公开(公告)号：JP2018157225A

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：JP2018114526

申请日：2018-06-15

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 浅見 良信 ,  森若 圭恵 ,  坂倉 真之 ,  野村 亮二 ,  山崎 舜平

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1082 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/34 ,  G11C13/0014 ,  G11C2213/79 ,  H01L23/4828 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/28 ,  H01L29/458 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】非接触でデータの送受信が可能な半導体装置は、鉄道乗車カードや電子マネーカ ードなどの一部では普及しているが、さらなる普及のためには、安価な半導体装置を提供 することが急務の課題であった。上記の実情を鑑み、単純な構造のメモリを含む半導体装 置を提供して、安価な半導体装置及びその作製方法の提供を課題とする。 【解決手段】有機化合物を含む層を有するメモリとし、メモリ素子部に設けるTFTのソ ース電極またはドレイン電極をエッチングにより加工し、メモリのビット線を構成する導 電層とする。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6117282B2

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：JP2015129552

申请日：2015-06-29

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 齋藤 利彦

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L29/7869 ,  G11C11/404 ,  G11C11/565 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1082 ,  H01L28/86

公开(公告)号：JP2014209666A

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：JP2014160048

申请日：2014-08-06

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  Semiconductor Energy Lab Co Ltd

发明人： ASAMI YOSHINOBU ,  MORIWAKA YOSHIE ,  SAKAKURA MASAYUKI ,  NOMURA RYOJI ,  YAMAZAKI SHUNPEI

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1082 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/34 ,  G11C13/0014 ,  G11C2213/79 ,  H01L23/4828 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/28 ,  H01L29/458 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】非接触でデータの送受信が可能な半導体装置は、鉄道乗車カードや電子マネーカードなどの一部では普及しているが、さらなる普及のためには、安価な半導体装置を提供することが急務の課題であった。上記の実情を鑑み、単純な構造のメモリを含む半導体装置を提供して、安価な半導体装置及びその作製方法の提供を課題とする。【解決手段】有機化合物を含む層を有するメモリとし、メモリ素子部に設けるTFTのソース電極またはドレイン電極をエッチングにより加工し、メモリのビット線を構成する導電層とする。【選択図】図2

摘要翻译： 要解决的问题：为了提供一种廉价的包括简单结构化存储器的半导体器件及其制造方法，鉴于以下情况：提供能够无接触地发送和接收数据的便宜的半导体器件已成为进一步的问题 除了用于铁路票卡和电子现金等之外，装置的扩散。解决方案：存储器包括含有有机化合物的层，并且包含在存储器的位线中的导电层通过蚀刻源电极 或用于存储元件部分的TFT的漏电极。

公开(公告)号：JP5401574B2

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：JP2012061508

申请日：2012-03-19

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 良信 浅見 ,  圭恵 森若 ,  真之 坂倉 ,  亮二 野村 ,  舜平 山崎

IPC分类号： H01L27/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L27/1082 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/34 ,  G11C13/0014 ,  G11C2213/79 ,  H01L23/4828 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/28 ,  H01L29/458 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device that can transmit and receive data without contact is popular partly as some railway passes, electronic money cards, and the like; however, it has been a prime task to provide an inexpensive semiconductor device for further popularization. In view of the above current conditions, a semiconductor device of the present invention includes a memory with a simple structure for providing an inexpensive semiconductor device and a manufacturing method thereof. A memory element included in the memory includes a layer containing an organic compound, and a source electrode or a drain electrode of a TFT provided in the memory element portion is used as a conductive layer which forms a bit line of the memory element.

公开(公告)号：JP2012129512A

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：JP2011253400

申请日：2011-11-21

申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd ,  株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： SAITO TOSHIHIKO

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1082 ,  G11C11/401 ,  G11C11/404 ,  G11C11/4096 ,  H01L21/84 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L29/7869

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To increase storage capacity of a memory module per unit area, and to provide a memory module with small power consumption.SOLUTION: The use of a transistor composed of, for example, an oxide semiconductor film, a silicon carbide film, and a gallium nitride film that are highly purified and have a band gap of 2.5 eV or more for a DRAM extends the retention period of potential of capacitors. Additionally, a memory cell has n capacitors each having a different capacitance and the n capacitors are connected to different n data lines, so that various retention volume can be set.

摘要翻译： 要解决的问题：为了增加每单位面积的存储器模块的存储容量，并提供具有小功耗的存储器模块。 解决方案：使用由例如氧化物半导体膜，碳化硅膜和氮化镓膜组成的晶体管，其对于DRAM而言是高纯度且具有2.5eV或更大带隙的带隙， 电容器的电位保持期。 此外，存储单元具有n个电容器，每个电容器具有不同的电容，并且n个电容器连接到不同的n个数据线，从而可以设置各种保持量。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010183088A

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：JP2010046236

申请日：2010-03-03

申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd ,  株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： ASAMI YOSHINOBU ,  MORIWAKA YOSHIE ,  SAKAKURA MASAYUKI ,  NOMURA RYOJI ,  YAMAZAKI SHUNPEI

IPC分类号： H01L27/28 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L27/10 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L27/1082 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/34 ,  G11C13/0014 ,  G11C2213/79 ,  H01L23/4828 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/28 ,  H01L29/458 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive semiconductor device capable of transmitting/receiving data without contact, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device. SOLUTION: A TFT which is an element for controlling a current flowing into an organic compound layer 20b of a memory cell, first electrode layers 18a to 18c which are bit lines, source lines 17a to 17c, a second electrode layer 21, and a lamination layer which contains an organic compound between the first electrode layers 18a to 18c and the second electrode layer 21 (the lamination layer of a first layer (buffer layer 20a) and a second layer (organic compound layer 20b)) are provided on a substrate 32. The organic compound layer 20b is provided with a layer comprising an organic compound material having conducting properties by a single layer or a lamination layer structure. As a specific example of the organic compound material having conducting properties, a material having carrier transport characteristics can be used. An antenna 30 is formed on a connection electrode 28 and an electrode 29 of an integrated circuit part. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

摘要翻译： 解决的问题：提供能够不接触地发送/接收数据的便宜的半导体器件，并提供半导体器件的制造方法。 解决方案：作为用于控制流入存储单元的有机化合物层20b的电流的元件的TFT，作为位线的第一电极层18a至18c，源极线17a至17c，第二电极层21， 以及在第一电极层18a至18c和第二电极层21（第一层（缓冲层20a）的层压层和第二层（有机化合物层20b））之间包含有机化合物的层压层设置在 有机化合物层20b设置有包含通过单层或层压层结构具有导电性质的有机化合物材料的层。 作为具有导电性的有机化合物的具体例，可以使用具有载流子传输特性的材料。 天线30形成在集成电路部分的连接电极28和电极29上。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2006507671A

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：JP2004552391

申请日：2003-11-12

申请人： インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

发明人： ルドルフ ストラッサー， ,  マティアス ヒルレマン，

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/102 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/0214 ,  H01L27/1082 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/1087

摘要： 本発明は、電界効果トランジスタ構造、それに関連した半導体記憶セル、および、それに対応した生成方法に関する。 半導体基板（１）に、ダイオードドーピング領域（４）が電界効果トランジスタ構造（Ｓ／Ｄ、３、Ｋ）によって実現され、ダイオード（Ｄ）を形成するために、導電的なダイオード接続層（５）は、電界効果トランジスタ構造の制御層（３）をダイオードドーピング領域（４）に接続する。 それにより、望ましくないボディ効果が妨げられるように、半導体基板（１）における過剰な荷電キャリア（Ｌ）を除去することができる。

公开(公告)号：JP6385819B2

公开(公告)日：2018-09-05

申请号：JP2014263970

申请日：2014-12-26

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山元 良高 ,  加藤 清

IPC分类号： G11C11/56 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786 ,  G11C11/405

CPC分类号： G11C5/14 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C8/16 ,  G11C11/24 ,  G11C11/405 ,  G11C11/4087 ,  G11C11/409 ,  G11C11/565 ,  G11C2207/108 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/1082 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10858 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：JP6162834B2

公开(公告)日：2017-07-12

申请号：JP2016021996

申请日：2016-02-08

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 齋藤 利彦

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/786 ,  G11C11/404 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/1082 ,  G11C11/401 ,  G11C11/404 ,  G11C11/4096 ,  H01L21/84 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L29/7869 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10873

公开(公告)号：JP2013161878A

公开(公告)日：2013-08-19

申请号：JP2012021073

申请日：2012-02-02

申请人： Renesas Electronics Corp ,  ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： SUNAMURA JUN ,  INOUE HISAYA ,  KANEKO TAKAAKI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/00 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L23/53228 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/101 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1082 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device including two transistors which can be easily manufactured ane which have characteristics different from each other.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a substrate; a multilayer wiring layer provided on the substrate; a transistor 14 provided in the multilayer wiring layer; and a transistor 15 which is provided in a layer different from a layer where the transistor 14 is provided and which has characteristics different from those of the transistor 14. Accordingly, a semiconductor device including two transistors which can be easily manufactured and which have characteristics different from each other can be provided.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种半导体器件，其包括两个可以容易地制造具有彼此不同的特性的晶体管。解决方案：半导体器件包括：衬底; 设置在所述基板上的多层布线层; 设置在多层布线层中的晶体管14; 以及晶体管15，其设置在与提供晶体管14的层不同的层中，其具有与晶体管14不同的特性。因此，包括两个晶体管的半导体器件，其可以容易地制造并且具有不同的特性 可以互相提供。