公开(公告)号：JP2018142701A

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：JP2018027233

申请日：2018-02-19

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： ドウェイン ラボレイク ,  ダグラス レズニック

IPC: H01L21/027 ,  B32B9/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31111

Abstract: 【課題】存在するトポグラフィ変動の上に小さなパターンフィーチャを作成する方法を提供する。 【解決手段】平坦でない表面変動を有する表面を有する基板を準備し、第1下地層がその下地である基板の平坦でない表面変動に対応する平坦でない表面変動を有するように基板の上に第1下地層を配置し、第1下地層の上に第2平坦化層を配置することによって、基板の上にマルチスタック層を形成し、マルチスタック層の上にハードマスクを堆積させ、ハードマスクの上にパターン化された層を形成する。パターン化された層は、フィーチャを有する。マルチスタック層は、最小のフィーチャ崩壊で、50nm以下のフィーチャ寸法および2.5:1以上のアスペクト比を有する、1以上のエッチングされたフィーチャを維持するために十分な複合有効機械的剛性(Eeff)を有する。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP6137581B2

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：JP2016500251

申请日：2014-02-13

Applicant: インテル・コーポレーション

Inventor： シムセク−エゲ、ファトゥマ エー. ,  パラット、クリシュナ ケー.

IPC: H01L29/788 ,  H01L21/336 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/3088 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7926

公开(公告)号：JP6026375B2

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：JP2013181636

申请日：2013-09-02

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 大村 光広 ,  佐々木 俊行 ,  今村 翼 ,  松田 和久

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3088 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

公开(公告)号：JP2016035967A

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：JP2014158123

申请日：2014-08-01

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 辻田 好一郎 ,  荒井 禎

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/823828 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0642

Abstract: 【課題】露光装置の解像限界よりも小さい線幅で形成されたラインアンドスペース(L/S)パターンを部分的に除去するために有利な技術を提供する。 【解決手段】複数の第1開口を有する第1層を前記L/Sパターンの上に形成する第1形成工程と、前記複数の第1開口のうち前記L/Sパターンを部分的に除去するために用いる第1開口を露出させる第2開口を有する第2層を前記第1層の上に形成する第2形成工程と、前記第2開口と前記第1開口とを介して前記L/Sパターンを部分的に除去する除去工程と、を含み、前記複数の第1開口は、前記L/Sパターンにおける複数のライン上に配置され、1つのライン上における複数の第1開口は、前記L/Sパターンのピッチの2倍の間隔で当該ラインが伸びる方向に沿って配列し、且つ、隣り合う2つのラインのうち一方の第1開口の配列と他方の第1開口の配列は、前記方向に前記ピッチだけ互いにずれている。 【選択図】図6

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种有利于部分去除以比曝光装置的分辨率极限更小的线宽形成的线和空间（L / S）图案的技术。解决方案：图案形成方法包括第一 在L / S图案上形成具有多个第一开口的第一层的形成步骤;第二形成步骤，在第一层上形成具有第二开口的第二层，第二开口用于部分地去除L / S 露出多个第一开口的图案，以及通过第二开口和第一开口部分地去除L / S图案的去除步骤。 多个第一开口以L / S图形布置在多条线上，并且沿着线的延伸方向以与L / S图案的间距两倍的间隔布置一行的多个第一开口， 并且相邻两条线之一的第一开口的布置和其它第一开口的布置在上述方向上彼此相距仅仅是间距。选择的图示：图6

公开(公告)号：JP5857014B2

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：JP2013185847

申请日：2013-09-09

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 北川 浩隆 ,  後藤 雄一郎 ,  榎本 雄一郎

IPC: B29C59/02 ,  C08F2/48 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/031 ,  C08F2/44 ,  C08F2/48 ,  C09D11/101 ,  C09D11/30 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/027 ,  G03F7/0388 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  Y10T428/24355

公开(公告)号：JP2014157955A

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：JP2013028529

申请日：2013-02-18

Applicant: Hitachi Media Electoronics Co Ltd ,  株式会社日立メディアエレクトロニクス

Inventor： WASHITANI RYUTA ,  OGINO MASAHIKO ,  NAGASHIMA SHIRO ,  YABE AKIO ,  SUGITA MASAKI ,  MIYAUCHI AKIHIRO

IPC: H01L21/027 ,  B29C59/02

CPC classification number: H01L21/3088 ,  G11B5/746 ,  G11B5/855 ,  G11B5/865 ,  G11B7/263 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/0657

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To make a thickness of a residual film portion on a base material thinner and more uniform than before.SOLUTION: A fine structure formation method comprises: an oxide layer forming step of forming a metal oxide layer 3 on a surface of a metal thin film 2; a resin layer forming step of forming a photocurable resin layer 6 on a surface of the metal oxide layer 3 via a first adhesion layer 4 and a second adhesion layer 5; and a transfer step of transferring a fine structure form on a mold 7 by pressing the mold 7 against the photocurable resin layer 6 to the photocurable resin layer 6. A chemical compound of the first adhesion layer 4 is chemically bonded to the surface of the metal oxide layer or includes at least two hydrolyzable functional groups chemically bonded to a chemical compound of the second adhesion layer. The chemical compound of the second adhesion layer includes at least a hydrolyzable functional group chemically bonded to the chemical compound of the first adhesion layer 4 and a reactive functional group chemically bonded to a photocurable resin of the photocurable resin layer 6.

Abstract translation: 要解决的问题：使基材上的残留膜部分的厚度比以前更薄和更均匀。解决方案：精细结构形成方法包括：氧化物层形成步骤，在金属氧化物层3的表面上形成金属氧化物层3 金属薄膜2; 通过第一粘合层4和第二粘合层5在金属氧化物层3的表面上形成光固化性树脂层6的树脂层形成工序; 以及通过将模具7压靠在光固化树脂层6上而将模具7转印到光固化树脂层6上的转印步骤。第一粘合层4的化学化合物化学键合到金属表面 氧化物层或者包含化学键合到第二粘合层的化合物的至少两个可水解官能团。 第二粘合层的化合物至少包含与第一粘合层4的化合物化学键合的可水解官能团和与光固化树脂层6的光固化性树脂化学键合的反应性官能团。

公开(公告)号：JP5532217B2

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：JP2009501614

申请日：2007-05-14

Applicant: マイクロン テクノロジー, インク.

Inventor： エス． サンデュ，ガーテ

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3081 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  Y10T428/24058 ,  Y10T428/2995

公开(公告)号：JP2014099604A

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：JP2013223393

申请日：2013-10-28

Applicant: Imec ,  アイメックImec ,  Tokyo Electron Ltd ,  東京エレクトロン株式会社

Inventor： CHAN BOON TEIK ,  TAWARA SHIGERU

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3086 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3088 ,  H01L27/04 ,  H01L51/0014 ,  H01L51/0017

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a good pattern using a self-assembled block copolymer material.SOLUTION: A method for forming a pattern includes: a step of obtaining a self-assembled block copolymer layer (21) on a neutral layer (22'') overlying a substrate (23), the self-assembled block copolymer layer including at least two polymer components having mutually different etching resistances, and furthermore having a copolymer pattern structure formed by micro-phase separation of the at least two polymer components; a step of selectively etching a first polymer component of the self-assembled block copolymer layer (21) so that a second polymer component (24) remains; and a step (16) of applying plasma etching to the neutral layer (22'') using the second polymer component (24) as a mask. The plasma etching is performed using inert gas and H.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种使用自组装嵌段共聚物材料形成良好图案的方法。解决方案：形成图案的方法包括：在中性物质上获得自组装嵌段共聚物层（21）的步骤 层（22“），所述自组装嵌段共聚物层包含至少两种具有相互不同的抗蚀性的聚合物组分，并且还具有通过微相分离形成的共聚物图案结构的至少两个 聚合物组分; 选择性地蚀刻自组装嵌段共聚物层（21）的第一聚合物组分以使第二聚合物组分（24）残留的步骤; 以及使用第二聚合物组分（24）作为掩模将等离子体蚀刻施加到中性层（22“）的步骤（16）。 使用惰性气体和H进行等离子体蚀刻

公开(公告)号：JP5385551B2

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：JP2008137862

申请日：2008-05-27

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

Inventor： ディー ベンチャー クリストファー ,  啓治 堀岡

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

公开(公告)号：JP5303133B2

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：JP2007265983

申请日：2007-10-12

Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

Inventor： ▲火▼▲華▼ 田 ,  明哲 金 ,  ▲学▼善 李 ,  ▲斉▼愚 韓

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/947

Abstract: A method for forming fine patterns of a semiconductor device is disclosed. The method includes forming an etch film on a substrate, forming a protection film on the etch film, forming a hard mask layer on the protection film, and forming a plurality of first mask patterns characterized by a first pitch on the hard mask layer. The method further comprises forming a plurality of second mask patterns, forming hard mask patterns exposing portions of the protection film by etching the hard mask layer using the first and second mask patterns as an etch mask, and removing the first and second mask patterns. The method still further comprises exposing portions of the etch film and forming a plurality of fine patterns characterized by a second pitch equal to half of the first pitch by etching the etch film using at least the hard mask patterns as an etch mask.