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公开(公告)号:KR20210034340A
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:KR1020190116177A
申请日:2019-09-20
Applicant: 세메스 주식회사
CPC classification number: H01L24/741 , H01L21/52 , H01L21/67144 , H01L21/67242 , H01L24/80 , H01L2224/75301 , H01L2224/75349 , H01L2224/75702
Abstract: 다수의 헤드 핀에 의해 균일한 접합력으로 피접합체를 접합할 수 있는 본딩 헤드 및 본딩 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 본딩 헤드는 제1 피접합체 상에 제2 피접합체를 접합하기 위한 본딩 헤드에 있어서, 본딩헤드 본체; 상기 본딩헤드 본체의 하면을 따라 돌설되고, 상기 본딩헤드 본체에 상하 방향으로 형성된 홈부에 상하 방향으로 이동 가능하게 장착되는 다수의 헤드 핀; 상기 다수의 헤드 핀이 상기 제2 피접합체와 접촉됨에 따른 압력 분포를 측정하는 압력 측정부; 및 상기 압력 측정부에 의해 측정된 압력 분포에 따라 상기 다수의 헤드 핀의 돌출 길이를 제어하는 구동부를 포함한다.
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公开(公告)号:KR102225956B1
公开(公告)日:2021-03-12
申请号:KR1020180125032A
申请日:2018-10-19
Applicant: 세메스 주식회사
CPC classification number: H01L24/74 , H01L24/741 , H01L21/67121 , H01L21/52 , H01L21/02315 , H01L21/185 , H01L21/50 , H01L21/67028 , H01L21/67092 , H01L21/67098 , H01L21/6715 , H01L21/67259 , H01L21/67706 , H01L21/67712 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/80 , H05H1/46 , H01L2224/031 , H01L2224/0331 , H01L2224/03848 , H01L2224/7501 , H01L2224/7565 , H01L2224/75745 , H01L2224/80004 , H01L2224/80009 , H01L2224/80013 , H01L2224/80091 , H01L2224/80097 , H01L2224/80143 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80986 , H01L2224/97 , H01L25/50
Abstract: 접합 필름(adhesion film)과 솔더 범프(solder bump)와 같은 접합 매개체를 이용하지 않고 기판에 다이를 접합하거나 기판들을 접합할 수 있는 다이 본딩 장치, 기판 본딩 장치, 다이 본딩 방법 및 기판 본딩 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 다이 본딩 방법은 기판 상에 다이를 접합하는 다이 본딩 방법에 있어서, 상기 기판 상에 접합될 상기 다이의 접합면을 플라즈마 처리에 의해 친수화하는 단계; 상기 다이와 접합될 상기 기판 상의 접합 영역에 물을 포함하는 액체를 공급하여 상기 접합 영역 상에 액막을 형성하는 단계; 상기 다이를 상기 액막 상에 접촉시켜 상기 다이의 친수화된 접합면과 상기 액막 간의 접합력에 의해 상기 기판 상에 상기 다이를 가접합하는 단계; 및 상기 기판 상에 하나 이상의 다이가 가접합된 상태로 열처리하여 상기 하나 이상의 다이를 동시에 상기 기판 상에 본접합하는 단계;를 포함한다.
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公开(公告)号:KR20210032143A
公开(公告)日:2021-03-24
申请号:KR1020190113534A
申请日:2019-09-16
Applicant: 세메스 주식회사
CPC classification number: G03F7/30 , G03F7/422 , G03F7/70608 , H01L21/02052 , H01L21/02307 , H01L21/02343
Abstract: 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 처리 공간 내에서 기판을 제1처리액으로 처리하는 제1 처리 단계와; 제1 처리 단계 이후에, 처리 공간에 전위 조절액을 공급하여 처리 공간 내 구조물의 전위를 조절하는 전위 조절 단계와; 전위 조절 단계 이후에, 처리 공간 내에서 기판을 제2처리액으로 처리하는 제2처리 단계를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号:KR102224987B1
公开(公告)日:2021-03-11
申请号:KR1020190075189A
申请日:2019-06-24
Applicant: 세메스 주식회사
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/68742
Abstract: 본 발명은 기판을 가열 처리하는 장치를 제공한다. 가열 처리 장치는 서로 조합되어 처리 공간을 가지는 상부 커버와 하부 바디를 포함하는 공정 챔버; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하며, 기판을 가열하는 가열 플레이트; 상기 하부 바디의 바닥면과 상기 가열 플레이트 사이 공간에 상기 가열 플레이트를 감싸도록 설치되어 상기 가열 플레이트의 열손실을 최소화하기 위한 단열 소재의 히터컵; 및 상기 히터컵 아래 공간에 설치되는 리프트 핀 구동부를 갖는 리프트 핀 어셈블리를 포함할 수 있다.
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