超音波トランスデューサ及びその製造方法

    公开(公告)号:JP2017201782A

    公开(公告)日:2017-11-09

    申请号:JP2017086020

    申请日:2017-04-25

    发明人: 冨吉 俊夫

    IPC分类号: H04R17/00 H04R31/00

    摘要: 【課題】超音波トランスデューサ上に保護膜などの部材を設ける際に、気泡の混入を抑制し、接着面積を十分にとること。 【解決手段】超音波トランスデューサの製造方法において、基板100上に超音波トランスデューサ101を設け、音響整合層103が設けられた保護膜102を用意する。そして、音響整合層103が設けられた保護膜102を超音波トランスデューサ101上に、音響整合層103と超音波トランスデューサ101とが接するように設ける。 【選択図】 図1