陶瓷接头还包括位于 参考容器11的与隔膜分离的表面的一部分。 接合层21位于隔膜和端子层23之间,并且隔膜和端子层23之间的电压可以施加到接合层21。