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公开(公告)号：KR102232285B1
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020207017449A
申请日：2015-07-21
Applicant: 가부시키가이샤 플로스피아
IPC: H01L29/24 , H01L21/20 , H01L27/098 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/739 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/24 , C23C16/40 , C23C16/4481 , H01L21/0242 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/20 , H01L27/098 , H01L29/04 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/66969 , H01L29/739 , H01L29/7395 , H01L29/7722 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L29/78 , H01L29/7827 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L29/812 , H01L29/8122 , H01L29/872 , H01L29/8725 , H01L33/005 , H01L33/26 , H01L33/44
Abstract: 반도체 특성, 특히 누설전류가 억제되고 내압성 및 방열성이 뛰어난 반도체막 및 판상체 및 반도체장치를 제공한다. 코랜덤 구조를 가지는 산화물반도체를 주성분으로서 포함하는 결정성 반도체막, 특히 갈륨, 인듐 및 알루미늄으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 산화물 중에서 반도체인 성분을 주성분으로서 포함하는 결정성 반도체막에 있어서, 막두께가 1μm 이상인 것을 특징으로 하는 결정성 반도체막 또는 판상체 및 상기 결정성 반도체막 또는 상기 판상체를 포함하는 반도체 구조를 갖추는 반도체장치.
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公开(公告)号：JP2018187789A
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：JP2017089519
申请日：2017-04-28
Applicant: キヤノン株式会社
CPC classification number: C23C16/45525 , B32B27/08 , B41J2/14145 , B41J2/1603 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , C23C16/40
Abstract: 【課題】 原子層堆積法により形成された膜と、その上に形成された樹脂層との間の密着信頼性が高い積層体の製造方法を提供すること。 【解決手段】 基板上131に原子層堆積法によって膜121を形成する工程と、膜121上に、酸により重合可能な化合物と酸発生剤とを含む層を形成し、該層を硬化させて樹脂層122,123を形成する工程と、を有し、膜121中の窒素原子の原子組成比率が2.5%以下であることを特徴とする積層体の製造方法。 【選択図】 図2
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公开(公告)号：JP2018147706A
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2017041318
申请日：2017-03-06
Applicant: 株式会社日本製鋼所
IPC: H05B33/02 , H01L51/50 , H05B33/10 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/30 , C23C16/50 , H05B33/04
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/04 , H05B33/10
Abstract: 【課題】表示装置の保護膜の信頼性を向上させる。 【解決手段】有機EL素子を有する表示装置の製造方法は、フレキシブル基板からなる基板11上に有機EL素子を形成する工程と、有機EL素子を覆うように、無機絶縁材料からなる保護膜16をALD法を用いて形成する工程と、を含む。保護膜16を形成する工程では、高密度層16HをALD法を用いて形成する工程と、高密度層16Hと構成元素が同じで、かつ、高密度層16Hよりも密度が低い低密度層16LをALD法を用いて形成する工程と、を交互に行うことにより、保護膜16が形成される。保護膜16は、一層以上の高密度層16Hと一層以上の低密度層16Lとからなり、かつ、低密度層16Lと高密度層16Hとが互いに接するように交互に積層された積層構造を有する。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JPWO2017090765A1
公开(公告)日：2018-09-06
申请号：JP2016085150
申请日：2016-11-28
Applicant: 京セラ株式会社
Abstract: 一態様の切削工具は、基体と、基体の表面に位置する被覆層とを備え、被覆層は、下層と、上層と、下層及び上層の間に位置する中間層とを有している。中間層は、TiC x1 N y1 O z1 (0≦x1 x2 N y2 O z2 (0≦x2
x3N
y3 O
z3 (0≦x3 z3、かつ、z2>z3である。-
公开(公告)号：JP2018118989A
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2018064077
申请日：2018-03-29
Inventor： ガティノ 論子 , コ チャンヒ , ジャン−マルク ジラール , ジュリアン ガティノ
IPC: C07F19/00
CPC classification number: C23C16/06 , C07F15/06 , C23C16/18 , C23C16/28 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/406 , C23C16/42 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/76841
Abstract: 【課題】コバルト含有膜の堆積に好適なコバルト化合物の提供。 【解決手段】式で表されるコバルト含有化合物。 (R 1 、R 2 、R 3 、R 4 及びR 5 は各々独立してH及び直鎖、環状又は分岐炭化水素基からなる群から選択される。但し(a)R 1 及びR 2 及びR 3 が炭化水素基である場合にR 1 ≠R 2 及び/又はR 3 であり、(b)R 3 がHである場合にR 1 及びR 2 は炭化水素基であり、又は(c)R 2 及びR 3 がHである場合にR 1 はC2〜C4炭化水素基である) 【選択図】なし
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2017057399A1
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：JP2016078524
申请日：2016-09-27
Applicant: 日精エー・エス・ビー機械株式会社
Abstract: ボトル(1)の内表面に有機ケイ素化合物でコーティング膜(5)を形成し、溶剤を使用して内表面から剥離したコーティング膜(5)に対して赤外分光法による測定を行ったとき、有機ケイ素化合物の主骨格と剥離されたコーティング膜(5)に残存したプラスチックとに由来する赤外吸収スペクトルが複合したピークをPeak1、側鎖(Si-CH 3 )と残存したプラスチックとに由来する赤外吸収スペクトルが複合したピークをPeak2、残存したプラスチックのうちC=Oに由来する赤外吸収スペクトルのピークをPeak3、側鎖(Si-H)に由来する赤外吸収スペクトルのピークをPeak4としたとき、(Peak4/Peak1)が0より大きく0.2以下であり、(Peak2/Peak3)が0.75以上2.4以下である。
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公开(公告)号：JP2018103288A
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：JP2016250578
申请日：2016-12-26
Applicant: 京セラ株式会社
Inventor： 児玉 芳和
Abstract: 【課題】耐熱性が良好なインサート及び切削工具を提供する。 【解決手段】一態様のインサートは、第1面と、第2面と、第1面及び第2面が交わる稜線の少なくとも一部に位置する切刃とを有している。また、一態様の切削インサートは、基体と、基体の上に位置して、チタン化合物を含有する第1層と、第1層の上に位置して、α−アルミナ及びκ−アルミナを含有する第2層とを有している。第2層は、切刃に沿って位置する第1領域と、第1面に位置して第1領域に隣接する第2領域と、第2面に位置して第1領域に隣接する第3領域とを有し、第1領域は、第2領域及び第3領域よりもα−アルミナの含有比率が高い。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6317370B2
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：JP2015555837
申请日：2014-01-31
Inventor： ガティノ 論子 , コ チャンヒ , ジャン−マルク ジラール , ジュリアン ガティノ
CPC classification number: C23C16/06 , C07F15/06 , C23C16/18 , C23C16/28 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/406 , C23C16/42 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/76841
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公开(公告)号：JP6306835B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2013155709
申请日：2013-07-26
Inventor： クリストフ・アデルマン , マウゴジャータ・ユルチャク
IPC: H01L21/316 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239 , H01L27/105 , C23C16/32
CPC classification number: H01L45/147 , C01G27/006 , C08K3/04 , C08K3/08 , C23C16/32 , C23C16/40 , C23C16/405 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , H01L45/1233 , H01L45/1616
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公开(公告)号：JP2017122283A
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：JP2017075030
申请日：2017-04-05
Applicant: ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ , ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション
Inventor： プラシャント・マンドリク , シグルド・ワグナー , ジェフリー・エー・シルヴァーネイル , ルイキン・マ , ジュリア・ジェイ・ブラウン , リン・ハン
IPC: H01L51/50 , H05B33/04 , H05B33/06 , C23C16/509
CPC classification number: H01L51/5253 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/04 , C23C16/22 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/45523 , C23C16/505 , C23C16/517 , C23C16/52 , C23C30/00 , H01L51/5203 , H01L51/5259 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/566
Abstract: 【課題】本発明は、電子デバイス用のバリアコーティングに関する。 【解決手段】有機デバイス本体を含む電子デバイスを保護するための方法。この方法は化学気相成長法によって蒸着されたハイブリッド層の使用を伴う。ハイブリッド層はポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含み、ポリマー材料の非ポリマー材料に対する重量比は95:5〜5:95の範囲であり、ポリマー材料及び非ポリマー材料は同一の前駆体物質原料から形成される。また、環境汚染物の横方拡散を防ぐための技術が開示される。 【選択図】図1
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