公开(公告)号：JP6150371B2

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：JP2012125420

申请日：2012-05-31

Applicant: 高知県公立大学法人

Inventor： 李 朝陽 ,  川原村 敏幸 ,  王 大鵬

IPC: H01L21/365 ,  C30B29/66 ,  C30B29/16 ,  C30B25/20 ,  C23C16/40 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363

公开(公告)号：JP2015529005A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：JP2015519069

申请日：2013-06-26

Applicant: ポーラー・ライト・テクノロジーズ・アーベー

Inventor： フレードリク・カールソン ,  チ−ウェイ・スー ,  アンデシュ・ルンドスコグ

IPC: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/38 ,  C30B29/66 ,  H01L21/205 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: III族窒化物構造体は、少なくとも4つの辺を有する底面を有する少なくとも一つの構造体ピラミッドを含む。構造体ピラミッドは、少なくとも4つの辺を有する底面を有する内側のピラミッドを含み、内側のピラミッドは第1のIII族窒化物で作製される。内側のピラミッドは、第2のIII族窒化物で作製された内側の第1の層、及び第3のIII族窒化物で作製された外側の第2の層で被覆され、第2のIII族窒化物は、第1のIII族窒化物よりも低いバンドギャップ、且つ第3のIII族窒化物よりも低いバンドギャップを有する。構造体ピラミッドの底面は細長くて、少なくとも一つの異方性量子ドットを生成する上部屋根をもたらす。III族窒化物構造体の製造方法は、基板を提供する段階;少なくとも一つの細長い開口を含むマスキングフィルムを基板上に提供する段階;基板上に第1のIII族窒化物を成長させる段階;第1のIII族窒化物上に第2のIII族窒化物の内側の第1の層を堆積する段階;第2のIII族窒化物上の第3のIII族窒化物の外側の第2の層を堆積する段階であって、第2のIII族窒化物が第1のIII族窒化物よりも低いバンドギャップ、且つ第3のIII族窒化物よりも低いバンドギャップを有する段階;を含む。

公开(公告)号：JP2015505796A

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：JP2014542675

申请日：2011-12-07

Applicant: イースト チャイナ ユニバーシティ オブ サイエンス アンド テクノロジー ,  イースト チャイナ ユニバーシティ オブ サイエンス アンド テクノロジー

Inventor： ジョン，シンファ ,  ジャン，ウェンジン

IPC: C01B19/04 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L29/22

CPC classification number: C01B19/007 ,  C30B9/08 ,  C30B29/46 ,  C30B29/62

Abstract: 半導体ナノ結晶の非ホットインジェクション合成法が記載されている。たとえば、多脚型セレン化カドミウムナノ結晶は、非配位性溶媒中に酸化カドミウム、セレン、トリオクチルホスフィンおよびカルボン酸を含む、脱気した混合物を、およそ室温から約210℃に加熱することを含む方法により製造することができ、多脚型セレン化カドミウムナノ結晶は、四脚型セレン化カドミウムナノ結晶であることができる。

Abstract translation: 半导体纳米晶体的非热喷射合成已经被描述。 例如，Taashigata硒化镉纳米晶体在非配位溶剂，硒氧化镉，包括三辛基膦和羧酸中，混合物脱气，加热从约室温至约210℃ 可以通过一种方法包括制备，Taashigata硒化镉纳米晶体可以是四脚类型硒化镉纳米晶体。

公开(公告)号：JP5669280B2

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：JP2013004356

申请日：2013-01-15

Applicant: 国立大学法人東北大学

Inventor： 哲 飯塚 ,  哲 飯塚

IPC: C30B29/66 ,  C01G1/02 ,  C30B25/06 ,  C30B29/16

公开(公告)号：JP5540025B2

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：JP2012001577

申请日：2012-01-06

Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

Inventor： 銀 珠 張 ,  泰 瓊 安

IPC: C01B19/00 ,  H05B33/14 ,  B82Y20/00 ,  C01B17/20 ,  C01G11/02 ,  C09K11/00 ,  C09K11/08 ,  C09K11/56 ,  C09K11/88 ,  C09K11/89 ,  C30B7/14 ,  C30B29/48 ,  C30B29/66 ,  H01L21/20 ,  H01L21/208 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0256 ,  H01L51/00 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  H05B33/00

CPC classification number: C09K11/883 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B17/20 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/52 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/4213 ,  H01L51/5012 ,  H05B33/14 ,  Y10S977/777 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/785 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/825 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/12049 ,  Y10T428/12181 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2991

公开(公告)号：JP5488957B2

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：JP2009001934

申请日：2009-01-07

IPC: C01G23/00 ,  B01J19/10 ,  C30B7/00 ,  C30B29/66 ,  C30B30/00

公开(公告)号：JP2013143469A

公开(公告)日：2013-07-22

申请号：JP2012002870

申请日：2012-01-11

Applicant: Aurotek Corp ,  和椿科技股▲フン▼有限公司

Inventor： LI SONG RU

IPC: H01L21/306 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/66 ,  C30B33/10 ,  H01L33/22

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a nano-fine structure capable of simplifying a manufacturing step because a vacuum step and a photolithography step are unnecessary.SOLUTION: A manufacturing method for a nano-fine structure comprises the steps of: preparing a substrate; forming a plurality of nano spheres on the substrate; forming an etched film between the substrate and each nano sphere; removing each nano sphere; forming a resist layer on the etched film; forming a plurality of bumps on a surface of the substrate by removing the etched film and a part of a substrate material under the etched film by performing wet etching; and exposing each bump by removing the resist layer.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够简化制造步骤的纳米精细结构的制造方法，因为不需要真空步骤和光刻步骤。解决方案：纳米精细结构的制造方法包括以下步骤：制备 底物; 在所述基板上形成多个纳米球; 在衬底和每个纳米球之间形成蚀刻膜; 去除每个纳米球; 在蚀刻膜上形成抗蚀剂层; 通过进行湿式蚀刻，在蚀刻膜的下方除去蚀刻膜和基板材料的一部分，在基板的表面上形成多个凸块; 并通过去除抗蚀剂层曝光每个凸起。

公开(公告)号：JP2012526395A

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：JP2012509880

申请日：2010-05-03

Applicant: エンパイア テクノロジー ディベロップメント エルエルシー

Inventor： クラグリック，エゼキール

IPC: H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/66 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  G06N99/002 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  Y10S438/962

Abstract: The present disclosure generally relates to techniques for controlled quantum dot growth as well as a quantum dot structures. In some examples, a method is described that includes one or more of providing a substrate, forming a defect on the substrate, depositing a layer on the substrate and forming quantum dots along the defect.

公开(公告)号：JP4999261B2

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：JP2004170364

申请日：2004-06-08

Applicant: 太平洋セメント株式会社 ,  雅介 高田

Inventor： 賢治 小川 ,  智一郎 岡元 ,  茂 松浦 ,  賢一 湊 ,  雅介 高田

IPC: C30B29/66 ,  C30B29/16

公开(公告)号：JP2012006777A

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：JP2010142768

申请日：2010-06-23

Applicant: Nippon Shizai Kk ,  日本資材株式会社

Inventor： INOUE HITOSHI

IPC: C01B31/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C30B29/62 ,  C30B29/66

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a fullerene which maintains a large surface area based on a complex geometry and has a form advantageous for dispersion and high density filling.SOLUTION: The fullerene crystal forms a structure having multiple-whisker-like structures radially elongated or forms a fractal structure formed by the radial elongation of multiple-whisker-like structures and by branching of the each whisker-like structure. The fullerene crystal is obtained by adding a second solvent having a fullerene dissolution capacity lower than that of a first solvent and having a boiling point higher than that of the first solvent to a solution obtained by dissolving a fullerene in the first solvent, in a range not to precipitate (deposit) the fullerene, from the resultant solution, and the first solvent and the second solvent are vaporized to deposit crystals in order to obtain the fullerene crystal.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种富勒烯，其基于复杂几何形状保持大的表面积，并且具有有利于分散和高密度填充的形式。 解决方案：富勒烯晶体形成具有多晶须状结构的结构，其径向伸长或形成通过多晶须样结构的径向伸长形成的分形结构，并且通过每个晶须状结构的分支。 通过将富勒烯溶解能力低于第一溶剂的第二溶剂并且具有比第一溶剂的沸点高的沸点的第二溶剂加入到通过将富勒烯溶解在第一溶剂中得到的溶液中，获得富勒烯晶体， 不从所得溶液中沉淀（沉积）富勒烯，蒸发第一溶剂和第二溶剂以沉积晶体，以获得富勒烯晶体。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT