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    半導体装置の作製方法
    1.
    发明专利
    半導体装置の作製方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021168399A

    公开(公告)日：2021-10-21

    申请号：JP2021104971

    申请日：2021-06-24

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 及川 欣聡 ,  岡崎 健一 ,  丸山 穂高

    IPC: H01L29/786 ,  H05B33/10 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L21/336

    Abstract: 【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置 を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく 作製することを課題の一とする。 【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタ を有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜を形成す る。酸化物半導体層を減圧されたチャンバー内に導入後、窒素雰囲気下で加熱処理工程、 プラズマ(少なくとも酸素プラズマを含む)の導入工程を行い、成膜ガスを導入して酸化 物絶縁膜を形成する。 【選択図】図1

    発光装置
    3.
    发明专利
    発光装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021152655A

    公开(公告)日：2021-09-30

    申请号：JP2021064190

    申请日：2021-04-05

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 江口 晋吾 ,  及川 欣聡 ,  岡崎 健一 ,  丸山 穂高

    IPC: G09F9/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/02 ,  H01L27/32 ,  H05B33/12 ,  H05B33/28 ,  G02B5/20 ,  G09F9/30

    Abstract: 【課題】発光装置の信頼性を向上することを課題の一とする。酸化物半導体膜を用いる薄 膜トランジスタを有する発光装置に可撓性を付与することを課題の一つとする。 【解決手段】同一可撓性基板上に駆動回路用薄膜トランジスタを含む駆動回路部と、画素 用薄膜トランジスタを含む画素部とを有する発光装置であり、駆動回路用薄膜トランジス タ及び画素用薄膜トランジスタは、酸化物絶縁層と一部接する酸化物半導体層を含む逆ス タガ型の薄膜トランジスタである。画素部において酸化物絶縁層上にカラーフィルタ層と 発光素子が設けられ、駆動回路用薄膜トランジスタにおいて、酸化物絶縁層上にゲート電 極層及び酸化物半導体層と重なる導電層が設けられる。なお、ゲート電極層、ソース電極 層及びドレイン電極層は金属導電膜を用いる。 【選択図】図1

    半導体装置、および半導体装置の作製方法
    4.
    发明专利
    半導体装置、および半導体装置の作製方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2019145813A1

    公开(公告)日：2021-01-07

    申请号：JPIB2019050254

    申请日：2019-01-14

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  岡崎 健一 ,  及川 欣聡

    IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786

    Abstract: オン電流が大きい半導体装置を提供する。第1の酸化物と、第1の酸化物上の第2の酸化物と、第2の酸化物上の第3の酸化物と、第3の酸化物上の第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の導電体と、第2の酸化物の上面の一部、第2の酸化物の側面の一部、および第3の酸化物の側面の一部と接する第2の絶縁体と、第2の絶縁体上の第3の絶縁体と、第3の酸化物の上面、第1の絶縁体の上面、導電体の上面、および第3の絶縁体の上面と接する第4の絶縁体を有し、第2の酸化物は、第1の領域、第2の領域、および第1の領域と第2の間に位置する第3の領域を有し、導電体は、第3の領域と重畳するように、第3の領域の上方に設けられ、第3の酸化物の一部、および第1の絶縁体の一部は、導電体の側面と、第3の絶縁体の側面の間に設けられ、第2の絶縁体は、第1の領域、および第2の領域と接する半導体装置。

    半導体装置
    7.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020077887A

    公开(公告)日：2020-05-21

    申请号：JP2020020553

    申请日：2020-02-10

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 三宅 博之 ,  及川 欣聡 ,  鈴木 幸恵

    IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

    Abstract: 【課題】開口率が高く、且つ容量値を増大させることが可能な容量素子を有する半導体装 置を提供する。また、製造コストが低い半導体装置を提供する。 【解決手段】第1の酸化物半導体膜と、第2の酸化物半導体膜とを含むトランジスタと、 一対の電極間に絶縁膜を含む容量素子と、を有する半導体装置であって、トランジスタは 、第1の酸化物半導体膜と、第1の酸化物半導体膜に接して設けられたゲート絶縁膜と、 ゲート絶縁膜に接して設けられ、第1の酸化物半導体膜と重畳する位置に設けられた第2 の酸化物半導体膜と、第1の酸化物半導体膜に接続されたソース電極及びドレイン電極と 、を有し、容量素子の一対の電極の一方が、第2の酸化物半導体膜と同一表面上に設けら れる。 【選択図】図1

    半導体装置
    8.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020060769A

    公开(公告)日：2020-04-16

    申请号：JP2019217839

    申请日：2019-12-02

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 及川 欣聡 ,  岡崎 健一

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/02 ,  G09F9/30

    Abstract: 【課題】開口率が高く、且つ電荷容量を増大させることが可能な容量素子を有する表示装 置を提供する。また、画素部の透過率が高く、且つ電荷容量を増大させることが可能な容 量素子を有する表示装置を提供する。また、消費電力の低い表示装置を提供する。 【解決手段】チャネル形成領域に第1の酸化物半導体膜を有するトランジスタと、第1の 酸化物半導体膜と同一表面上に形成される第2の酸化物半導体膜と、トランジスタと電気 的に接続される画素電極と、一対の電極間に誘電体膜が挟持された透光性を有する容量素 子と、を有し、一対の電極の一方が第2の酸化物半導体膜であり、一対の電極の他方が画 素電極であり、第2の酸化物半導体膜の膜厚が、第1の酸化物半導体膜の膜厚よりも薄い 。 【選択図】図3

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