公开(公告)号：JP6286078B2

公开(公告)日：2018-02-28

申请号：JP2017018334

申请日：2017-02-03

Applicant: コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ

Inventor： レア・ディ・チョッチョ ,  ピエリック・グーギャン

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/70 ,  H01L21/2007 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/05552

公开(公告)号：JP2017521853A

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：JP2016567768

申请日：2015-04-20

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： ヤン・ドゥ ,  カリム・アラビ

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/0694 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83125 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06593

Abstract: 3次元集積回路および関連のシステムを構築するための方法が開示される。一態様では、第1のティアが、保持基板上にトランジスタなどの能動素子を作製することによって構築される。相互接続金属層が、能動素子上に作製される。金属ボンディングパッドが、相互接続金属層内に作製される。第2のティアも、同時にまたは順次、作製される。第2のティアは、第1のティアとほとんど同じ方法で作製され、次いで、第1のティア上に配置され、その結果、それぞれの金属ボンディングパッドは、揃い、一方のティアから他方のティアへ向かってボンディングされる。次いで、第2のティアの保持基板が解放される。次いで、第2のティアの裏面が薄くされ、その結果、能動素子の裏面(たとえば、トランジスタのゲートの裏面)が露出される。必要な場合、追加のティアを加え、基本的にこの処理を反復し得る。

公开(公告)号：JP6041607B2

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：JP2012215969

申请日：2012-09-28

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 下津佐 峰生

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/768 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/24147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/92 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091

公开(公告)号：JP2016092197A

公开(公告)日：2016-05-23

申请号：JP2014224602

申请日：2014-11-04

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 蘆立 浩明 ,  谷田 一真

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/0807 ,  H01L2224/08112 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80902 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9205

Abstract: 【課題】一方の基板表面に設けられる金属電極の金属が一方の基板に貼合される他方の基板へ拡散することを抑制することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、低接着性膜と、一対の基板と、金属電極と、空隙とを備える。低接着性膜は、半導体酸化膜よりも金属に対する接着性が低い。一対の基板は、低接着性膜を介して貼合される。金属電極は、低接着性膜を貫通して一対の基板を接続し、一対の基板の間に一対の基板に埋設された部位よりも細い部位を有する。空隙は、金属電極における一方の基板に埋設された部位の周面のうち、他方の基板と対向する部位と低接着性膜との間に設けられる。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体器件和半导体器件制造方法，其可以抑制设置在一个衬底的表面上的金属电极的金属扩散到与该衬底结合的另一个衬底。根据本发明的半导体器件 一个实施例包括低粘附膜，一对基板，金属电极和空腔。 每个低粘附膜与半导体氧化膜的粘附力低于金属。 一对基板通过低粘合膜粘合。 金属电极穿透低粘合膜以连接一对基板，并且具有比嵌入在该对基板中的部分更薄的部分。 每个空腔设置在金属电极之间的低粘附膜和嵌入在一个基板中的部分的外周表面的另一个基板相对的部分之间。选择的图示：图1

公开(公告)号：JP2015099885A

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：JP2013240096

申请日：2013-11-20

Applicant: ローム株式会社

Inventor： 柳澤 あづさ

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/00 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/308 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/481 ,  H01L23/544 ,  H01L24/80 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/0756 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81129 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15788

Abstract: 【課題】複数の半導体チップを積み重ねた構造を有する半導体装置において、正確な位置に貫通電極を形成できる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】第1半導体チップ20aの表面に互いの表面が対向するように配置された第2半導体チップ20bを備える半導体装置1であって、第2半導体チップ20bは、第2半導体チップ20bの表面に形成された配線層11bと、配線層11bに形成されたトップメタル16と、配線層11bに形成されたアライメント用メタル13と、アライメント用メタル13よりも上層の位置でアライメント用メタル13を覆うように形成されたアライメント用トップメタル14とを含む、半導体装置を製造する。 【選択図】図2B

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体器件，其具有堆叠多个半导体芯片的结构，并且可以在适当的位置形成通孔; 及其制造方法。解决方案：半导体器件1包括布置在第一半导体芯片20a的表面上以使表面彼此面对的第二半导体芯片20b。 第二半导体芯片20b包括：形成在第二半导体芯片20b的表面上的布线层11b; 形成在布线层11b中的顶部金属16; 形成在布线层11b中的对准金属13; 以及对准顶部金属14，其形成为在比对准金属13更高层的位置处覆盖对准金属13。

公开(公告)号：JP2015510255A

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：JP2014549523

申请日：2012-12-27

Applicant: コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ ,  コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ

Inventor： ロッシィーニ，ウンベルト ,  フラオー，ティエリ ,  ラレー，ヴィンセント

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L24/89 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L24/27 ,  H01L24/28 ,  H01L2224/8003 ,  H01L2224/80896

Abstract: 【解決手段】本発明は、多層構造体(16)を第1の基板(30)に製造する方法に関しており、方法は、ヤング率Ev及び厚さevを有する第1の材料から形成された第1の基板、及び、多層構造体で覆われてヤング率Evとは異なるヤング率Es及び厚さesを有する第2の材料から形成された第2の基板(12)を準備すること、第1の基板及び多層構造体を共に分子的に結合すること、及び第2の基板を除去することを有し、厚さes及び厚さevは関係式(I)を10%の範囲内で満たす。

Abstract translation: 本发明是针对上述第一基板（30），所述方法中，首先从具有的杨氏模量EV和厚度EV的第一材料形成上制造多层结构（16）的方法 基板的1和，提供具有不同的杨氏模量ES和厚度ES和杨氏模量EV的第二材料形成的第二基板覆盖有多层结构（12），第一 我们一起分子在基板和多层结构结合，并且所述第二具有除去板，厚度ES和10％的关系式（I）内的厚度EV填充。

公开(公告)号：JP5570680B2

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：JP2006532508

申请日：2004-05-19

Applicant: ジプトロニクス・インコーポレイテッド

Inventor： トン、チン−イ

IPC: H01L21/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/58 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: B32B7/04 ,  B32B2250/04 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/26 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08059 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/05442

公开(公告)号：JP5555218B2

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：JP2011260461

申请日：2011-11-29

Applicant: ソイテック

Inventor： サダカ マリアム

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/603 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2014103395A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：JP2013235660

申请日：2013-11-14

Applicant: Siliconfile Technologies Inc ,  シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc.

Inventor： IN GYUN JEON

IPC: H01L21/02 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/481 ,  H01L24/06 ,  H01L24/07 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/06517 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/053 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrical connection method between wafers being coupled electrically using batting contacts, and to provide a semiconductor device achieved by using that method.SOLUTION: First wafer 210 and second wafer 220 are bonded physically by using an oxide film bonding system, a metal bonding system using TSVs or batting contacts is employed for electrical coupling of the first conductive region of the first wafer 210 and a second conductive region of the second wafer 220 corresponding thereto. At least one of a plurality of elements constituting a CMOS image sensor is achieved in the first wafer 210, and the elements remaining after removing those achieved in the first wafer from the plurality of elements constituting a CMOS image sensor and a pixel drive circuit are achieved in the second wafer 220. The process can be simplified, errors on the process are reduced, and product yield can be enhanced.

Abstract translation: 要解决的问题：提供在使用击打触点电连接的晶片之间的电连接方法，并提供通过使用该方法实现的半导体器件。解决方案：第一晶片210和第二晶片220通过使用氧化膜键合 系统中，使用使用TSV或击打触点的金属接合系统用于电耦合第一晶片210的第一导电区域和对应于其的第二晶片220的第二导电区域。 在第一晶片210中实现构成CMOS图像传感器的多个元件中的至少一个元件，并且实现了从构成CMOS图像传感器和像素驱动电路的多个元件中去除在第一晶片中实现的元件之后剩余的元件 在第二晶片220中。可以简化该过程，减少工艺上的错误，并且可以提高产品产量。

公开(公告)号：JP2013118373A

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：JP2012259541

申请日：2012-11-28

Applicant: Samsung Electronics Co Ltd ,  三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

Inventor： PARK KENSO ,  PARK BEONG-RYUL ,  KIM SU-KYOUNG ,  MOON GWANG-JIN ,  BANG SUK-CHUL ,  LEE DO-SUN ,  LIM DONG-CHAN ,  CHOE GIL-HYON

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/28 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrode connecting structure containing copper.SOLUTION: An electrode connecting structure or a semiconductor element includes: a lower element which includes a lower substrate, a lower insulating layer formed on the lower substrate and a lower electrode structure formed in the lower insulating layer, and in which the lower electrode structure includes a lower electrode barrier layer and a lower metal electrode formed on the lower electrode barrier layer; and an upper element which includes an upper substrate, an upper insulating layer formed below the upper substrate and an upper electrode structure formed in the upper insulating layer, and in which the lower electrode structure includes an upper electrode barrier layer extending from the inside of the upper insulating layer below a lower surface and an upper metal electrode formed on the upper electrode barrier layer. The lower metal electrode and the upper metal electrode are brought into direct contact with each other.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种包含铜的电极连接结构。 解决方案：电极连接结构或半导体元件包括：下部元件，其包括下基板，形成在下基板上的下绝缘层和形成在下绝缘层中的下电极结构，并且其中下 电极结构包括形成在下电极阻挡层上的下电极阻挡层和下金属电极; 以及上部元件，其包括上基板，形成在所述上基板下方的上绝缘层和形成在所述上绝缘层中的上电极结构，并且其中所述下电极结构包括从所述上绝缘层的内侧延伸的上电极阻挡层 位于下表面下方的上绝缘层和形成在上电极阻挡层上的上金属电极。 下部金属电极和上部金属电极彼此直接接触。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT