公开(公告)号：JP2017092501A

公开(公告)日：2017-05-25

申请号：JP2017029032

申请日：2017-02-20

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  Semiconductor Energy Lab Co Ltd

Inventor： AKIMOTO KENGO ,  SAKATA JUNICHIRO ,  YAMAZAKI SHUNPEI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。【解決手段】絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第1の導電膜を形成し、第1の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第2の導電膜を形成し、第1の導電膜及び第2の導電膜をエッチングすることでソース電極及びドレイン電極を形成し、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極上に、酸化物半導体膜と接する絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。【選択図】図1

公开(公告)号：JP2015052803A

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：JP2014233296

申请日：2014-11-18

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  Semiconductor Energy Lab Co Ltd

Inventor： YAMAZAKI SHUNPEI ,  SAKATA JUNICHIRO ,  TSUBUKI MASASHI ,  AKIMOTO KENGO ,  HOSOHANE MIYUKI ,  SAKAKURA MASAYUKI ,  OIKAWA YOSHIAKI

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/477 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 【課題】同一基板上の画素回路及び駆動回路を該回路の特性にそれぞれ合わせた構造の異なるトランジスタで形成し、表示特性の優れた表示装置を提供する。【解決手段】同一基板上に画素部と駆動回路部を有し、該駆動回路部は、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層が金属膜によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用トランジスタを有する。また、当該画素部は、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され、且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用トランジスタを有する。該画素用トランジスタは透光性を有する材料で形成されており、高開口率の表示装置を作製することができる。【選択図】図3

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有优异显示特性的显示装置，其中使用根据各个电路的特性具有不同结构的晶体管形成同一基板上的像素电路和驱动电路。解决方案：显示装置具有 像素部分和驱动电路部分。 驱动电路部分具有用于驱动电路的晶体管，其中栅电极层，源电极层和漏电极层由金属膜形成，沟道层由氧化物半导体形成。 像素部分具有用于像素的晶体管，其中栅极电极层，源电极层和漏电极层由氧化物半导体形成，并且半导体层由氧化物半导体形成。 用于像素的晶体管由具有透明度的材料形成。 因此，制造具有高开口率的显示装置。

公开(公告)号：JP2015005756A

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：JP2014150375

申请日：2014-07-24

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  Semiconductor Energy Lab Co Ltd

Inventor： YAMAZAKI SHUNPEI ,  SAKATA JUNICHIRO ,  KOYAMA JUN

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、同一基板上に複数種類の薄膜トランジスタの構造を作製して複数種類の回路を構成し、増加する工程数が少ない半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。【解決手段】絶縁表面上に金属薄膜を成膜した後、酸化物半導体層を積層し、その後、加熱処理などの酸化処理を行うことで金属薄膜の一部または全部を酸化させる。また、論理回路などの高速動作を優先する回路と、マトリクス回路とで異なる構造の薄膜トランジスタを配置する。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种使用氧化物半导体层并包括具有优异电特性的薄膜晶体管的半导体器件，并且提供一种制造半导体器件的方法，该半导体器件制造多种薄膜的结构 晶体管在同一基板上，以配置多种电路，并且具有少量的步骤增加。解决方案：在绝缘表面上形成金属薄膜，然后堆叠氧化物半导体层。 之后，进行氧化处理，如加热处理，从而部分或全部氧化金属薄膜。 此外，设置在诸如逻辑电路和矩阵电路中对高速操作高度优先的电路中具有不同结构的薄膜晶体管。

公开(公告)号：JP2015004978A

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：JP2014147611

申请日：2014-07-18

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  Semiconductor Energy Lab Co Ltd

Inventor： SAKAKURA MASAYUKI ,  OIKAWA YOSHIAKI ,  YAMAZAKI SHUNPEI ,  SAKATA JUNICHIRO ,  TSUBUKI MASASHI ,  AKIMOTO KENGO ,  HOSOHANE MIYUKI

IPC: G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3262

Abstract: 【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルエッチ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する発光素子と重なる位置にカラーフィルタ層を薄膜トランジスタと発光素子の間に設ける。【選択図】図4

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种在同一基板上形成多种电路的发光装置，并且提供多种薄膜晶体管，以对应于多种类型的电路的特性 电路。作为用于像素的薄膜晶体管，使用包括与源极电极层和漏极电极层重叠的氧化物半导体层的反转共面薄晶体管。 作为用于驱动电路的薄膜晶体管，使用沟道蚀刻型薄膜晶体管。 在与用于像素的薄膜晶体管电连接的发光元件重叠的位置处，在薄膜晶体管和发光元件之间形成滤色器层。

公开(公告)号：JP2014239245A

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：JP2014150497

申请日：2014-07-24

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  Semiconductor Energy Lab Co Ltd

Inventor： YAMAZAKI SHUNPEI ,  NODA KOSEI ,  SASAKI TOSHINARI ,  OHARA HIROKI ,  SAKATA JUNICHIRO

IPC: H01L21/336 ,  G02B5/20 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/36 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14

Abstract: 【課題】薄膜トランジスタの電気特性の信頼性を高めることが可能な薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供する。また、画質を向上させることが可能な表示装置及びその作製方法を提供する。【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に形成される配線と、ゲート電極に重畳し、且つゲート絶縁層及び配線上に形成される酸化物半導体層と、酸化物半導体層に接する有機絶縁層とを有する薄膜トランジスタである【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够提高电特性可靠性的薄膜晶体管及其制造方法和薄膜晶体管，并提供能够提高图像质量的显示装置及其制造方法。解决方案：薄 薄膜晶体管包括：栅电极; 形成在所述栅电极上的栅极绝缘层; 在栅极绝缘层上形成的布线; 与栅电极重叠并形成在栅极绝缘层和布线上的氧化物半导体层; 和与氧化物半导体层接触的有机绝缘层。

公开(公告)号：JP2014197678A

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：JP2014082518

申请日：2014-04-14

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  Semiconductor Energy Lab Co Ltd

Inventor： KOYAMA JUN ,  SAKATA JUNICHIRO ,  MARUYAMA YOSHIKI ,  IMOTO YUKI ,  ASANO YUJI ,  HIZUKA JUNICHI

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L28/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路及び半導体装置を提供する。【解決手段】抵抗素子354に適用される酸化物半導体層905上にシラン(SiH4)及びアンモニア(NH3)などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマCVD法によって形成された窒化シリコン層910が直接接するように設けれ、且つ薄膜トランジスタ355に適用される酸化物半導体層906には、バリア層として機能する酸化シリコン層909を介して、窒化シリコン層910が設けられる。そのため、酸化物半導体層905には、酸化物半導体層906よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子354に適用される酸化物半導体層905の抵抗値が、薄膜トランジスタ355に適用される酸化物半導体層906の抵抗値よりも低くなる。【選択図】図11

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种使用通过使用具有受控电特性的氧化物半导体层制造的电阻元件和薄膜晶体管的逻辑电路和半导体器件。解决方案：在半导体器件中，氮化硅层 910，其与施加到电阻元件354的氧化物半导体层905直接接触，并且通过使用含有诸如硅烷（SiH）和氨（NH）的氢化合物的气体的等离子体CVD法形成，并且 氮化硅层910设置在通过用作阻挡层的氧化硅层909施加到薄膜晶体管355的氧化物半导体层906上。 因此，向氧化物半导体层905引入比氧化物半导体层906高的浓度的氢。结果，施加到电阻元件354的氧化物半导体层905的电阻值变得低于氧化物半导体层905的电阻值 施加到薄膜晶体管355的半导体层906。

公开(公告)号：JP2014131052A

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：JP2014009425

申请日：2014-01-22

Applicant: Semiconductor Energy Lab Co Ltd ,  株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： YAMAZAKI SHUNPEI ,  SAKATA JUNICHIRO

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly reliable semiconductor device comprising a thin film transistor having stable electric characteristics, and a method of manufacturing a highly reliable semiconductor device with a low cost and high productivity.SOLUTION: In a semiconductor device comprising a thin film transistor, a semiconductor layer of the thin film transistor is formed with an oxide semiconductor layer to which a metal element is added. As the metal element, at least one kind or more of metal elements of iron, nickel, cobalt, copper, gold, molybdenum, tungsten, niobium, and tantalum is used. In addition, the oxide semiconductor layer contains indium, gallium, and zinc.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件，以及制造具有低成本和高生产率的高可靠性半导体器件的方法。解决方案：在包括薄膜 晶体管，薄膜晶体管的半导体层形成有添加了金属元素的氧化物半导体层。 作为金属元素，使用铁，镍，钴，铜，金，钼，钨，铌和钽中的至少一种以上的金属元素。 此外，氧化物半导体层含有铟，镓和锌。

公开(公告)号：JP2014088626A

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：JP2013266939

申请日：2013-12-25

Applicant: Semiconductor Energy Lab Co Ltd ,  株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： YAMAZAKI SHUNPEI ,  SAKATA JUNICHIRO ,  KUWABARA HIDEAKI

IPC: C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To perform deposition while uniformly mixing deposition materials by narrowing the distance between vessels, thereby solving the problem that in the case of co-deposition, the distance between vessels becomes large because of slanting even a heater that surrounds the vessel for housing deposition materials, which results in difficulty in uniformly mixing the deposition materials.SOLUTION: This invention relates to a vessel for housing the deposition materials disposed on the deposition source of a deposition device, the vessel having an opening part and a guide part. By using such a vessel, an angle of a first deposition material darting out of the first opening is adjusted by a first guide part, thereby conducting co-deposition while mixing uniformly.

Abstract translation: 要解决的问题：为了通过缩小容器之间的距离来均匀地混合沉积材料，进行沉积，从而解决了在共沉积的情况下，由于即使围绕容器的加热器也倾斜，容器之间的距离变大， 容纳沉积材料，这导致难以均匀混合沉积材料。解决方案：本发明涉及一种用于容纳设置在沉积装置的沉积源上的沉积材料的容器，该容器具有开口部分和引导部分。 通过使用这种容器，通过第一引导部分调节从第一开口喷出的第一沉积材料的角度，从而在均匀混合的同时进行共沉积。

公开(公告)号：JP2014075587A

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：JP2013237770

申请日：2013-11-18

Applicant: Semiconductor Energy Lab Co Ltd ,  株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： YAMAZAKI SHUNPEI ,  SAKATA JUNICHIRO ,  MIYAKE HIROYUKI ,  KUWABARA HIDEAKI ,  KAWAMATA IKUKO

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/08 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L27/1251 ,  G02F1/13454 ,  G02F2201/40 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1233

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance aperture ratio of a semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device comprises a driving circuit portion and a display portion (called as a pixel portion), on the same substrate, the driving circuit portion comprises: a channel etched type thin film transistor for a driving circuit comprising a source electrode and a drain electrode constituted of metal and, comprising a channel layer constituted of an oxide semiconductor; and wiring for the driving circuit constituted of metal; and the display portion comprises a channel protective type thin film transistor for a pixel comprising a source electrode layer and a drain electrode layer constituted of an oxide conductor, and comprising a semiconductor layer constituted of the oxide semiconductor, and wiring for the display portion constituted of the oxide conductor.

Abstract translation: 要解决的问题：提高半导体器件的开口率。解决方案：半导体器件包括驱动电路部分和显示部分（称为像素部分），在同一基板上，驱动电路部分包括：通道蚀刻 用于驱动电路的薄膜晶体管，包括由金属构成的源电极和漏极，并且包括由氧化物半导体构成的沟道层; 以及由金属构成的驱动电路的接线; 并且显示部分包括用于像素的沟道保护型薄膜晶体管，其包括由氧化物导体构成的源极电极层和漏极电极层，并且包括由氧化物半导体构成的半导体层和由用于由氧化物半导体构成的显示部分的布线 氧化物导体。

公开(公告)号：JP2014068023A

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：JP2013231160

申请日：2013-11-07

Applicant: Semiconductor Energy Lab Co Ltd ,  株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： YAMAZAKI SHUNPEI ,  SAKATA JUNICHIRO ,  SAKAKURA MASAYUKI ,  OIKAWA YOSHIAKI ,  OKAZAKI KENICHI ,  MARUYAMA HODAKA

IPC: H01L51/50 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H05B33/06 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/52 ,  H01L2227/323

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a color filter structure independent of bonding accuracy of an encapsulated substrate for a display part; and provide a structure appropriate for a terminal part on a periphery of the display part.SOLUTION: In a semiconductor device, a display part includes a transistor having an oxide semiconductor layer. The display part includes a color filter layer arranged under a first electrode of a light-emitting element. Light from the light-emitting element is emitted through the color filter. At a terminal part on a periphery of the display part, a lamination structure on the pattern of a structure of the transistor is formed and potential of a conductive layer which is the same layer with a gate electrode is in a floating state. The structure takes countermeasures against static electricity and noise.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种独立于用于显示部件的封装衬底的结合精度的滤色器结构; 并且提供适合于显示部件的周边上的端子部分的结构。解决方案：在半导体器件中，显示部分包括具有氧化物半导体层的晶体管。 显示部分包括布置在发光元件的第一电极下方的滤色器层。 来自发光元件的光通过滤色器发射。 在显示部周边的端子部分，形成晶体管结构图案上的叠层结构，与栅电极相同层的导电层的电位处于浮置状态。 该结构采取对抗静电和噪声的对策。