太陽電池用ガラス基板
    3.
    发明专利
    太陽電池用ガラス基板 审中-公开
    玻璃基板用于太阳能电池

    公开(公告)号:JP2016222513A

    公开(公告)日:2016-12-28

    申请号:JP2015112373

    申请日:2015-06-02

    CPC classification number: Y02E10/541

    Abstract: 【課題】太陽光の吸収を高めるとともに、熱処理時や、熱処理後のガラス基板の変形やキズを防ぐ太陽電池用ガラス基板を提供する。 【解決手段】表面に、線状の凹部及び凸部が互いに平行に複数連続して凹凸形状が形成され、水平面に保持した状態で、一方の面における凸部の頂点S A 、S B 、S C 、及びS D をそれぞれ通る鉛直線と水平面との交点をP A 、P B 、P C 、及びP D とし、P A とP B の距離をd1、P C とP D の距離をd2、S A とP A の距離をh1、S B とP B の距離をh2、S C とP C の距離h3、S D とP D の距離をh4とし、d1、d2、h1〜h4の平均値が次の関係を満たす、太陽電池用ガラス基板。d1=1.00〜40.00mm,d2=1.00〜40.00mm,d1/d2=0.20〜5.00,|h1−h2|=0.10〜50.00μm,|h3−h4|=0.10〜50.00μm 【選択図】図1

    Abstract translation: A至增加的太阳光,热处理时间的吸收和用于太阳能电池,以防止在热处理后的变形和玻璃基板的划痕提供了一种玻璃基板。 A面,凹凸是由线性的凹和凸部分形成在彼此平行更加连续,同时保持在水平面上,所述凸部的在一个表面上的顶点SA,SB,SC,和 垂直线的交叉点,并通过SD通过分别PA,PB,PC的水平面,和一个PD,PA和PB距离d1,PC和PD距离d2,SA和H1的距离,在PA的SB和PB 距离h2,SC和PC距离H3,所述SD和PD和H4,D1,D2之间的距离,H1的平均值〜H4满足以下关系,用于太阳能电池的玻璃基板。 D1 = 1.00〜40.00毫米,D2 = 1.00〜40.00毫米,D1 / D2 = 0.20〜5.00,| H1-H2 | = 0.10〜50.00μm,| H3-H4 | = 0.10〜50.00μm点域1

    静電容量方式の指紋認証用センサを有する機材用のカバー部材、静電容量方式の指紋認証用センサユニットおよび機材
    4.
    发明专利
    静電容量方式の指紋認証用センサを有する機材用のカバー部材、静電容量方式の指紋認証用センサユニットおよび機材 审中-公开
    包括用于指纹认证的电容式传感器,用于指纹认证的电容式传感器单元的装置的盖子和装置

    公开(公告)号:JP2016167134A

    公开(公告)日:2016-09-15

    申请号:JP2015046009

    申请日:2015-03-09

    Abstract: 【課題】大面積でセンシング感度が良好な静電容量方式の指紋認証用センサを有する機材用のカバー部材を提供する。 【解決手段】比誘電率εを厚さtで除した値ε/tが3000m −1 以上400000m −1 以下であり、ビッカース硬度が98N/mm 2 以上19600N/mm 2 以下である静電容量方式の指紋認証用センサ34を有する機材用のカバー部材であり、比誘電率が3.0以上、ヤング率が2.0GPa以上499GPaである。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种用于包括用于指纹认证的电容式传感器的设备的盖构件,其具有大面积的高感测灵敏度。解决方案:在用于包括用于指纹的电容式传感器34的设备的盖构件中 通过将相对介电常数ε除以厚度t获得的值ε/ t为3000mV以上400000mV以下,维氏硬度为98N / mm以上且19600N / mm以下,相对介电常数为3.0以上 ,杨氏模量为2.0GPa以上至499GPa.SELECTED图:图2

    ガラス基板
    6.
    发明专利
    ガラス基板 审中-公开
    玻璃基板

    公开(公告)号:JP2016147792A

    公开(公告)日:2016-08-18

    申请号:JP2015026894

    申请日:2015-02-13

    Abstract: 【課題】耐酸性および強度が高く、より洗浄除去し易い硫酸塩保護膜を形成可能であるガラス基板を提供すること。 【解決手段】第一の基板表面を有し、ケイ素と、アルカリ金属と、アルカリ土類金属と、酸素と、を含み、ガラス転移温度が640℃以上であり、前記第一の基板表面から500nm以上5000nm以下のいずれかの深さにおける第一の水素イオン濃度をX[ppm]とし、前記第一の基板表面から40nm以上60nm以下のいずれかの深さにおける第二の水素イオン濃度をY[ppm]とした場合、Y/Xが3.0以上であって、90℃に維持された濃度1モル/リットルの希塩酸に20時間浸漬させる耐酸性試験を実施した時の溶出量が0.5mg/cm 2 以下であり、ビッカース硬度Hvが500以上である、ガラス基板。 【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题:为了提供一种玻璃基板,其上具有耐酸性高,强度高并且更容易清洁和去除的硫酸盐保护膜。玻璃基板:具有第一表面; 含有硅,碱金属,碱土金属和氧; 具有640℃以上的玻璃化转变温度; 当距离第一表面500-5000nm深度处的第一氢离子浓度定义为X [ppm],并且距离第一表面40-60nm的深度处的第二氢离子浓度定义为具有3.0或更大的Y / X 定义为Y [ppm]; 当进行这样的耐酸性试验时,将玻璃基板浸渍在保持在90℃,浓度为1摩尔/升的稀盐酸中20小时,表现出0.5mg / cm 3以下的洗脱量; 并具有500或更高的维氏硬度Hv.SELECTED DRAWING:无

    ガラス基板
    7.
    发明专利
    ガラス基板 有权
    玻璃基板

    公开(公告)号:JP2016145130A

    公开(公告)日:2016-08-12

    申请号:JP2015022958

    申请日:2015-02-09

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 【課題】ガラス基板を太陽電池用ガラス基板として用いる場合に、ガラス基板の面内のパターニングずれを小さくし、また、ガラス基板毎のパターニングずれのばらつきを小さくする。 【解決手段】少なくとも一辺の長さが500mm以上であり、300〜650℃の温度範囲内で少なくとも2段階の異なる熱処理温度で、各段階で60分〜2000分保持した後に、ガラス基板の一辺に対して平行な方向の熱収縮(C1)、及びこのガラス基板の一辺に対し垂直な方向の熱収縮(C2)が次の関係を満たす、ガラス基板である。 (C1−C2)/C1×100≦3、C1≦300ppmかつC1≧C2。 【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题:在使用玻璃基板作为太阳能电池的玻璃基板的情况下,为了减少玻璃基板的平面内的图案化偏差,并减少各玻璃基板的图案化偏差的变化。解决方案:提供玻璃 至少一边的长度为500mm以上的基材,其中,在300〜650℃的不同热处理温度的两个阶段的各阶段保持60〜2000分钟后, 与玻璃基板的一侧平行的方向和与玻璃基板的一侧垂直的方向的热收缩率(C2)满足以下关系:(C1-C2)/ C1×100≤3,C1≤300ppm, C1≥C2.SELECTED图:无

    ガラス基板、CIGS太陽電池、及びガラス基板の製造方法
    8.
    发明专利
    ガラス基板、CIGS太陽電池、及びガラス基板の製造方法 审中-公开
    玻璃基板,CIGS太阳能电池,制造玻璃基板的方法

    公开(公告)号:JP2016098133A

    公开(公告)日:2016-05-30

    申请号:JP2014235426

    申请日:2014-11-20

    CPC classification number: Y02E10/541

    Abstract: 【課題】光電変換層へのアルカリ金属成分の拡散量が両面において等しくなる太陽電池用ガラス基板の提供。 【解決手段】ガラス基板5に厚さ250nmのMo膜7を形成し、Cu/(Ga+In)比が0.88、Ga/(Ga+In)比が0.34であり厚さ1.7μmのCIGS層9を形成し、CIGS層9中の23Naの積分強度をNa拡散量とし、CIGS層9中の39Kの積分強度をK拡散量とし、基準ガラス基板のNa拡散量に対する、ガラス基板5のNa拡散量を相対Na拡散量とし、基準ガラス基板のK拡散量に対する、ガラス基板5のK拡散量を相対K拡散量とし、ガラス基板5の第一面の相対Na拡散量に対するガラス基板5の第二面の相対Na拡散量が0.65〜1.30であり、ガラス基板5の第一面の相対K拡散量に対するガラス基板5の第二面の相対K拡散量が0.65〜1.30であり、ガラス転移点が580℃以上である、ガラス基板。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种用于太阳能电池的玻璃基板,其中碱金属组分对光电转换层的扩散量在玻璃基板的两个表面中相等。解决方案:厚度为250nm的Mo膜7 形成在玻璃基板5上。形成Cu /(Ga + In)比为0.88,Ga /(Ga + In)比为0.34,厚度为1.7μm的CIGS层9。 将CIGS层9中的23 Na的积分强度定义为Na扩散量,将CIGS层9中的39K的积分强度定义为K扩散量,将玻璃基板5的Na扩散量与 将标准玻璃基板的Na扩散量定义为相对Na扩散量,将玻璃基板5的K扩散量与标准玻璃基板的K扩散量的比率定义为相对K扩散量。 玻璃基板5的第二面的相对Na扩散量与玻璃基板5的第一面的相对的Na扩散量的比例为0.65-1.30,第二面的相对K扩散量的比例 玻璃基板5的第一表面的相对K扩散量为0.65-1.30。 玻璃基板5的玻璃化转变点为580℃以上。选择图1:

    ガラス板
    9.
    发明专利
    ガラス板 审中-公开
    玻璃片

    公开(公告)号:JP2016084247A

    公开(公告)日:2016-05-19

    申请号:JP2014216314

    申请日:2014-10-23

    Abstract: 【課題】化合物太陽電池に使用されるガラス基板において高い発電効率、安価な製造コスト、板ガラス生産時の溶解性、成形性、失透防止の特性、取扱容易性等をバランスよく有する。 【解決手段】酸化物基準の質量百分率表示でSiO 2 を63〜75%、Al 2 O 3 を3〜12%、MgOを3〜10%、CaOを0.5〜10%、Na 2 Oを10〜18%、K 2 Oを0〜8%含有し、MgO/CaOが0.65以下であるガラス板。

    Abstract translation: 要解决的问题:为了在用于化合物半导体太阳能电池的玻璃基板上产生高发电效率,廉价的制造成本,玻璃板制造时的溶解性,成型性,防止失透性,处理容易性等的良好平衡。 解决方案:提供一种玻璃板,以质量百分数计,以氧化物计含有63〜75%的SiO,3〜12%的AlO,3〜10%的MgO,0.5〜10%的CaO,10〜18%的NaO, ,MgO / CaO为0〜8%的KO为0.65以下。

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