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公开(公告)号：JPWO2006090650A1
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：JP2007504692
申请日：2006-02-17
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/67132 , H01L2221/6834
Abstract: 本発明の課題は、従来のプロセスにおける、湿式研磨後のウェハ強度が低下し、ウェハ支持体が熱劣化すること、研磨後のウェハを支持体から剥がす際に割れが生じやすいこと、薄肉化後におけるウェハレベルでのテスティングが難しいことなどの問題点を解決でき、多様で複雑な構造を有するウェハにも対応可能なウェハ加工方法を提供することにある。本発明のウェハ加工方法は、半導体素子が形成されたウェハ表面と支持体との間に、固定化剤として、分子量が5000以下の化合物を主成分として含有する接着剤組成物を介在させ、該組成物を加熱溶融してウェハと支持体とを密着させた後、冷却することによりウェハと支持体とを接着固定し、ウェハ裏面を研磨して20〜100μmまで薄肉化し、該組成物を加熱溶融してウェハと支持体とを剥離することを特徴とする。
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公开(公告)号：JPWO2011125436A1
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：JP2012509379
申请日：2011-03-16
CPC classification number: H01G9/2004 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: [課題] 光電変換特性に優れ、電解液漏洩およびそれに伴う経時での特性劣化が少なく、より高い短絡電流密度が得られ、エネルギー変換効率が高い色素増感型太陽電池を提供可能な電解質組成物を提供する。[解決手段] 下記式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物(A)、ヨウ素とヨウ素化合物あるいは臭素と臭素化合物の一対(B)、および有機溶剤を含むことを特徴とする電解質組成物。【化1】(式(1)中、R1は水素原子又はメチル基であり、Xは単結合または2価の結合基であり、R2は式(II)〜(IV)から選ばれる基である。式(II)〜(IV)中、R3は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基であり、Yは、互いに同一でも異なっていてもよく、酸素原子または硫黄原子であり、aは0または1であり、bは1〜3の整数である。また、*は結合手を示す。)
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公开(公告)号：JP5663959B2
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：JP2010123392
申请日：2010-05-28
IPC: G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: B05D1/322 , C09D183/06 , G03F7/0392 , G03F7/094 , G03F7/38 , G03F7/405 , H01L21/02126 , H01L21/02137 , H01L21/0337 , H01L21/311 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76807
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2012043403A1
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：JP2012536407
申请日：2011-09-22
Inventor： 信也 峯岸 , 信也 峯岸 , 暁 村上 , 暁 村上 , 裕史 松村 , 裕史 松村 , 和彦 香村 , 和彦 香村 , 嘉夫 滝本 , 嘉夫 滝本 , 慎也 中藤 , 慎也 中藤 , 慶友 保田 , 慶友 保田
IPC: G03F7/26 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/004 , C08G8/08 , C08G8/22 , C08G8/28 , C09D161/06 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/40
Abstract: 本発明は、(1)フェノール性水酸基を有する樹脂を含むレジスト下層膜形成用組成物の塗布により、被加工基板の上面側にレジスト下層膜を形成するレジスト下層膜形成工程と、(2)上記レジスト下層膜の上面側にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、(3)上記レジストパターンをマスクとして、少なくとも上記レジスト下層膜及び被加工基板をドライエッチングし、被加工基板にパターンを形成するパターン形成工程と、(4)上記被加工基板上のレジスト下層膜を塩基性溶液で除去するレジスト下層膜除去工程とをこの順に有するパターン形成方法である。
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公开(公告)号：JPWO2013054702A1
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：JP2013538506
申请日：2012-10-02
Inventor： 和彦 香村 , 和彦 香村 , 信也 峯岸 , 信也 峯岸 , 森 隆 , 隆 森 , 慶友 保田 , 慶友 保田 , 嘉夫 滝本 , 嘉夫 滝本 , 慎也 中藤 , 慎也 中藤 , 木村 徹 , 徹 木村
IPC: G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3081 , G03F7/094 , H01L21/02164 , H01L21/0271 , H01L21/033 , H01L21/31116 , H01L21/31138
Abstract: 本発明は、[A1]Tgが0℃以上180℃以下の重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。[B]酸発生体をさらに含有することが好ましい。レジスト下層膜表面にシリコン系酸化膜を形成し、このシリコン系酸化膜をドライエッチングする工程を含む多層レジストプロセスに用いることが好ましい。[A2]Tgが180℃を超える重合体をさらに含有することが好ましい。[A2]重合体の含有量が、[A1]重合体と[A2]重合体との合計100質量部に対して、10質量部以上40質量部以下であることが好ましい。
Abstract translation: 本发明是包含[A1] Tg的抗蚀剂下层膜形成用组合物是比180℃的聚合物的或更少的0℃。 更优选含有[B]酸产生剂。 抗蚀剂下层膜表面上形成硅基氧化物膜，它优选使用在多层氧化硅膜的抗蚀剂的方法包括干法刻蚀的步骤。 [A2] Tg更优选含有大于180℃的聚合物.. [A2]的聚合物的总量为100质量份的聚合物的质量和[A2]聚合物的含量，[A1]，优选为40重量份或小于10重量份。
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8.发明专利
公开(公告)号：JP5353407B2
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：JP2009104536
申请日：2009-04-22
Applicant: Jsr株式会社
IPC: G03F7/075 , C08G77/20 , G03F7/004 , H01L21/027 , H01L21/312
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a negative radiation-sensitive composition suitablefor formation of a cured pattern constituting an inter-layer insulating film having a low relative permittivity and a high elastic modulus, a method for forming a cured pattern using the same, and a cured pattern obtained by this method. SOLUTION: The negative radiation-sensitive composition includes (A) a polysiloxane obtained by hydrolytic condensation of a hydrolyzable silane compound containing (a1) an organic silicon compound expressed by formula (1) and (a2) an organic silicon compound expressed by formula (2), (B) a radiation-sensitive acid generator, (C) an acid diffusion inhibitor, and (D) a solvent. In the formula (1), R 1 represents an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, and R 2 represents an monovalent organic group, and a is an integer from 1 to 3. In the formula (2), R 3 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a cyano group, a cyano alkyl group or an alkyl carbonyloxy group, and R 4 represents a monovalent organic group, and b is an integer from 1 to 3. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
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公开(公告)号：JP4336922B2
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：JP2000110087
申请日：2000-04-12
Applicant: Jsr株式会社
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal aligning agent having good aligning characteristics such that when the agent is formed into a liquid crystal alignment film, good aligning property for a liquid crystal is obtained and high pretilt angle can be produced without depending on the process conditions such as film thickness and rubbing conditions and that a liquid crystal alignment film having high reliability and short time for erasing the afterimage in a liquid crystal display device can be formed. SOLUTION: The liquid crystal aligning agent contains at least one kind of end-sealed polymer selected from a group consisting of (A) end-sealed polyamic acids having an alicyclic skeleton obtained by the reaction of (a) tetracarboxylic acid dianhydride, (b) diamine compound and (c) at least one kind of unifunctional compound selected from dicarboxylic anhydrides, monoamine compounds and monoisocyanate compounds and (B) end-sealed imidized polymers obtained by dehydrating and ring closing the above polyamic acids.
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