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    表示装置
    4.
    发明专利
    表示装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021061405A

    公开(公告)日：2021-04-15

    申请号：JP2020195944

    申请日：2020-11-26

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  津吹 将志 ,  野田 耕生

    IPC: H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/12 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

    Abstract: 【課題】論理回路の誤作動を防止し、消費電力を低減する半導体装置を提供する。 【解決手段】インバータは、チャネル形成領域が酸化物半導体によって構成された薄膜トランジスタ11〜14と、薄膜トランジスタ14がオフすることによって、一方の端子の電位が浮遊状態となる容量素子15とを有する。酸化物半導体は、水素濃度が5×10 19 (atoms/cm 3 )以下であり、電界が発生していない状態においては、実質的に絶縁体として機能する。そのため、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することができる。これにより、容量素子に蓄積された電荷の薄膜トランジスタを介したリークを抑制することができる。その結果、論理回路の誤動作を防止することができる。また、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することにより、論理回路内に流れる無駄な電流を低減することができる。これにより、論理回路の消費電力を低減することができる。 【選択図】図1

    半導体装置
    5.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021016001A

    公开(公告)日：2021-02-12

    申请号：JP2020188516

    申请日：2020-11-12

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 野田 耕生 ,  山崎 舜平 ,  本田 達也 ,  関根 祐輔 ,  戸松 浩之

    IPC: H01L29/786 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/336

    Abstract: 【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性 を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用い、 これまで実現が困難であった高性能の半導体装置を提供する。 【解決手段】トランジスタに、インジウム、スズ、亜鉛およびアルミニウムから選ばれた 二種以上、好ましくは三種以上の元素を含む酸化物半導体膜を用いる。該酸化物半導体膜 は、基板加熱しつつ成膜する。また、トランジスタの作製工程において、近接の絶縁膜ま たは/およびイオン注入により酸化物半導体膜へ酸素が供給され、キャリア発生源となる 酸素欠損を限りなく低減する。また、トランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜 を高純度化し、水素濃度を極めて低くする。 【選択図】図1

    半導体装置
    6.
    发明专利
    半導体装置 有权

    公开(公告)号：JP2021013038A

    公开(公告)日：2021-02-04

    申请号：JP2020175154

    申请日：2020-10-19

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 野村 真澄 ,  野田 耕生

    IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

    Abstract: 【課題】新規な半導体装置、または消費電力の低い半導体装置、または面積の縮小が可能 な半導体装置の提供する。 【解決手段】内部回路と、入出力端子と、信号線と、電源線と、抵抗部と、第1のトラン ジスタと、制御信号生成回路と、を有し、内部回路は、信号線を介して入出力端子と電気 的に接続され、第1のトランジスタの第1の端子は、電源線と電気的に接続され、第1の トランジスタの第2の端子は、抵抗部の第1の端子と電気的に接続され、抵抗部の第2の 端子は、信号線と電気的に接続され、制御信号生成回路は、第1のトランジスタのゲート と電気的に接続され、抵抗部および第1のトランジスタは、酸化物半導体を有する。 【選択図】図1

    トランジスタ
    10.
    发明专利
    トランジスタ 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020167426A

    公开(公告)日：2020-10-08

    申请号：JP2020100882

    申请日：2020-06-10

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 遠藤 佑太 ,  野田 耕生

    IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/02 ,  H01L29/786

    Abstract: 【課題】安定した電気特性を有するトランジスタを提供する。または、非導通時の電流の 小さいトランジスタを提供する。または、導通時の電流の大きいトランジスタを提供する 。または、当該トランジスタを有する半導体装置を提供する。または、丈夫な半導体装置 を提供する。 【解決手段】過剰酸素を有する第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の半導体と、半導体上の 第2の絶縁体と、第2の絶縁体を介して半導体と重なる領域を有する導電体と、を有し、 第1の絶縁体と半導体との間に、ホウ素またはリンを含む領域を有する半導体装置である 。 【選択図】図1

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