Sample analysis method
    1.
    发明专利

    公开(公告)号:JP4534235B2

    公开(公告)日:2010-09-01

    申请号:JP2007190890

    申请日:2007-07-23

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To observe the phenomenon generated within a device by directly applying voltage at a specific position within an LSI with design dimensions of about 0.1 μm. SOLUTION: This method comprises, in addition to a process for processing arbitrary area of an object sample into a fine sample piece by using charged particle beam and extracting the sample piece, a process for attaching fine conductors 30a and 30b to the extracted fine sample piece 72, and a process for applying voltage to the attached fine conductors. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

    Thin film sample preparation method and system

    公开(公告)号:JP3488075B2

    公开(公告)日:2004-01-19

    申请号:JP2600998

    申请日:1998-02-06

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film sample preparing method and its system which are suitable for preparing, with high processing accuracy, a chin film sample to be observed by an electron microscope. SOLUTION: In an electron microscope constituting an electron beam device 1, a stereoscopic image based on secondary electrons or the like is displayed on a scanned image observation device 5, the distance from the surface of a sample to an inside objective position thereof is measured by an image processing device 7, and the measured distance is memorized in a CPU 6. The memorized value is input to a CPU 8 through a communications line and is memorized therein. The sample is set on a convergent ion beam device 2 and the detection and correction of the position of the sample is performed by displaying its secondary electron image by the aid of converged ion beam irradiation and thereafter, the sample is processed by using a converged ion beam based on the memorized value in the CPU 8. The processing is carried out from both sides of the sample separately, and thereby, a thin film sample located at the objective position is prepared.

    電子線装置および電子線装置用ガス供給装置

    公开(公告)号:JPWO2016035493A1

    公开(公告)日:2017-06-22

    申请号:JP2016546386

    申请日:2015-08-03

    CPC classification number: H01J37/20 H01J37/26

    Abstract: 本発明は、電子顕微鏡における試料のその場観察において、従来よりも安全に、かつ、より効率的にガスの取り扱い操作を行うことが可能な装置を提供することを目的とする。試料(13)を保持する試料ホルダ(6)と、当該試料(13)が保持された試料ホルダ(6)を格納する真空の試料室(12)と、当該保持された試料(13)に電子線を照射する電子源(2)と、当該電子線の照射によって前記試料から得られる信号を検出する検出器と、を有する鏡体と、前記鏡体内にガスを導入するガス供給部と、を備え、前記ガス供給部は、小型のガス容器(16(a、b、c))を収納するガス収容器納部(11a)と、当該ガス容器収納部(11a)に収納されたガス容器内のガスを、前記真空の試料室内に保持された試料を少なくとも含む領域に導入するガス導入ノズル(14)と、を有し、前記ガス容器収納部(11a)は、前記鏡体の外であって、かつ前記試料が保持された位置の近傍に配置されることを特徴とする装置を提供する。

    電子顕微鏡、及び、試料の観察方法

    公开(公告)号:JPWO2016006375A1

    公开(公告)日:2017-04-27

    申请号:JP2016532502

    申请日:2015-06-08

    Abstract: 試料や結晶方位の種類にかかわらず、熟練者でなくても、スループット良く、かつ高精度に結晶方位を合わせ、試料を観察することができる装置、方法を提供する。本発明では、表示部(13)に表示された電子線回折パターン(22b)における回折スポットの輝度分布に基づいて、メインスポット(23)が円周上に位置するように重ね合わせて表示されるフィッティング用の円形状パターン(26)を設定し、当該表示された円形状パターン(26)の中心位置(27)を始点とし、円形状パターン(26)の円周上に位置するメインスポット(23)の位置を終点として表示されるベクトル(28)を設定し、当該表示されたベクトル(28)の向き、及び大きさに基づいて、結晶方位合わせを実行する。これにより、試料や結晶方位の種類にかかわらず、熟練者でなくても、スループット良く、かつ高精度に結晶方位を合わせ、試料を観察することができる。

    電子顕微鏡用試料保持装置及び電子顕微鏡装置

    公开(公告)号:JPWO2012147632A1

    公开(公告)日:2014-07-28

    申请号:JP2013512317

    申请日:2012-04-20

    Abstract: 本発明の電子顕微鏡用試料保持装置(80)は、上部隔膜保持部(20)、試料保持プレート(30)及び下部隔膜保持部(40)の3つの部品を組み立てることによって形成された試料保持アセンブリ(10)と、該試料保持アセンブリを交換可能に保持する保持部(80A)と、を有する。試料保持アセンブリは、上部隔膜保持部の隔膜(25)と下部隔膜保持部の隔膜(45)の間に形成されたセル(15)と、該セルに接続された流路(49a)を有し、試料保持プレートの突起部(31)に装着された試料(61)がセル内に配置されるように構成されている。上部隔膜保持部の隔膜、試料、及び、下部隔膜保持部の隔膜は、電子線の光軸(11)に沿って配置される。これにより、ガス、液体などの特殊雰囲気中における顕微鏡観察において、特定箇所の観察が容易に行え、かつ、観察ごとに隔膜の交換等の作業が不要な電子線顕微鏡用試料保持装置を提供できるようになった。

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