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公开(公告)号:JPWO2016035493A1
公开(公告)日:2017-06-22
申请号:JP2016546386
申请日:2015-08-03
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
Abstract: 本発明は、電子顕微鏡における試料のその場観察において、従来よりも安全に、かつ、より効率的にガスの取り扱い操作を行うことが可能な装置を提供することを目的とする。試料(13)を保持する試料ホルダ(6)と、当該試料(13)が保持された試料ホルダ(6)を格納する真空の試料室(12)と、当該保持された試料(13)に電子線を照射する電子源(2)と、当該電子線の照射によって前記試料から得られる信号を検出する検出器と、を有する鏡体と、前記鏡体内にガスを導入するガス供給部と、を備え、前記ガス供給部は、小型のガス容器(16(a、b、c))を収納するガス収容器納部(11a)と、当該ガス容器収納部(11a)に収納されたガス容器内のガスを、前記真空の試料室内に保持された試料を少なくとも含む領域に導入するガス導入ノズル(14)と、を有し、前記ガス容器収納部(11a)は、前記鏡体の外であって、かつ前記試料が保持された位置の近傍に配置されることを特徴とする装置を提供する。
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公开(公告)号:JPWO2016006375A1
公开(公告)日:2017-04-27
申请号:JP2016532502
申请日:2015-06-08
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01J37/22
CPC classification number: H01J37/22 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J37/295 , H01J2237/20207 , H01J2237/2802
Abstract: 試料や結晶方位の種類にかかわらず、熟練者でなくても、スループット良く、かつ高精度に結晶方位を合わせ、試料を観察することができる装置、方法を提供する。本発明では、表示部(13)に表示された電子線回折パターン(22b)における回折スポットの輝度分布に基づいて、メインスポット(23)が円周上に位置するように重ね合わせて表示されるフィッティング用の円形状パターン(26)を設定し、当該表示された円形状パターン(26)の中心位置(27)を始点とし、円形状パターン(26)の円周上に位置するメインスポット(23)の位置を終点として表示されるベクトル(28)を設定し、当該表示されたベクトル(28)の向き、及び大きさに基づいて、結晶方位合わせを実行する。これにより、試料や結晶方位の種類にかかわらず、熟練者でなくても、スループット良く、かつ高精度に結晶方位を合わせ、試料を観察することができる。
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公开(公告)号:JPWO2012147632A1
公开(公告)日:2014-07-28
申请号:JP2013512317
申请日:2012-04-20
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
CPC classification number: H01J37/20 , H01J37/26 , H01J2237/006 , H01J2237/2003 , H01J2237/2065
Abstract: 本発明の電子顕微鏡用試料保持装置(80)は、上部隔膜保持部(20)、試料保持プレート(30)及び下部隔膜保持部(40)の3つの部品を組み立てることによって形成された試料保持アセンブリ(10)と、該試料保持アセンブリを交換可能に保持する保持部(80A)と、を有する。試料保持アセンブリは、上部隔膜保持部の隔膜(25)と下部隔膜保持部の隔膜(45)の間に形成されたセル(15)と、該セルに接続された流路(49a)を有し、試料保持プレートの突起部(31)に装着された試料(61)がセル内に配置されるように構成されている。上部隔膜保持部の隔膜、試料、及び、下部隔膜保持部の隔膜は、電子線の光軸(11)に沿って配置される。これにより、ガス、液体などの特殊雰囲気中における顕微鏡観察において、特定箇所の観察が容易に行え、かつ、観察ごとに隔膜の交換等の作業が不要な電子線顕微鏡用試料保持装置を提供できるようになった。
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公开(公告)号:JP4534235B2
公开(公告)日:2010-09-01
申请号:JP2007190890
申请日:2007-07-23
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ , 株式会社日立製作所
IPC: G01N23/04
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To observe the phenomenon generated within a device by directly applying voltage at a specific position within an LSI with design dimensions of about 0.1 μm. SOLUTION: This method comprises, in addition to a process for processing arbitrary area of an object sample into a fine sample piece by using charged particle beam and extracting the sample piece, a process for attaching fine conductors 30a and 30b to the extracted fine sample piece 72, and a process for applying voltage to the attached fine conductors. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
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公开(公告)号:JP5124507B2
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:JP2009032124
申请日:2009-02-16
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
CPC classification number: H01J37/20 , H01J2237/006 , H01J2237/2002 , H01J2237/2003 , H01J2237/2004
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公开(公告)号:JP4988175B2
公开(公告)日:2012-08-01
申请号:JP2005201035
申请日:2005-07-11
Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01J37/20
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公开(公告)号:JP4850654B2
公开(公告)日:2012-01-11
申请号:JP2006287206
申请日:2006-10-23
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
CPC classification number: H01J37/20 , H01J37/16 , H01J37/26 , H01J37/3056 , H01J2237/006 , H01J2237/2001 , H01J2237/2002 , H01J2237/204 , H01J2237/2065 , H01J2237/2067 , H01J2237/31749
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公开(公告)号:JP5560246B2
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:JP2011185444
申请日:2011-08-29
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G01B15/00 , G01N1/00 , G01N1/28 , G01N23/04 , G01N23/225 , H01J37/20 , H01J37/22 , H01J37/26 , H01J37/28
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a standard sample for charged particle beam and a charged particle beam device using the same, allowing measurement of fine dimensions of an image in a submicrometer to tens of micrometers in high accuracy in TEM and/or STEM for observation by using electrons transmitted through a sample, or SEM.SOLUTION: A standard sample for charged particle beam includes different two samples for calibration concerning magnification ratios or dimensions and a charged particle beam device uses the standard sample for charged particle beam.
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