公开(公告)号：KR20210031518A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：KR1020217006308A

申请日：2019-08-01

申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크

发明人： 매튜 디. 로울리 ,  아담 제이. 히엡

IPC分类号： G06F1/3234 ,  G06F1/3206

CPC分类号： G06F1/3296 ,  G06F1/325 ,  G06F1/3275 ,  G06F1/3206 ,  G06F1/3209 ,  G06F1/3243 ,  G06F9/44505 ,  Y02D10/00

摘要： 전력 관리 시스템은 복수의 구성 프로파일들을 저장한 메모리 컴포넌트를 포함한다. 복수의 구성 핀들은 메모리 컴포넌트에 동작 가능하게 결합된다. 복수의 구성 핀들 중 하나 이상은 복수의 구성 프로파일들 중 하나를 선택적으로 활성화하기 위해 하나 이상의 신호들을 수신한다.

公开(公告)号：JP6426458B2

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：JP2014252805

申请日：2014-12-15

申请人： 三星電子株式会社 ,  Samsung Electronics Co.,Ltd.

发明人： ザン・ピン ,  ロバート・ブレナン ,  ジェイソン・マーティノー

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F1/206 ,  G06F1/3221 ,  G06F1/3225 ,  G06F1/3268 ,  G06F1/3275 ,  G06F1/329 ,  G06F3/06 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0634 ,  G06F3/067 ,  G06F12/02 ,  G06F12/06 ,  G06F2212/1028 ,  Y02D10/13 ,  Y02D10/14 ,  Y02D10/154 ,  Y02D10/24

公开(公告)号：JP6423090B2

公开(公告)日：2018-11-14

申请号：JP2017520886

申请日：2015-10-10

申请人： ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド

发明人： チェン、ウェイ ,  ヤン、トンツェン ,  ウェイ、コンガン

IPC分类号： G06F15/177 ,  G06F1/26 ,  G06F1/06

CPC分类号： G06F1/324 ,  G06F1/3275 ,  G06F1/3287 ,  G06F1/3293 ,  G06F1/3296 ,  Y02D10/126 ,  Y02D10/14 ,  Y02D10/171 ,  Y02D10/172 ,  Y02D50/20

公开(公告)号：JP6396627B1

公开(公告)日：2018-09-26

申请号：JP2018515263

申请日：2016-09-09

申请人： クゥアルコム・インコーポレイテッド ,  QUALCOMM INCORPORATED

发明人： ブルーノッリ、マイケル ,  ティレニウス、スティーブン ,  イサカニアン、パトリック ,  スリニバス、バイシュナフ

IPC分类号： G11C5/06 ,  G11C7/10 ,  G06F12/00

CPC分类号： G06F1/3275 ,  G06F1/32 ,  G06F1/3209 ,  G06F1/3287 ,  G06F1/3296 ,  G06F13/16 ,  G06F13/4086 ,  G06F13/4243 ,  G11C7/1072 ,  G11C11/4074 ,  H04L25/0278 ,  Y02D10/14 ,  Y02D10/172 ,  Y02D50/20

摘要： メモリインタフェースは、プルアップデバイスと、プルダウンデバイスと、ここにおいて、プルアップデバイスは、電力レールとデータ回線との間を結合し、プルダウンデバイスは、データ回線と接地との間を結合する、データ回線に結合される受信メモリインタフェースがアクティブなオンダイ終端を有する、終端されたデータ伝送モードの間、電力レールに第1の電源電圧を供給するように構成される電源と、ここにおいて、電源は、オンダイ終端がデータ回線をロードしない、終端されていないデータ伝送モードの間、電力レールに第2の電源電圧を供給するようにさらに構成され、第2の電源電圧は、第1の電源電圧より小さい、を含む。

公开(公告)号：JP2018118443A

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：JP2017011391

申请日：2017-01-25

申请人： キヤノン株式会社

发明人： 橋本 実

IPC分类号： G06F1/32 ,  H04N1/00 ,  G03G21/00 ,  G06F12/00 ,  B41J29/38

CPC分类号： G06F1/3287 ,  G06F1/3221 ,  G06F1/3268 ,  G06F1/3275 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/068 ,  Y02D10/14 ,  Y02D10/154 ,  Y02D10/171

摘要： 【課題】記憶装置システムに設けられる記憶装置のタイプに適した省電力制御を行えるようにする技術を提供する。 【解決手段】記憶装置システム119のサブCPU203は、SATAブリッジ112に接続された記憶装置がHDD(第1タイプ)であるかSSD(第2タイプ)であるかを予め判別する。サブCPU203は、記憶装置のタイプを区別していない省電力移行指示を、SATAコントローラ111を介してメインCPUから受信すると、記憶装置を省電力状態へ移行させる電力制御を行うよう、判別したタイプに対応する電力制御部に指示する。サブCPU203は、判別したタイプがHDDである場合には、GPIO204(電源制御部114)に電力制御を指示し、判別したタイプがSSDである場合には、SATAホストI/F202a,202bに、記憶装置を省電力状態へ移行させる。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2018515980A

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2017556152

申请日：2016-04-04

申请人： クアルコム テクノロジーズ インターナショナル,リミテッド

发明人： ロバート・イアン・エワート・マクビン

IPC分类号： H02J7/00 ,  H04M1/73

CPC分类号： G06F1/3275 ,  G06F1/3296 ,  H04W52/0251 ,  H04W52/0261 ,  Y02D70/144 ,  Y02D70/26

摘要： ワイヤレスデバイスの電源管理のための方法が記述される。本方法は、プロセッサが動作状態にある期間中に揮発性ストレージデバイスに第1の電圧レベルを供給することと、プロセッサが低電力状態にある期間中にデータを保持するためにストレージデバイスに、第1の電圧レベルより低い第2の電圧レベルを供給することと、第2の電圧レベルの値を決定することとを含む。第2の電圧レベルは、所定のしきい値未満のデータ誤り数を与える最小の第2の電圧レベルを見つけるために、ストレージデバイスのセルフテストを実行することによって決定される。

公开(公告)号：JP6325181B1

公开(公告)日：2018-05-16

申请号：JP2017556628

申请日：2016-03-28

申请人： クゥアルコム・インコーポレイテッド ,  QUALCOMM INCORPORATED

发明人： タハ、アリ ,  チュン、デクスター・タミオ

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/06

CPC分类号： G06F1/3275 ,  G06F1/3287 ,  G06F12/0238 ,  G06F2212/1028 ,  G06F2212/202 ,  G06F2212/205 ,  G06F2212/7203 ,  G11C11/406 ,  G11C14/0009 ,  G11C14/0054 ,  Y02D10/13 ,  Y02D10/14

摘要： メモリ電力低減のための方法および装置が、提供される。装置は、プロセッサのアイドル状態の間、データをDRAMまたはNVRAMのどちらに記憶するかを、DRAMに中のデータをリフレッシュすることと、プロセッサによるDRAMに記憶されたデータの使用とに関連したDRAMによる電力消費に基づいて、プロセッサによるNVRAMに記憶されたデータの使用に関連したNVRAMによる電力消費に基づいて、ならびにデータに関連して第1の電力状態および第2の電力状態において引き出される電流に関連付けられるデューティサイクルに基づいて、決定する。NVRAMは、フラッシュメモリ以外の不揮発性ランダムアクセスメモリのタイプである。プロセッサは、データをDRAMまたはNVRAMのどちらに記憶するかの決定に基づいて、データをDRAMまたはNVRAMのうちの1つに記憶する。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP2017220244A

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：JP2017138785

申请日：2017-07-18

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 岩城 裕司 ,  今藤 敏和

IPC分类号： G06F12/08 ,  G06F12/00 ,  G11C11/405 ,  G11C11/4074 ,  G11C5/14 ,  G06F1/32 ,  G06F1/26 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  G06F12/06

CPC分类号： G06F12/1063 ,  G06F1/32 ,  G06F1/3225 ,  G06F1/3275 ,  G06F12/0862 ,  G06F12/1036 ,  G06F12/109 ,  G06F2212/1028 ,  G06F2212/2024 ,  Y02D10/13 ,  Y02D10/14

摘要： 【課題】電子計算機などにおける消費電力の低減を図る。 【解決手段】仮想記憶管理が行われる際に用いられる主記憶装置として複数のセグメント に分割された不揮発性メモリを適用する。そして、複数のセグメントに対する電力供給を 適宜停止する。この場合、特定のセグメントに利用されている物理アドレスが存在する場 合であっても、当該物理アドレスに保持されているコード又はデータが消失することがな い。その結果、仮想記憶管理を行う電子計算機などにおいて、動作遅延を生じさせること なく消費電力の低減を図ることが可能となる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017157156A

公开(公告)日：2017-09-07

申请号：JP2016042536

申请日：2016-03-04

申请人： 富士通株式会社

发明人： 野呂 正明

IPC分类号： G06F3/08 ,  G06F3/06 ,  G06F1/30

CPC分类号： G06F3/0625 ,  G06F1/163 ,  G06F1/3275 ,  G06F1/3287 ,  G06F12/08 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/065 ,  G06F3/0688

摘要： 【課題】活動状態におけるデータ退避のための書き込み頻度を削減し、ストレージの寿命短縮を抑制すること。 【解決手段】事前複写作成部21が、バックグラウンドに切り替えられたアプリが使用するメモリ領域のコピーを作成するとともに、メモリ管理表を更新する。そして、ハイバネーション状態に遷移する際に、未複写領域退避部22が、メモリ管理表を参照して、アプリが使用するメモリ領域のうち事前複写作成部21によりコピーが作成されたメモリ領域を除くメモリ領域のコピーを作成する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2017138853A

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：JP2016020117

申请日：2016-02-04

申请人： 株式会社東芝

发明人： 城田 祐介 ,  金井 達徳 ,  吉村 礎 ,  白井 智

IPC分类号： G06F12/12 ,  G06F12/08 ,  G06F1/32 ,  G06F1/26 ,  G06F9/48

CPC分类号： G06F1/3275 ,  G06F1/08 ,  G06F1/324 ,  G06F1/329 ,  G06F1/3296

摘要： 【課題】処理装置の速度性能を担保しつつ省電力化を図る。 【解決手段】実施形態の情報処理装置は、処理装置と第1メモリと第2メモリと領域制御部とを備える。処理装置は、第1データを処理する。第1メモリは、第1データの少なくとも一部を記憶する。第2メモリは、第1データの一部を記憶する。有効領域は、第1メモリのうち、少なくともデータの内容の保持に必要な第1電力が供給される領域である。領域制御部は、1以上の有効領域より大きいサイズの第1データを処理するための期間内の一定期間において、第1メモリに記憶されたデータを示す第2データのうち少なくとも一部を第2メモリへ移動し、かつ第2メモリに記憶されたデータを示す第3データのうち少なくとも一部を第1メモリへ移動するための処理量を示す処理情報が閾値以下になるよう、有効領域の数を変化させる。 【選択図】図1