公开(公告)号：JP4919871B2

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：JP2007123820

申请日：2007-05-08

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 寿靖 堀 ,  光太郎 宮谷 ,  繁和 廣瀬 ,  俊久 野沢

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP4708577B2

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：JP2001023848

申请日：2001-01-31

申请人： キヤノン株式会社

发明人： 清文 坂口 ,  隆夫 米原

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L27/12 ,  H01L21/30 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/316 ,  H01L21/44 ,  H01L21/46 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/31675 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： This invention provides a method of manufacturing a thin-film semiconductor device by a smaller number of processes with reduced influence on a device formation layer at the time of separation. This manufacturing method includes the step of preparing a member having, on a separation layer, a semiconductor film having a semiconductor element and/or semiconductor integrated circuit, the step of forming kerfs from the semiconductor film side of the member, and the separation step of, after the kerf formation step, separating a desired region of the semiconductor element and/or semiconductor integrated circuit from the member.

公开(公告)号：JP3549193B2

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：JP2001001759

申请日：2001-01-09

申请人： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所

发明人： 清隆 佐々木 ,  和夫 前田 ,  孝芳 安住 ,  摂 鈴木

IPC分类号： H01L21/20 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  H01L21/302 ,  H01L21/316

CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/0227 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31654

公开(公告)号：JP2004521476A

公开(公告)日：2004-07-15

申请号：JP2001581335

申请日：2001-02-08

申请人： エピオン コーポレイション

发明人： フェナー，デイビッド，ビー．

IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/311 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/28194 ,  C23C14/0031 ,  C23C14/022 ,  H01J2237/0812 ,  H01L21/02054 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/3185 ,  H01L28/40 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： 表面結合の末端化および引き続いての反応性蒸着によって天然酸化物が無くなったシリコンウエハー上に薄いフィルムをガス−クラスターイオン−ビーム蒸着する方法が開示される。 シリコンの表面の水素末端化は、それを、フィルムを蒸着するのに用いるもののごとき、酸素−含有環境ガス、真空系に残留するガスさえからの再酸化に対して不活性とする。 窒素末端化は、上に存在する金属−酸化物の薄いフィルムでもって界面を改良する。 該フィルムはシリコン結晶表面と親密に接触させて形成され、ほとんど理想的な界面を形成する。

公开(公告)号：KR20210040352A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：KR1020210044552A

申请日：2021-04-06

申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스

发明人： 쇼고 요시다 ,  히로유키 오구라 ,  류이치 요시다

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02282 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02307

摘要： 기판에 약액을 도포하는 도포 방법은, 용제 공급 공정과 약액 공급 공정을 구비한다. 용제 공급 공정은, 기판(W)에 용제를 공급한다. 약액 공급 공정은, 용제 공급 공정 후, 기판에 약액을 공급한다. 용제 공급 공정은, 제1 공정을 구비한다. 제1 공정은, 기판을 제1 회전 속도로 회전시켜, 기판의 중심부 위쪽의 중심 위치와 기판의 주연부 위쪽의 주연 위치에 걸쳐 용제 노즐을 이동시키고, 또한, 용제 노즐로부터 용제(F)를 토출시킨다.

公开(公告)号：KR20210028632A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：KR1020210029456A

申请日：2021-03-05

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 랑아 라오 아르네팔리 ,  닐레쉬 치만라오 바굴 ,  프레나 손타리아 고라디아 ,  로버트 잔 비저

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/4486 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32 ,  H01L21/465 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/02274 ,  H01L2221/1063

摘要： 기판의 표면 상에 막들을 프로세싱하기 위한 시스템들 및 방법들이 설명된다. 시스템들은 하나 또는 그 초과의 전구체들의 응집 물질(condensed matter)(액체 또는 고체)로부터 액적들을 형성하는 에어로졸 생성기들을 보유한다. 캐리어 가스가 응집 물질을 통해 유동되고, 기판 프로세싱 구역에 배치된 기판을 향하여 액적(droplet)들을 푸시(push)한다. 에어로졸 생성기와 연결된 인라인 펌프가 또한, 기판을 향하여 액적들을 푸시하기 위해 사용될 수 있다. 액적들을 사이에서 통과시키도록 구성된 2개의 전도성 플레이트들 사이에 직류(DC) 전기장이 인가된다. 액적들의 사이즈는 DC 전기장의 인가에 의해 바람직하게 감소된다. DC 전기장을 통과한 후에, 액적들은 기판 프로세싱 구역 내로 통과되고, 막들을 증착 또는 에칭하기 위해 기판과 화학적으로 반응한다.

公开(公告)号：KR20210028274A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020217006203A

申请日：2019-07-12

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 저스틴 오버스트 ,  브라이언 버칼루 ,  스티븐 제이. 바닉 ,  멍 위 에드윈 고 ,  조셉 리처드슨 ,  로렌스 오소우스키 ,  마크 콰글리어 ,  더글라스 히글리

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6704 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/02068 ,  B08B3/02 ,  B08B3/041 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B3/14 ,  B08B7/04 ,  C25D5/00 ,  C25D5/34 ,  C25D7/123 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/683 ,  H01L21/76873 ,  B08B2203/002 ,  B08B2203/007

摘要： 기판 상의 패터닝된 레지스트 층에 의해 규정된 피처들로부터 개선된 습윤성 및 파편 제거를 제공하는 습윤 툴. 기판 습윤 툴은 2.0 이하의 pH 및/또는 20 내지 50 ℃ 범위의 온도를 갖는 습윤 용액에 의존한다. 2.0 이하의 pH를 갖는, 피처들을 형성하기 위해 사용된 레지스트 재료는 화학적으로 반응하고, 이를 보다 친수성으로 만든다. 따라서 습윤 용액은 피처들 내로 끌어당겨지고, 유리하게 기포 형성 기회를 감소시키고 파편을 제거한다. 상승된 온도들에서, 가열된 습윤 용액은 입자 박리를 개선하고, 기판 표면으로부터 파편들 및 옥사이드들을 용해시키는 것을 돕는다.

公开(公告)号：JP2017018941A

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：JP2016077941

申请日：2016-04-08

申请人： ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング ,  Suss MicroTec Lithography GmbH

发明人： カトリン・フィッシャー ,  フロリアン・パリツッカ ,  ダレン・ロバート・サウスワース ,  ウィリアム・ホイットニー

IPC分类号： C23C26/00 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L21/76831 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/76898

摘要： 【課題】基材に備えられたビアができる限り平坦な表面を有するように絶縁材料で満たされるようにするコーティングする方法の提供。 【解決手段】第一工程では、基材10の表面調整Pが行われ、第二工程では、絶縁材料20が平坦な表面を有し、ビア16が完全に絶縁材料20で満たされるように、絶縁材料20を基材10へコーティングし、基材10の表面調整P、特にビア16の領域の表面調整Pを行うことによって、塗布されるコーティング剤の流動性が改善され、これにより、絶縁コーティング剤がビア16に流れ込む際の流動性がより改善され、完全にビア16を満たすコーティング方法。 【選択図】図2

摘要翻译： 本发明提供了一种涂层被填充有绝缘材料，以便具有一个平坦表面作为衬底中提供可能的通孔的方法。 在第一个步骤中，执行衬底10的表面调节P，在第二步骤中，绝缘材料20具有平坦的表面，从而使孔16完全填充有绝缘材料20， 绝缘材料20被涂覆到基板10，在基板10的表面调节P，特别是通过经由16执行的表面调节P区，它提高了涂布剂的流动性应用，由此，绝缘涂层 经由16流入时剂改善流动性更，涂覆法通过16满足完整。 .The

公开(公告)号：JP5014356B2

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：JP2009006834

申请日：2009-01-15

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 泰規 森永

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883

公开(公告)号：JP4838504B2

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：JP2004261567

申请日：2004-09-08

申请人： キヤノン株式会社

发明人： 信彦 佐藤 ,  滋 木戸 ,  一隆 桃井

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/02203 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31675 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00