公开(公告)号：JP2008210775A

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：JP2007236851

申请日：2007-09-12

Applicant: Sumitomo Electric Ind Ltd ,  住友電気工業株式会社

Inventor： UEDA AKIHIKO ,  YAMAMOTO YOSHIYUKI ,  NISHIBAYASHI YOSHIKI ,  IMAI TAKAHIRO

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J37/073

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J37/065 ,  H01J37/073 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30419 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26 ,  H01J2237/3137 ,  H01J2237/3146 ,  H01J2237/31749 ,  H01J2237/3175

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a diamond electron source and its manufacturing method wherein one sharp-pointed section as an electron emission point for use in an electron beam device such as an electron microscope is formed at one end of a columnar diamond single crystal having a size where resist coating is difficult in a microfabrication process. SOLUTION: One end of the columnar diamond single crystal 10 is polished to form a smooth flat surface 11, and a ceramic layer 12 is formed on the smooth flat surface 11. After a thin film layer 14 having a predetermined shape is deposited on the ceramic layer 12 by using a focused ion beam system, the ceramic layer 12 is patterned by etching using the thin film layer 14 as a mask. One sharp-pointed section is formed at the one end of the columnar diamond single crystal 10 by dry etching using the formed ceramic mask. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种金刚石电子源及其制造方法，其中在柱状金刚石的一端形成作为用于诸如电子显微镜的电子束装置中的电子发射点的尖锐部分 具有在微细加工过程中难以进行抗蚀剂涂层的尺寸的单晶。

解决方案：抛光柱状金刚石单晶10的一端以形成光滑的平坦表面11，并且在光滑的平坦表面11上形成陶瓷层12.在沉积具有预定形状的薄膜层14之后 通过使用聚焦离子束系统在陶瓷层12上，通过使用薄膜层14作为掩模的蚀刻来对陶瓷层12进行图案化。 通过使用形成的陶瓷掩模的干蚀刻，在柱状金刚石单晶10的一端形成一个尖锐部分。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2011258470A

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：JP2010133289

申请日：2010-06-10

Applicant: Canon Inc ,  キヤノン株式会社

Inventor： KITAMURA SHIN ,  AOKI NAOFUMI ,  MURAKAMI YOICHI ,  AOKI KOTA ,  TSUKAMOTO TAKEO

IPC: H01J1/304 ,  H01J1/316 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01J35/06

CPC classification number: H01J31/127 ,  H01J1/3044 ,  H01J29/04 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2329/0413

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron emission element which achieves both a stable electron emission characteristic and a low work function.SOLUTION: The field emission type electron emission element is provided with a cathode in which lanthanum oxide and molybdenum oxide are mixed.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种实现稳定的电子发射特性和低功函数的电子发射元件。 解决方案：场发射型电子发射元件设置有混合氧化镧和氧化钼的阴极。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2004288547A

公开(公告)日：2004-10-14

申请号：JP2003081188

申请日：2003-03-24

Applicant: Matsushita Electric Ind Co Ltd ,  National Institute Of Advanced Industrial & Technology ,  松下電器産業株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： KOGA KEISUKE ,  YAMAMOTO MUTSUMI ,  SHIODA AKINORI ,  NAGAO MASAYOSHI ,  KANAMARU MASATAKE

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J31/20

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30407

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a stable field emission type electron source without lowering a current even if operated for a long time under a high current density. SOLUTION: A field emission type electron source 100 comprises a substrate 6; insulating layers 4 formed on the substrate 6 so as to have a plurality of openings 5; cathodes 2 disposed at each opening 5 respectively, so as to discharge electron beams; lead out electrodes 3 formed on the insulating layers 4 so as to control the discharge of the electrons from each cathode 2; and a surface reformation layers 1 formed on the surface of the cathodes 2, discharging electron by chemical bonding between a cathode material composing the cathodes 2 and a material different from the cathode material. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

公开(公告)号：JP2008519423A

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：JP2007540377

申请日：2005-11-01

Applicant: バイオメド・ソリューションズ・エルエルシー

Inventor： シュナイカー，コンラッド・ダブリュー

IPC: H01J37/073 ,  G21K1/08 ,  H01J1/304 ,  H01J37/12 ,  H01J37/16

CPC classification number: G21K1/08 ,  B33Y80/00 ,  G21K5/04 ,  H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J9/025 ,  H01J37/065 ,  H01J37/073 ,  H01J37/12 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2237/062 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/06375 ,  H01J2237/1205 ,  H01J2237/1207

Abstract: 基板上に形成されたナノ先端電子エミッタおよびトンネル放出接合部と、初期電子ビーム引出し電極と、「ナノサンドイッチアインツェル」電極と、最上部保護層とを有する多層構造を含む固体状態サブナノメートルスケール電子ビームエミッタ。
【選択図】 図１

Abstract translation: 一种固态亚纳米级电子束发射器，其包括具有形成在衬底上的纳米尖端电子发射体和隧道发射结的多层结构，初始电子束提取电极，“纳米夹心Einzel”电极和 最上层的保护层。

公开(公告)号：JP2004241368A

公开(公告)日：2004-08-26

申请号：JP2003166800

申请日：2003-06-11

Applicant: Sharp Corp ,  シャープ株式会社

Inventor： NAGASAKA YUKIKO ,  KITAMURA KAZUYA ,  TAMURA HISAHIRO

IPC: H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30469

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and system for manufacturing a field emission display, in which a regularly arranged sharp emitter is manufactured with high precision and a high level of productivity without need of complicated manufacturing steps and complicated optical systems. SOLUTION: The method and system comprises a first step for forming a conductive film 16 for forming a cathode electrode on a glass substrate 15 as a base plate, a second step for applying a positive resist 17 as a photosensitive material on the conductive film 16, a third step for exposing the resist to form an opening 20 corresponding to the shape of the emitter 22 by applying the light from a light source as a parallel light having a homogeneous light intensity distribution into a micro lens array 18 and converging the applied light into the positive resist 17 with the micro lens array 18, and a fourth step for forming an emitter 22 in each opening 20. COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

公开(公告)号：JP5034804B2

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：JP2007236851

申请日：2007-09-12

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 貴浩 今井 ,  喜之 山本 ,  暁彦 植田 ,  良樹 西林

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J37/073

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J37/065 ,  H01J37/073 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30419 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26 ,  H01J2237/3137 ,  H01J2237/3146 ,  H01J2237/31749 ,  H01J2237/3175

公开(公告)号：JP3457054B2

公开(公告)日：2003-10-14

申请号：JP8547394

申请日：1994-03-30

Applicant: シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト

Inventor： ヘンライン ウオルフガング ,  シユテングル ラインハルト

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J21/10

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J9/025 ,  H01J21/105 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30407

公开(公告)号：JP4037324B2

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：JP2003166800

申请日：2003-06-11

Applicant: シャープ株式会社

Inventor： 和也 北村 ,  壽宏 田村 ,  由起子 長坂

IPC: H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30469

公开(公告)号：JP2006524895A

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：JP2006506894

申请日：2004-04-26

Applicant: コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィKoninklijke Philips Electronics N.V.

Inventor： エム フィセール，ヒューホ ,  イェー フィンク，テューニス ,  アー フェルスフーレン，マルキュス

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J3/02

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2329/00

Abstract: 電解放出装置（1）は、例えば電解放出型ディスプレイ（FED）において電子放出の際に利用される。 電解放出先端部（40）は、電解放出装置（1）の電子放出に用いられる。 電解放出装置（1）の作動中、電解放出先端部（40）に電気的に接続された第1の電極（4）と、第2の電極（34）の間に電圧が印加されると、電解放出先端部（40）は、電子を放出する。 電解放出先端部（40）を構成するため、第1の電極（4）が提供された基板（2）には、液体材料の層が設置される。 液体材料の層は、パターン化されたスタンプによってエンボス加工された後に硬化処理され、電解放出先端構造部（20）が形成される。 電解放出先端構造部（20）上には、導電性薄膜（38）が設置され、第1の電極（4）と電気的に接続された電解放出先端部（40）が形成される。

公开(公告)号：JP2005530328A

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：JP2004515026

申请日：2003-06-19

Applicant: ザ・ユニバーシティ・コート・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ダンディ

Inventor： シャノン，ジョン ,  シルバ，ラヴィ ,  ハイト，ヤノシュ，ピーター ,  ローズ，マーヴィン，ジョン

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J1/62 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01J1/3044 ,  G02F2001/133625 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30446 ,  H01L51/5225

Abstract: フラットパネルディスプレイ等の表示素子において使用できる、改良された電界放出素子（３０）が開示される。 公知の素子やディスプレイでは、製造の複雑さや色域の制限といった問題がある。 そこで、素子（３０）は、略半導体ベースの材料で形成され、複数の成長チップ（３２）を備える電界放出バックプレート（３８）を提供する。 さらに、素子（３０）は、蛍光物質が化学結合した少なくとも一つのエレクトロルミネセンスおよび／またはフォトルミネセンス材料（３４）、すなわち、蛍光染料がドープされた材料を備える。