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公开(公告)号：JP2015156475A
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：JP2014249164
申请日：2014-12-09
申请人： 株式会社デンソー
CPC分类号： H01L23/3675 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K3/087 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , B23K2201/40 , H01L2224/05554 , H01L2224/29101 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83815 , H01L2224/83986 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/38
摘要： 【課題】溶融接合時に生じる半導体素子の傾きを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】半導体装置10は、第1ヒートシンク18上に、はんだ16を介して半導体素子12が積層配置され、半導体素子12上に、はんだ20を介してターミナル22が積層配置された状態で、はんだ16,20がともにリフローされてなる。ターミナル22は、積層の方向に垂直な面内において重さが偏っている。これにより、積層の方向からの投影視において、ターミナル22の重心位置Cgが、半導体素子12の中心位置C1と一致している。 【選択図】図4
摘要翻译： 半导体器件包括：在第一面上具有焊料区域和非焊接区域的半导体元件; 设置在所述半导体元件的第一面上的第一金属构件; 设置在所述半导体元件的背面上的第二金属构件; 连接半导体元件的焊料区域和第一金属部件的第一焊料; 以及连接半导体元件的后表面和第二金属构件的第二焊料。 至少第二焊料提供熔融粘合。 第一金属构件的重心位置与半导体元件的从堆叠方向的投影视图的中心位置重合。
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公开(公告)号：JP6269458B2
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：JP2014249164
申请日：2014-12-09
申请人： 株式会社デンソー
CPC分类号： H01L23/3675 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K3/087 , B23K2101/40 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/05554 , H01L2224/29101 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83815 , H01L2224/83986 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/38 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/014
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