公开(公告)号：JP5622804B2

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：JP2012166823

申请日：2012-07-27

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 恒徳 鈴木 ,  恒徳 鈴木 ,  野村　亮二 ,  亮二 野村 ,  幹央 湯川 ,  幹央 湯川 ,  信晴 大澤 ,  信晴 大澤 ,  圭恵 森若 ,  圭恵 森若 ,  良信 浅見 ,  良信 浅見 ,  岳尚 佐藤 ,  岳尚 佐藤

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/105 ,  H01L27/28 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/08 ,  H05B33/22

CPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/78603

公开(公告)号：JP5568578B2

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：JP2012009572

申请日：2012-01-20

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 舜平 山崎 ,  雅一 村上 ,  亮二 野村 ,  哲史 瀬尾

IPC分类号： H05B33/10 ,  B41J2/04 ,  B41J2/14 ,  H01L51/00 ,  H01L51/40 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12

CPC分类号： H05B33/10 ,  B41J2/04 ,  B41J2/14201 ,  B41J2202/09 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/56

公开(公告)号：JP5486671B2

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：JP2012280731

申请日：2012-12-25

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 亮二 野村 ,  肇 徳永 ,  清 加藤

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/28 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC分类号： H01L27/1021

公开(公告)号：JP5401574B2

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：JP2012061508

申请日：2012-03-19

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 良信 浅見 ,  圭恵 森若 ,  真之 坂倉 ,  亮二 野村 ,  舜平 山崎

IPC分类号： H01L27/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L27/1082 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/34 ,  G11C13/0014 ,  G11C2213/79 ,  H01L23/4828 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/28 ,  H01L29/458 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device that can transmit and receive data without contact is popular partly as some railway passes, electronic money cards, and the like; however, it has been a prime task to provide an inexpensive semiconductor device for further popularization. In view of the above current conditions, a semiconductor device of the present invention includes a memory with a simple structure for providing an inexpensive semiconductor device and a manufacturing method thereof. A memory element included in the memory includes a layer containing an organic compound, and a source electrode or a drain electrode of a TFT provided in the memory element portion is used as a conductive layer which forms a bit line of the memory element.

公开(公告)号：JP5354884B2

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：JP2007268777

申请日：2007-10-16

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 亮二 野村 ,  貴章 永田 ,  直人 楠本

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L27/28 ,  H01L29/786 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/193 ,  H01L51/05 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an element structure in which defects are not easily generated, and to provide a semiconductor device having the same. SOLUTION: An element has a structure in which a layer containing an organic compound is interposed between a pair of electrode layers of a first electrode layer and a second electrode layer. At least one of the pair of the electrode layers has a Young's modulus of ≤7.5×10 10 N/m 2 . A layer containing an organic compound is formed using an organic compound appropriate to usage of an element to be formed, and a memory element, a light-emitting element, a piezoelectric element, or an organic transistor element is formed. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

公开(公告)号：JP5311712B2

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：JP2005376427

申请日：2005-12-27

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 晴恵 中島 ,  祥子 川上 ,  久味 小島 ,  亮二 野村 ,  信晴 大澤

IPC分类号： C07D209/88 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a luminescent substance resistant to repeated oxidation reaction, and to provide a light-emitting element resistant to repeated reductive reaction as well. SOLUTION: The luminescent substance is an anthracene derivative of the general formula(1)( wherein, R 1 is H or a 1-4C alkyl; R 2 is H, a 1-4C alkyl or 6-12C aryl; R 3 is H, a 1-4C alkyl or 6-12C aryl; Ph 1 is phenyl; and X 1 is a 6-15C arylene group ). COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

公开(公告)号：JP5272092B2

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：JP2012093976

申请日：2012-04-17

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 恒徳 鈴木 ,  亮二 野村 ,  幹央 湯川 ,  信晴 大澤 ,  圭恵 森若 ,  良信 浅見 ,  岳尚 佐藤

IPC分类号： H05B33/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/28 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22

CPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/78603

摘要： It is an object of the present invention to manufacture, with high yield, semiconductor devices in each of which an element which has a layer containing an organic compound is provided over a flexible substrate. A method for manufacturing a semiconductor device includes: forming a separation layer over a substrate; forming an element-forming layer by forming an inorganic compound layer, a first conductive layer, and a layer containing an organic compound over the separation layer, and forming a second conductive layer which is in contact with the layer containing an organic compound and the inorganic compound layer; and after attaching a first flexible substrate over the second conductive layer, separating the separation layer and the element-forming layer at the separation layer.

公开(公告)号：JP5230119B2

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：JP2007118045

申请日：2007-04-27

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 舜平 山崎 ,  清 加藤 ,  亮二 野村

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

公开(公告)号：JP5177976B2

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：JP2006223962

申请日：2006-08-21

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 恒徳 鈴木 ,  亮二 野村 ,  幹央 湯川 ,  信晴 大澤 ,  圭恵 高野 ,  良信 浅見 ,  岳尚 佐藤

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/10 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

公开(公告)号：JP5008323B2

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：JP2006074366

申请日：2006-03-17

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 真之 坂倉 ,  舜平 山崎 ,  良信 浅見 ,  亮二 野村 ,  圭恵 高野

IPC分类号： H01L51/05 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L27/10 ,  H01L27/28 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L2924/0002 ,  H01L2924/00