公开(公告)号：JPWO2013054702A1

公开(公告)日：2015-03-30

申请号：JP2013538506

申请日：2012-10-02

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 和彦 香村 ,  和彦 香村 ,  信也 峯岸 ,  信也 峯岸 ,  森　隆 ,  隆 森 ,  慶友 保田 ,  慶友 保田 ,  嘉夫 滝本 ,  嘉夫 滝本 ,  慎也 中藤 ,  慎也 中藤 ,  木村　徹 ,  徹 木村

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3081 ,  G03F7/094 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/033 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本発明は、[A1]Tgが0℃以上180℃以下の重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。[B]酸発生体をさらに含有することが好ましい。レジスト下層膜表面にシリコン系酸化膜を形成し、このシリコン系酸化膜をドライエッチングする工程を含む多層レジストプロセスに用いることが好ましい。[A2]Tgが180℃を超える重合体をさらに含有することが好ましい。[A2]重合体の含有量が、[A1]重合体と[A2]重合体との合計100質量部に対して、10質量部以上40質量部以下であることが好ましい。

Abstract translation: 本发明是包含[A1] Tg的抗蚀剂下层膜形成用组合物是比180℃的聚合物的或更少的0℃。 更优选含有[B]酸产生剂。 抗蚀剂下层膜表面上形成硅基氧化物膜，它优选使用在多层氧化硅膜的抗蚀剂的方法包括干法刻蚀的步骤。 [A2] Tg更优选含有大于180℃的聚合物.. [A2]的聚合物的总量为100质量份的聚合物的质量和[A2]聚合物的含量，[A1]，优选为40重量份或小于10重量份。

公开(公告)号：JPWO2010087233A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：JP2010548464

申请日：2010-01-14

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 森　隆 ,  隆 森 ,  田中　正人 ,  正人 田中 ,  西村　幸生 ,  幸生 西村 ,  山口　佳一 ,  佳一 山口

IPC: H01L21/027 ,  B29C33/42 ,  H01L21/312

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/31144

Abstract: 本発明の目的は、レジストパターンとの密着性に優れ且つレジスト材料の染み込みが少ないシリコン含有膜、そのシリコン含有膜を形成するための樹脂組成物、及びそのシリコン含有膜を用いたパターン形成方法を提供することである。本発明のナノインプリントリソグラフィーにおけるパターン形成方法は、1.被加工基板上に、シリコン含有膜中のシリコン原子と炭素原子の質量比が、シリコン原子/炭素原子=2〜12であるシリコン含有膜を形成する工程と、2.前記シリコン含有膜上に、被形状転写層を形成し、微細パターンを有するスタンパで、被形状転写層に微細パターンを転写し、レジストパターンを形成する工程と、3.前記レジストパターンをマスクとして、前記シリコン含有膜及び前記被加工基板をドライエッチングして前記被加工基板にパターンを形成する工程と、を備える。

公开(公告)号：JP5644339B2

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：JP2010224368

申请日：2010-10-01

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 智晴 河津 ,  智晴 河津 ,  慧 出井 ,  慧 出井 ,  森　隆 ,  隆 森 ,  和憲 高梨 ,  和憲 高梨 ,  慶友 保田 ,  慶友 保田

IPC: G03F7/11 ,  C08G77/04 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JPWO2006073149A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：JP2006550888

申请日：2006-01-05

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 健二 石附 ,  健二 石附 ,  森　隆 ,  隆 森 ,  別所　啓一 ,  啓一 別所 ,  修一 小金平 ,  修一 小金平 ,  広法 佐藤 ,  広法 佐藤

IPC: C09D11/00 ,  B41J2/01 ,  B41M5/00 ,  C08F2/24 ,  C08F2/38 ,  C08F20/00

CPC classification number: C09D11/30 ,  C09D11/16 ,  C09D11/18

Abstract: (a)親水性基と疎水基とラジカル反応性基とを含有する反応性乳化剤の存在下に、(b)エチレン性不飽和結合を有するモノマーを乳化重合させて得られる水系インクジェットインク用エマルジョンに関し、該エマルジョンを水系インクに対して添加することにより、その印字物の印字品質(印字濃度、耐擦性、光沢性)を向上させる効果を有する添加剤(ポリマーエマルジョン)を提供する。

公开(公告)号：JP5625301B2

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：JP2009227366

申请日：2009-09-30

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 和憲 高梨 ,  和憲 高梨 ,  森　隆 ,  隆 森 ,  智晴 河津 ,  智晴 河津 ,  慶友 保田 ,  慶友 保田

IPC: C08G77/50 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP5082439B2

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：JP2006352694

申请日：2006-12-27

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 隆 森 ,  博史 崎山 ,  啓一 別所

IPC: C08L101/00 ,  C08K3/04 ,  C08K5/05 ,  C09D11/00 ,  C09D11/324 ,  C09D17/00

公开(公告)号：JP5560564B2

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：JP2009013646

申请日：2009-01-23

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 正人 田中 ,  圭二 今野 ,  隆 森 ,  智晴 河津

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP5392269B2

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：JP2010548464

申请日：2010-01-14

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 隆 森 ,  正人 田中 ,  幸生 西村 ,  佳一 山口

IPC: H01L21/027 ,  B29C33/42 ,  B29K83/00 ,  B29L7/00 ,  B29L31/34 ,  H01L21/312

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/31144

公开(公告)号：JP5136439B2

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：JP2009013647

申请日：2009-01-23

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 正人 田中 ,  圭二 今野 ,  隆 森 ,  智晴 河津

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP5446763B2

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：JP2009261594

申请日：2009-11-17

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 隆 西岡 ,  隆 森 ,  博幸 野村 ,  宏文 後藤

IPC: C08L33/04 ,  C08K5/103 ,  C08L63/00 ,  C09J4/00 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  H05K1/03