公开(公告)号：JP6429412B2

公开(公告)日：2018-11-28

申请号：JP2016573336

申请日：2016-01-29

申请人： 富士フイルム株式会社

发明人： 牧野 雅臣 ,  望月 宏顕 ,  三村 智則 ,  目黒 克彦

IPC分类号： H01M4/62 ,  H01M10/052 ,  H01M10/056 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139 ,  H01M10/0585 ,  H01M10/0562

CPC分类号： H01L51/0041 ,  C01F17/0012 ,  C08F10/00 ,  C08F38/02 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0575 ,  H01M4/13 ,  H01M10/052 ,  H01M10/056 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0565 ,  Y02T10/7011

公开(公告)号：JP5596912B2

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：JP2008212169

申请日：2008-08-20

申请人： キヤノン株式会社

发明人： 岳之 曽根 ,  アルブレヒト オットー ,  外充 池田 ,  洋一 大塚 ,  亨治 矢野

IPC分类号： C08F293/00 ,  H01B1/12

CPC分类号： C08F297/00 ,  B82Y10/00 ,  C08F38/00 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/0595

公开(公告)号：JP5473225B2

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：JP2008006930

申请日：2008-01-16

申请人： キヤノン株式会社

发明人： 岳之 曽根 ,  アルブレヒト オットー ,  亨治 矢野

IPC分类号： C08F297/06

CPC分类号： H01L51/0041 ,  C08F297/00 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5048

公开(公告)号：JPWO2004068912A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：JP2004567527

申请日：2003-01-30

申请人： 富士写真フイルム株式会社

发明人： 雄一郎 板井 ,  雄一郎 板井 ,  平志 飯田 ,  平志 飯田 ,  淳 児玉 ,  淳 児玉

IPC分类号： H01L51/50 ,  C09K11/06 ,  H01L21/312 ,  H01L51/00 ,  H01L51/30 ,  H05B33/22

CPC分类号： H05B33/22 ,  H01L21/3127 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/007 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/5088 ,  Y10S428/917 ,  Y10T428/31515

摘要： より低電圧で同輝度を実現可能であり、負バイアスでのリーク電流が少なく良好なダイオード特性を示し、信頼性の高い有機EL素子等を提供することを目的とする。正極及び負極の間に正孔注入層を少なくとも含む有機薄膜層を有してなり、該正孔注入層がパーフルオロポリエーテル化合物を含有する有機EL素子である。パーフルオロポリエーテル化合物が構造式(1)及び(2)のいずれかで表される態様等が好ましい。構造式(1)及び(2)中、R1、R2及びR3は水素原子、フッ素原子又は置換基を表す。Rfは構造式(3)で表されるパーフルオロポリエーテル骨格を表す。構造式(3)中、R4及びR5は−CpF2p+1(pは0以上の整数を表す)を表す。n及びmは0以上の整数を表す。x及びyは1以上の整数を表す。

公开(公告)号：JP2006505938A

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：JP2004549920

申请日：2003-07-10

申请人： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated

发明人： オコロアンヤンウ ウゾディンマ ,  ケイ． パングル スゼット ,  エイチ． トリプサス ニコラス ,  エイ． バンブスカーク マイケル

IPC分类号： H01L27/28 ,  G11C11/56 ,  G11C13/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0016 ,  H01L27/28 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0078

摘要： 本発明は、多層の有機メモリデバイス（１０，２４，２８，３４，５４，５８，７４，７８，１００，７００，７０４）を与え、非揮発性メモリデバイスとしてオペレートし得るし、その中に構築された複数のスタックされた及び／又はパラレルメモリを有する。 複数セルと多層有機メモリコンポーネント（３０，３４，５０，５４，７０，７４）は、２あるいはそれ以上の電極（１１０，１２２，１３２，１４０，２２０，２４４，３３２，３４８，４３２，４４８，５１４，５６０，６１６，７０４，７１０）で形成され得るし、電極間（１１０，１２２，１３２，１４０，２２０，２４４，３３２，３４８，４３２，４４８，５１４，５６０，６１６，７０４，７１０）に選択的導電媒体（７０６，７０８）を有し、個々のセルを形成する。 一方でパーティションコンポーネント（４０，４４，４８，６０，６４，６８，８０，８４，８８）を、先に形成されたセルの上部に又は関連して追加のメモリセルをスタックすることを可能にするために利用する。 メモリスタック（３０，３４，５０，５４，７０，７４）は、追加の層−追加のパーティションコンポーネントによって分離された各層を加えることによって形成され得るし、複数スタックが高密度メモリデバイスを与えるために併存して形成され得る。

公开(公告)号：JPWO2017038944A1

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2016075700

申请日：2016-09-01

申请人： 富士フイルム株式会社

发明人： 山本 陽介 ,  滝沢 裕雄 ,  滋野井 悠太 ,  玉國 史子 ,  後藤 崇 ,  渡邉 哲也

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L21/336 ,  H01L51/30 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L51/0043 ,  C08G61/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0529

摘要： 本発明の課題は、高いキャリア移動度および低い閾値電圧を示しつつ、耐熱性に優れた有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、有機半導体組成物、有機半導体膜および有機半導体膜の製造方法を提供することである。本発明の有機薄膜トランジスタは、基板上に、ゲート電極と、有機半導体化合物を含有する有機半導体層と、ゲート電極と有機半導体層との間に設けられたゲート絶縁層と、有機半導体層に接して設けられ、有機半導体層を介して連結されたソース電極及びドレイン電極とを有する有機薄膜トランジスタであって、有機半導体層が、ブロック共重合体からなるブロック共重合体層に接する、または、ブロック共重合体をさらに含有し、有機半導体化合物が、分子量2000以上で、かつ、式(1)で表される繰り返し単位を有する。

公开(公告)号：JP5412458B2

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：JP2011074421

申请日：2011-03-30

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 吉晴 平形 ,  哲二 石谷 ,  修次 深井 ,  良太 今林

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/08 ,  H05B33/10

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0093 ,  H01L51/0545

公开(公告)号：JP4878429B2

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：JP2003190877

申请日：2003-07-03

申请人： 株式会社リコー

发明人： 浩 近藤

IPC分类号： G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L51/0516 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/057

公开(公告)号：JP2007531308A

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：JP2007506169

申请日：2005-02-11

申请人： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated

发明人： エフ． リヨンズ クリストファー

IPC分类号： H01L27/28 ,  G11C11/56 ,  G11C13/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/312 ,  H01L23/58 ,  H01L27/10 ,  H01L29/08 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0583 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： ポリマー誘電体（１０３）を含む半導体デバイス（１００）および有機半導体材料（１１２）と受動層（１１４）とを含む少なくとも１つのアクティブデバイス（１０４）が開示されている。 導電性ポリマー（１０６および／または１０８）をさらに含む半導体デバイス（１００）も開示されている。 そのようなデバイスは、軽量であること、及び強固な信頼性により特徴づけられる。

公开(公告)号：JP2004339190A

公开(公告)日：2004-12-02

申请号：JP2004007343

申请日：2004-01-14

申请人： Samsung Sdi Co Ltd ,  三星エスディアイ株式会社

发明人： REDECKER MICHAEL

IPC分类号： H01L51/50 ,  C07C211/56 ,  C07D271/10 ,  C08G61/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/00 ,  H01L51/30 ,  H05B33/14

CPC分类号： C09K11/06 ,  C09K2211/1433 ,  C09K2211/1475 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/007 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/52 ,  H01L2251/308 ,  Y10S428/917

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a molecular chemical compound that has a structure that bears readily movable electrons as well as has dipole moment properties only under the exited state as it has photoluminescence-emitting properties, and to provide a photoluminescence quenching element employing the molecular chemical compound.
SOLUTION: The molecular chemical compound includes a chemical structure in which electron acceptor/electron donor structures are connected with individual conjugated bridge elements. For example, it is a compound represented by formula 4b and is useful as an emitter layer material for the photoluminescence quenching element.
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