公开(公告)号：JP2008235540A

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：JP2007072533

申请日：2007-03-20

Applicant: Denso Corp ,  株式会社デンソー

Inventor： TOBITAKA KOMEI

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor integrated circuit device capable of immediately investigating the cause of fault.
SOLUTION: When the ambient temperature of a diode 4 is raised to a predetermined temperature which exceeds a rated upper limit temperature, for example, voltage between the anode and the cathode of the diode 4 is lowered whereby the voltage of positive input terminal of a comparator 3 is lowered than the voltage of a negative input terminal. Then, a voltage which exceeds a blown-out threshold voltage is applied on both ends of a blown-out resistance element 7. Then, the blown-out resistance element 7 is cut and fracture mark remains in the semiconductor integrated circuit device 1.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够立即调查故障原因的半导体集成电路装置。 解决方案：当二极管4的环境温度升高到超过额定上限温度的预定温度时，例如，二极管4的阳极和阴极之间的电压降低，由此正输入端子 比比较器3的电压低于负输入端子的电压。 然后，将超过泄漏阈值电压的电压施加在吹出电阻元件7的两端。然后，切断电阻元件7，并将断裂痕迹保留在半导体集成电路器件1中。 P>版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2014216326A

公开(公告)日：2014-11-17

申请号：JP2013089351

申请日：2013-04-22

Applicant: 株式会社デンソー ,  Denso Corp

Inventor： TOBITAKA KOMEI ,  ITO TOMOKI

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/28 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L2224/32225

Abstract: 【課題】放熱フィンを介した発熱素子の放熱性を高め得る電子装置およびその製造方法を提供を提供する。【解決手段】半導体素子23,24が一側実装面21に実装される回路基板20には、一側実装面21から他側実装面22まで貫通する第1貫通穴27が形成され、放熱フィン30の基台31には、受熱側面33から放熱側面34まで貫通し他側実装面22および受熱側面33が熱的に接続される際に第1貫通穴27に連通する第2貫通穴35が形成される。そして、複数のフィン部32および放熱側面34の一部を除き回路基板20および放熱フィン30をモールド(封止)するモールド樹脂40は、回路基板20の他側実装面22と基台31の受熱側面33とを熱的に接続した状態にて連通した第1貫通穴27および第2貫通穴35に充填されるとともに、第2貫通穴35の外縁を構成する放熱側面34を抜け止め部41にて覆うように形成される。【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够通过散热片提高发热元件的散热性的电子设备，并提供其制造方法。解决方案：在用于安装半导体元件23和 24，在一侧安装面21上形成有从一侧安装面21向另一侧安装面22穿过的第一通孔27。 在散热翅片30的基部31中，形成第二通孔35，该第二通孔35从受热侧表面33通过散热侧表面34并与第一通孔27连通，当另一侧安装表面 22和热接收侧表面33热连接。 形成用于模制（封装）电路板20和除了多个散热片部分32和散热侧表面34的一部分之外的散热片30的模制树脂40以填充第一通孔27和第二通孔27 通孔35在电路板20的另一侧安装表面22和基座31的受热侧表面33热连接的状态下连通。 模制树脂40还形成为通过防脱部41覆盖构成第二通孔35的外缘的散热侧表面34。

公开(公告)号：JP2009194086A

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：JP2008032039

申请日：2008-02-13

Applicant: Denso Corp ,  株式会社デンソー

Inventor： TOBITAKA KOMEI

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00012

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which a semiconductor element mounting substrate is bonded onto an island portion of a lead frame through a silicone-based thermosetting adhesive, wherein the sticking of an outgas component of the silicone-based thermosetting adhesive on a lead portion can be stably suppressed at low cost, and high reliability can be secured in a subsequent wire bonding stage. SOLUTION: When the semiconductor element mounting substrate 2 is bonded onto the island portion 1i of the lead frame 1 through the silicone-based thermosetting adhesive 3, set temperatures T2a and T2b of lead portions 1a and 1b, respectively, of the lead frame 1 are set higher than a set temperature T2i of the island portion 1i. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 解决的问题：提供一种半导体器件的制造方法，其中半导体元件安装基板通过硅氧烷基热固性粘合剂结合到引线框架的岛状部分上，其中， 可以以低成本稳定地抑制引线部分上的硅氧烷基热固性粘合剂，并且可以在随后的引线接合阶段确保高可靠性。 解决方案：当半导体元件安装基板2通过硅酮类热固性粘合剂3与引线框架1的岛状部分1i接合时，引线部分1a和1b的引线的设定温度T2a和T2b分别为 框架1被设定为高于岛部1i的设定温度T2i。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007305905A

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：JP2006134967

申请日：2006-05-15

Applicant: Denso Corp ,  株式会社デンソー

Inventor： TOBITAKA KOMEI ,  AZUMA HIDEJI ,  UEDA NOBUTADA

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/66 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To materialize an inspection apparatus and an inspection method of an insulation isolated semiconductor device which can certainly detect insulation failure in an insulator which performs insulated isolation of an insulation isolated semiconductor device. SOLUTION: A predetermined voltage is applied to a first and a second voltage applied pads 20c and 30c by contacting a first and a second voltage applying probes 41 and 42 respectively, so as to detect the current which flows between an element formation region 20 and an isolation region 30. Furthermore, the electrical connection between a second voltage applied pad 30c and a second inspection applying probe 42 is detected by detecting the voltage between a second voltage applying probe 42 and an inspection probe 43, while contacting the inspection probe 43 with an inspection pad 31c. When current is not detected and electrical connection is detected, it is judged that the relation between the element formation region 20 and the isolation region 30 is in an insulated state. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：实现绝缘隔离半导体器件的检查装置和检查方法，绝缘隔离半导体器件能够绝对地检测绝缘体的隔离故障，绝缘体进行绝缘隔离半导体器件的绝缘隔离。 解决方案：通过分别接触第一和第二电压施加探针41和42，将预定电压施加到第一和第二电压施加焊盘20c和30c，以便检测在元件形成区域 20和隔离区30.此外，通过检测第二电压施加探针42和检查探针43之间的电压，同时接触检查探针来检测第二施加电压垫30c和第二检查施加探针42之间的电连接 43与检查垫31c。 当没有检测到电流并且检测到电连接时，判断元件形成区域20和隔离区域30之间的关系处于绝缘状态。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT