二酸化炭素を水素と反応させることによるギ酸の製造法

    公开(公告)号:JP2014530216A

    公开(公告)日:2014-11-17

    申请号:JP2014533856

    申请日:2012-10-02

    摘要: 本発明は、ギ酸の製造法であって、(a)二酸化炭素、水素、少なくとも1種の極性溶媒並びに少なくとも1種の第三級アミンを含む反応混合物(Rg)を、少なくとも1種の錯体触媒の存在下に、水素化反応器中で、均一系触媒反応に供して、少なくとも1種の錯体触媒及び少なくとも1種の第三級アミン(A1)を含む上相(O1)と、少なくとも1種の極性溶媒、少なくとも1種の錯体触媒の残渣及び少なくとも1種のギ酸−アミン付加体を含む下相(U1)を含む二相の水素化混合物(H)を得る工程;(b)工程(a)で得られた水素化混合物(H)を、下記の工程:(b1)工程(a)で得られた水素化混合物(H)を、第一の相分離装置において、上相(O1)と下相(U1)に相分離する工程、又は(b2)工程(a)で得られた水素化混合物(H)から少なくとも1種の錯体触媒を、抽出ユニットにおいて、少なくとも1種の第三級アミン(A1)を含む抽出剤により抽出して、少なくとも1種のギ酸−アミン付加体(A2)及び少なくとも1種の極性溶媒を含む抽残物(R1)並びに少なくとも1種の第三級アミン(A1)及び少なくとも1種の錯体触媒を含む抽出物(E1)を得る工程、又は(b3)工程(a)で得られた水素化混合物(H)を、第一の相分離装置において、上相(O1)と下相(U1)に相分離し、かつ下相(U1)から少なくとも1種の錯体触媒の残渣を、抽出ユニットにおいて、少なくとも1種の第三級アミン(A1)を含む抽出剤により抽出して、少なくとも1種のギ酸−アミン付加体(A2)及び少なくとも1種の極性溶媒を含む抽残物(R2)並びに少なくとも1種の第三級アミン(A1)及び少なくとも1種の錯体触媒の残渣を含む抽出物(E2)を得る工程の1つに従って後処理する工程;(c)下相(U1)から、抽残物(R1)から又は抽残物(R2)から少なくとも1種の極性溶媒を、第一の蒸留装置において分離して、工程(a)の水素化反応器中に返送される少なくとも1種の極性溶媒を含む留出物(D1)、並びに少なくとも1種の第三級アミン(A1)を含む上相(O2)と少なくとも1種のギ酸−アミン付加体(A2)を含む下相(U2)を含む二相の缶出物混合物(S1)を得る工程;(e)缶出物混合物(S1)若しくは場合により下相(U2)に含まれた少なくとも1種のギ酸−アミン付加体(A2)を、熱解離ユニットにおいて解離して、工程(a)の水素化反応器に返送される少なくとも1種の第三級アミン(A1)と、熱解離ユニットから排出されるギ酸を得る工程を包含し、ここで、工程(c)の直前及び/又は工程(c)の間に、下相(U1)、抽残物(R1)又は抽残物(R2)に一酸化炭素を添加し、かつ/又は工程(e)の直前及び/又は工程(e)の間に、缶出物混合物(S1)若しくは場合により下相(U2)に一酸化炭素を添加する、方法に関する。