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    プラズマガス照射装置
    3.
    发明专利
    プラズマガス照射装置 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2016042595A1

    公开(公告)日：2017-07-13

    申请号：JP2016548459

    申请日：2014-09-16

    申请人： 富士機械製造株式会社

    发明人： 俊之 池戸 ,  俊之 池戸 ,  神藤　高広 ,  高広 神藤

    IPC分类号： H05H1/24

    CPC分类号： H01J37/3244 ,  H01J37/32834 ,  H05H1/24 ,  H05H1/341 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/466

    摘要： プラズマガスを照射するプラズマガス照射装置において、プラズマ処理能力の低下を抑制する。下流側ハウジング20bに形成された内側ガス噴出口56からプラズマガスが噴出させられ、ハウジング20bとカバー部28との間の保護ガス室70に保護ガスとしての窒素ガスが供給される。プラズマガスの内側ガス噴出口56からの噴出に伴って窒素ガスが巻き込まれ、外側ガス噴出口62から噴出させられる。この場合に、プラズマガスGpの周辺に窒素ガスGcの層が形成されるため、プラズマガスGpが大気と接触し難くすることができ、プラズマガスGp中のラジカル等の反応種と大気中に酸素等とが反応し難くすることができる。その結果、プラズマガスGpのプラズマ処理能力の低下を抑制し、良好に被処理物にプラズマ処理が行われるようにすることができる。

    熱的および非熱的組織効果のための可変周波数励起プラズマデバイス
    6.
    发明专利
    熱的および非熱的組織効果のための可変周波数励起プラズマデバイス 审中-公开
    用于热和非热组织效应的可变频率激发等离子体装置

    公开(公告)号：JP2015160134A

    公开(公告)日：2015-09-07

    申请号：JP2014260295

    申请日：2014-12-24

    申请人： コヴィディエン リミテッド パートナーシップ

    发明人： ジェイムズ イー. トンプソン ,  ダニエル エー. フリードリヒ

    IPC分类号： A61B18/00

    CPC分类号： H05H1/46 ,  A61B18/042 ,  A61B18/1206 ,  A61B2018/00732 ,  A61B2018/00863 ,  H05H2001/466 ,  H05H2245/122 ,  H05H2277/10

    摘要： 【課題】表面処理および組織治療のためのプラズマデバイスおよびプロセスを提供する。 【解決手段】プラズマシステム10は、中を通る管腔を規定する、細長い本体120と、第1の電極および第2の電極とを含む、プラズマ器具12と、管腔と流体連通し、かつ管腔にイオン性媒体を供給するように構成されたイオン性媒体ソース16と、プラズマ流入を発生させるために、イオン性媒体ソースによって供給されるイオン性媒体を発火させるために十分なエネルギーを第1および第2の電極に供給するように構成されている、可変周波数エネルギーソースとを含み、エネルギーの周波数は、プラズマ流出の少なくとも1つの特性を変更するように調整可能である。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供用于表面处理和组织处理的等离子体装置和方法。解决方案：等离子体系统10包括：等离子体仪器12，其具有限定通过其中的腔的细长主体120，以及第一电极和第二电极; 可离子化介质源16，其与所述内腔流体连通并且被配置为向所述内腔供应可离子化介质; 以及可变频率能量源，其被配置为向所述第一和第二电极供应足够的能量以点燃由所述可电离介质源供应的可离子化介质以产生等离子体流入物，其中所述能量的频率可调整以修改等离子体的至少一个性质 流出物。

    Tuning of parameter associated with plasma impedance
    7.
    发明专利
    Tuning of parameter associated with plasma impedance 审中-公开
    与等离子体阻抗相关的参数调谐

    公开(公告)号：JP2014146593A

    公开(公告)日：2014-08-14

    申请号：JP2014003009

    申请日：2014-01-10

    申请人： Lam Research Corporation ,  ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation

    发明人： JOHN C VALCORE JR ,  BRADFORD J LYNDAKER

    IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3065

    CPC分类号： H01J37/32183 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/466 ,  H05H2001/4682

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide methods for tuning a parameter associated with plasma impedance.SOLUTION: One of the methods includes receiving 104 information to determine a variable. The information is measured at a transmission line and is measured when a parameter has a first value. The transmission line is used to provide power to a plasma chamber. The method further includes determining 112 whether the variable is at a local minimum, and providing 118 the first value to tune an impedance matching circuit upon determining that the variable is at a local minimum. The method includes changing 122 the first value to a second value of the parameter upon determining that the variable is not at a local minimum, and determining whether the variable is at a local minimum when the parameter has the second value.

    摘要翻译： 要解决的问题：提供用于调整与等离子体阻抗相关联的参数的方法。解决方案：其中一种方法包括接收104个信息以确定变量。 该信息在传输线路处测量，并且在参数具有第一值时进行测量。 传输线用于向等离子体室供电。 该方法还包括确定112变量是否处于局部最小值，并且在确定变量处于局部最小值时提供118第一值以调谐阻抗匹配电路。 该方法包括在确定变量不在局部最小值时将第一值改变为参数的第二值，并且当参数具有第二值时，确定变量是否处于局部最小值。

    Thin film formation method
    10.
    发明专利
    Thin film formation method 有权
    薄膜形成方法

    公开(公告)号：JP2009235576A

    公开(公告)日：2009-10-15

    申请号：JP2009137019

    申请日：2009-06-08

    申请人： Konica Minolta Holdings Inc ,  コニカミノルタホールディングス株式会社

    发明人： FUKUDA KAZUHIRO ,  OISHI KIYOSHI ,  KONDO YOSHIKAZU ,  TODA YOSHIRO ,  NISHIWAKI AKIRA ,  MOROHOSHI YASUO

    IPC分类号： C23C16/509 ,  C23C16/453 ,  C23C16/505 ,  G02B1/11 ,  G02B1/116 ,  G02B1/14 ,  G02B1/18 ,  H01L21/205 ,  H01L21/316 ,  H05H1/24

    CPC分类号： C23C16/545 ,  C23C16/453 ,  C23C16/505 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/466 ,  H05H2001/485 ,  H05H2240/10

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film formation method capable of achieving high density plasma, and manufacturing a high quality thin film by using inexpensive discharge gas such as nitrogen. SOLUTION: By the thin film formation method using an atmospheric pressure plasma discharge apparatus 10, the thin film is formed by applying a high-frequency electric field having a relationship V1≥IV>V 2 or V1>IV≥V 2 when the intensity (kV/mm) of the high-frequency electric field applied from a first electrode 11 is defined as V 1 , the intensity (kV/mm) of the high-frequency electric field applied from a second electrode 12 is defined as V 2 , the intensity of the discharge starting electric field (kV/mm) as IV, the output density of the high-frequency electric field applied from a second electrode as 1W/cm 2 , and 90 to 99.9 vol% of the amount of the entire gas supplied to the discharge space being discharges gas. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

    摘要翻译： 要解决的问题：提供能够实现高密度等离子体的薄膜形成方法，并且通过使用廉价的诸如氮气的放电气体制造高质量的薄膜。 解决方案：通过使用大气压等离子体放电装置10的薄膜形成方法，通过施加具有关系V1≥IV> V 2 的高频电场或 当从第一电极11施加的高频电场的强度（kV / mm）定义为V 1 时，V1>IV≥V 2 ，强度（ 从第二电极12施加的高频电场的kV / mm被定义为V SB> 2 ，放电起始电场强度（kV / mm）为IV，输出密度 从第二电极施加的高频电场为1W / cm 2 SP / 2，以及供给到放电空间的全部气体的量的90〜99.9vol％排出气体。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT