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    コンデンサマイクロホン用インピーダンス変換器
    1.
    发明专利
    コンデンサマイクロホン用インピーダンス変換器 有权

    公开(公告)号：JPWO2003086014A1

    公开(公告)日：2005-08-18

    申请号：JP2003583055

    申请日：2002-04-11

    申请人： リオン株式会社

    发明人： 隆志 山崎 ,  隆志 山崎

    IPC分类号： H04R19/04 ,  H03F3/185 ,  H03F3/50 ,  H04R3/00

    CPC分类号： H03F3/505 ,  H03F3/1855 ,  H03F2200/03 ,  H03F2200/219 ,  H03F2200/222 ,  H04R3/00

    摘要： 静電気放電などのサージ電圧がコンデンサに直接加わることがなく、耐圧が低いコンデンサでもサージ電圧に耐えられ、しかも小型化が図れるコンデンサマイクロホン用インピーダンス変換器を提供する。コンデンサマイクロホン9の電気信号に関する出力インピーダンスを低減するインピーダンス変換器1であって、電界効果型トランジスタ(FET)2を用いたソースフォロワ回路5を備え、このソースフォロワ回路5の電源線6及び出力信号線7に夫々抵抗R1,R2を直列に接続し、これらの抵抗R1,R2のソースフォロワ回路5側の電源線6及び出力信号線7とグランド線8との間に夫々コンデンサC1,C2を接続した。

    Class d amplifier and electronic apparatus
    5.
    发明专利
    Class d amplifier and electronic apparatus 有权
    D类放大器和电子设备

    公开(公告)号：JP2014165689A

    公开(公告)日：2014-09-08

    申请号：JP2013035304

    申请日：2013-02-26

    申请人： Kyocera Corp ,  京セラ株式会社

    发明人： INUKAI TSUNEYASU

    IPC分类号： H03F3/217

    CPC分类号： H03F3/217 ,  H03F1/0205 ,  H03F1/0211 ,  H03F3/185 ,  H03F3/1855 ,  H03F3/211 ,  H03F3/2171 ,  H03F3/2173 ,  H03F3/45475 ,  H03F2200/03 ,  H03F2200/351 ,  H03F2200/411 ,  H03F2203/21106 ,  H03F2203/45512 ,  H03F2203/45528 ,  H03F2203/45552 ,  H03F2203/45568 ,  H03F2203/45571 ,  H03F2203/45594 ,  H04R3/00 ,  H04R17/00

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a class D amplifier that keeps from adding to a cost even if increasing an upper limit of a maximum frequency, and keeps an output from becoming unstable because of LC resonance.SOLUTION: The class D amplifier includes: a first output circuit having first and second switching devices connected in series between a first power line for feeding a first potential and a second power line for feeding a second potential lower than the first potential, and adapted to operate complementarily to each other; a first capacitor connected between the first power line and the second power line; a pulse width modulator for generating a pulse-width-modulated switching signal on the basis of a triangular wave and an audio signal to feed the first output circuit; and a slew rate limiting amplifier connected to an input section of the pulse width modulator fed with the audio signal, and limiting a slew rate of an output. A sounding device is connected in series with an inductor connected to a first output node of the first output circuit, and configures an LC filter together with the inductor.

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种D类放大器，即使增加最大频率的上限也不会增加成本，并且由于LC共振而使输出变得不稳定。解码：D类放大器包括：a 第一输出电路具有串联连接在用于馈送第一电位的第一电源线和用于馈送低于第一电位的第二电位的第二电力线之间并且适于彼此互补操作的第一和第二开关装置; 连接在所述第一电力线和所述第二电力线之间的第一电容器; 脉冲宽度调制器，用于基于三角波和音频信号产生脉冲宽度调制的切换信号以馈送第一输出电路; 以及连接到馈送有音频信号的脉冲宽度调制器的输入部分并且限制输出的转换速率的转换速率限制放大器。 探测装置与连接到第一输出电路的第一输出节点的电感器串联连接，并与电感器一起配置LC滤波器。

    Amplifying element and manufacturing method thereof
    7.
    发明专利
    Amplifying element and manufacturing method thereof 审中-公开
    放大元件及其制造方法

    公开(公告)号：JP2009239202A

    公开(公告)日：2009-10-15

    申请号：JP2008086638

    申请日：2008-03-28

    申请人： Sanyo Electric Co Ltd ,  Sanyo Semiconductor Co Ltd ,  三洋半導体株式会社 ,  三洋電機株式会社

    发明人： ONODERA SHIGEO

    IPC分类号： H01L21/8232 ,  H01L21/331 ,  H01L21/337 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L29/732 ,  H01L29/808

    CPC分类号： H03F3/1855

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem, wherein an amplifier integrated circuit element or a J-FET (junction-type field-effect transistor) is used for impedance conversion and amplification of ECM, and the amplifier integrated circuit element has advantages of allowing an appropriate gain to be set by adjusting a circuit constant and of producing a gain which is higher than that of the J-FET, generally, but also has a disadvantage of having a complicated circuit configuration and requiring higher cost, while using only the J-FET has also a disadvantage of outputting a voltage insufficiently amplified and producing a lower gain.
    SOLUTION: There is provided a discrete element, wherein a J-FET and a bipolar transistor are integrated on a single chip; a source region of the J-FET is connected to the base region of the bipolar transistor; and a drain region of the J-FET is connected to the collector region of the bipolar transistor. Accordingly, an ECM-amplifying element having high input impedance and low output impedance can be attained.
    COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

    摘要翻译： 解决的问题为了解决这样的问题，其中放大器集成电路元件或J-FET（结型场效应晶体管）用于ECM的阻抗转换和放大，并且放大器集成电路元件具有 通常通过调节电路常数和产生高于J-FET的增益来设定适当的增益的优点，但是具有复杂的电路结构并且需要更高的成本的缺点在于使用 只有J-FET还具有输出不充分放大的电压并产生较低增益的缺点。 解决方案：提供了一种分立元件，其中J-FET和双极晶体管集成在单个芯片上; J-FET的源极区域连接到双极晶体管的基极区域; 并且J-FET的漏极区域连接到双极晶体管的集电极区域。 因此，可以获得具有高输入阻抗和低输出阻抗的ECM放大元件。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT