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公开(公告)号：JPWO2016039271A1
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：JP2016547418
申请日：2015-09-04
申请人： 日産化学工業株式会社
IPC分类号： H01M4/62 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/139 , H01M4/1391 , H01M4/1393
CPC分类号： H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/139 , H01M4/1391 , H01M4/1393 , H01M4/62
摘要： 【課題】電極活物質と導電助剤をバインダーにより集電体に被覆する際に、集電体に被覆された電極中の活物質が高密度になり、かつ、集電体との密着性が優れるようにするためのバインダーであり、それを含む電極形成材料、その電極形成材料を用いた電極の形成方法を提供する。【解決手段】集電体上に被覆される電極形成材料であって、該電極形成材料は電極活物質、及びバインダーを含み、該バインダーは、カルボキシル基含有多糖類、カルボキシル基含有多糖類とエポキシ化合物との反応生成物、又はそれらの組み合わせを含み、そして該バインダーの3質量%水性溶液において25℃で20〜1500mPa・sの範囲の粘度を有する、上記電極形成材料。カルボキシル基含有多糖類は、好ましくはカルボキシメチルセルロース、アルギン酸、又はその塩である。電極活物質としてリチウムコバルト複合酸化物、又はグラファイトを用いることができる。導電助剤として炭素原料を用いることができる。【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2013084664A1
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：JP2013548158
申请日：2012-11-12
申请人： 日産化学工業株式会社
发明人： 登喜男 西田 , 登喜男 西田 , 龍太 水落 , 龍太 水落 , 坂本 力丸 , 力丸 坂本 , 智久 山田 , 智久 山田 , 直樹 中家 , 直樹 中家 , 祐樹 高山 , 祐樹 高山
IPC分类号： C09K3/16 , C07C209/10 , C07C211/54
CPC分类号： C07C211/54 , C08G73/0266 , C08L79/02 , C09D179/02 , G03F1/00 , G03F7/093 , G03F7/11 , H01B1/128
摘要： 【課題】レジスト表面への塗布性に優れ、レジスト膜の帯電を防止できる帯電防止膜を形成するための組成物を提供する。【解決手段】下記式(1A)で表されるオリゴマー化合物及び水を含有する帯電防止膜形成組成物。(式中、R1は水素原子又は下記式(2)で表される基を表し、R2及びR3はそれぞれ独立に水素原子又は下記式(3)又は式(4)で表される基を表し、複数のRのうち少なくとも一つはスルホ基を表し、a及びbは2≦̸(a+b)≦̸6を満たす正の整数を表し、複数のxはそれぞれ独立に0乃至4の整数を表す。)(式中、nは1≦̸n
摘要翻译： 在抗蚀剂表面的优良的涂布性能，提供了用于形成抗静电膜，其能防止上述抗蚀剂膜的充电的组合物。 由下式（1A）表示的低聚化合物和含有水的形成抗静电膜的组合物。 （式中，R 1表示由氢原子或下述式（2）表示的基团，由R 2和R 3表示的基团各自独立地为氢原子或下述式（3）或式（4）， 至少多个R中的一个代表磺基，a和b是2 NLE;（A + b）＆NLE;表示满足6的正整数表示每个所述多个x独立地为0〜4的整数 。）（式中，n 1＆NLE; N <（A + b + 4）表示整数令人满意，A，b，R和X如在式（1A）中定义的，在各多个Y独立的 0至5的整数。）装置技术领域
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公开(公告)号：JPWO2015122296A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2015562782
申请日：2015-01-30
申请人： 日産化学工業株式会社
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： C09D133/12 , C08F220/14 , C08L33/14 , C08L101/00 , C08L101/04 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/30 , H01L21/0276 , C08F212/14
摘要： 【課題】エッチング工程によっても除去されない不要な残渣を生ずる原因となる、被膜の周辺部に生ずる縁だまりの低減された被膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】炭素数3乃至5のパーフルオロアルキル部分構造を有するポリマー及びオリゴマーを含む界面活性剤を含む、リソグラフィー工程に使用する膜形成組成物。パーフルオロアルキル部分構造の炭素数は4が良い。上記パーフルオロアルキル部分構造が更にアルキル部分構造を含んでいても良く、上記ポリマー及びオリゴマーは(メタ)アクリレートポリマー及びオリゴマーが良い。上記界面活性剤の含有量が膜形成組成物の全固形分の0.0001乃至1.5質量%である。膜形成組成物は更に塗膜樹脂を含み、該樹脂はノボラック樹脂、縮合エポキシ系樹脂、(メタ)アクリル樹脂、ポリエーテル系樹脂又はケイ素含有樹脂等である。形成された膜はレジスト下層膜又はレジスト上層膜として利用できる。【選択図】なし
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公开(公告)号：JPWO2015093323A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015553483
申请日：2014-12-05
申请人： 日産化学工業株式会社
IPC分类号： G03F7/11 , C08F220/26 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C09D133/06 , C09D133/066 , C09D133/14 , G03F7/2059 , H01L21/0271 , H01L21/0273 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/3088
摘要： 【課題】下地基板や電子線によって及ぼされる悪影響を低減して、ストレート形状の良好なレジストパターンを形成する電子線リソグラフィー用レジスト下層膜を提供する。【解決手段】ラクトン環を有する単位構造とヒドロキシ基を有する単位構造とを含むポリマーを含む電子線レジスト下層膜形成組成物である。ポリマーがラクトン(メタ)アクリレート、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート、及びフェニル(メタ)アクリレート又はベンジル(メタ)アクリレートを含むモノマー混合物を共重合して得られるポリマーである。電子線レジスト下層膜形成組成物を基板上に塗布し加熱し電子線レジスト下層膜を形成し、その上に電子線レジストを被覆し、この電子線レジスト下層膜と電子線レジストを被覆した基板に電子線を照射し、現像し、ドライエッチングにより基板上に画像を転写して集積回路素子を形成する半導体装置の製造方法である。【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2015019961A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015530858
申请日：2014-08-01
申请人： 日産化学工業株式会社
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/42 , H01L21/027
CPC分类号： C09D167/06 , C08G59/42 , C09D5/006 , G03F7/091 , H01L21/0276
摘要： 【課題】良好なレジスト形状が得られるフォーカス位置が広い範囲を有するレジスト下層膜を提供する。【解決手段】ジエポキシ基含有化合物(A)とジカルボキシル基含有化合物(B)との反応により得られる直鎖状ポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。該直鎖状ポリマーは、該ジエポキシ基含有化合物(A)又は該ジカルボキシル基含有化合物(B)由来の下記(1)、(2)、及び(3):【化1】で表される構造を有するものである。式(1)及び式(2)の構造をそれぞれ有する2種のジエポキシ基含有化合物(A)と、式(3)の構造を有するジカルボキシル基含有化合物(B)との反応により得られるポリマー、又は式(1)の構造を有するジエポキシ基含有化合物(A)と、式(2)及び式(3)の構造をそれぞれ有する2種のジカルボキシル基含有化合物(B)との反応により得られるポリマーを含むものが好ましい。【選択図】なし
摘要翻译： 焦点位置满意的抗蚀剂形状可以得到，以提供具有宽范围的抗蚀剂下层膜。 含二环氧化合物（A）和二羧基基团的化合物（B）和抗蚀剂下层膜形成含有通过反应获得的线性聚合物组合物。 线性聚合物，含从以下的（1），（2）和（3）化合物（A）或含有二羧基化合物（B）的二环氧：由[式1]表示的结构 它有一个。 含各自具有式结构的化合物的两个二环氧（1）和（2）和（A），其具有式的得到的聚合物的结构（3）（B），将反应二叔含有羧基的化合物， 或二环氧具有式（1）的结构的化合物和（a）中，由式的反应而得到的聚合物（2）和两个二羧基基团的基团的每一个具有式（3）（B）的结构的化合物 含有那些是优选的。 系统技术领域
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