公开(公告)号：JP6982914B2

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：JP2020548812

申请日：2020-02-21

Applicant: ファン,テ−ギョン

Inventor： ファン,テ−ギョン

IPC: C30B29/32 ,  C30B1/02 ,  C01G41/00 ,  B05D7/24 ,  B05D5/00 ,  B32B9/00

公开(公告)号：JP2021180225A

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：JP2020083994

申请日：2020-05-12

Applicant: 信越半導体株式会社

Inventor： 曲 偉峰 ,  井川 静男 ,  砂川 健

IPC: C30B1/02 ,  C30B29/36 ,  C30B25/18 ,  C23C16/42 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 【課題】 シリコン単結晶基板上に、低欠陥で結晶性が高く、厚膜のSiC単結晶膜を形成可能な半導体基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 表面にSiC単結晶膜を有する半導体基板の製造方法であって、シリコン単結晶基板の表面に炭素を付着させる工程と、前記炭素を付着させた前記シリコン単結晶基板の表面を炭化してSiC単結晶下地膜を形成する工程と、前記SiC単結晶下地膜上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記SiC単結晶下地膜を種結晶として、固相成長により前記アモルファスシリコン膜をSiC単結晶膜とする工程とを含む半導体基板の製造方法。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6665969B2

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：JP2019517855

申请日：2018-11-13

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 角谷 均 ,  石田 雄 ,  濱木 健成 ,  山本 佳津子

IPC: C30B1/02 ,  C01B32/25 ,  C01B32/26 ,  C30B29/04

公开(公告)号：JP2019516650A

公开(公告)日：2019-06-20

申请号：JP2018551438

申请日：2016-12-28

Applicant: 中国科学院蘇州納米技術与納米▲ファン▼生研究所

Inventor： 張 凱 ,  張 躍鋼 ,  徐 軼君

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/24 ,  H01L21/329 ,  C01B25/02 ,  C30B1/02 ,  H01L31/068 ,  C30B29/02

Abstract: 本発明は、高い光電応答率を有する黒リン結晶、二次元黒リンPN接合及びその製造方法並びに応用を開示する。前記高い光電応答率を有する黒リン結晶は、単結晶であり、空間点群Cmca(no.64)、セルパラメータa=3.2〜3.4Å、b=10.4〜10.6Å、c=4.3〜4.5Å、層間隔4〜6Åであり、光電応答率が高く、半導体のn形・p形可変等の利点を有し、且つその製造方法は簡単で条件が厳しくなく、生産率が高く、コストが低く、環境負担も小さい。前記二次元黒リンPN接合は二次元黒リン薄膜を含み、前記薄膜はn形ドーピングされてn形半導体を形成する第一領域と、p形半導体である第二領域と、を含み、且つ第一、第二領域を隣接させてn形半導体とp形半導体との接合面にPN接合を形成する。前記二次元黒リンPN接合は、一方向導通性、光起電力効果等の性能を有し、製造方法が簡単で効率が良く、再現性が良く、通常の半導体プロセスとの親和性も高い。本発明の黒リン結晶及び二次元黒リンPN接合は、光電、電子の分野で広い応用展望を有する。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP6149222B2

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：JP2014509067

申请日：2013-01-29

Applicant: 株式会社ユーテック

Inventor： 木島 健 ,  本多 祐二 ,  白土 武

IPC: C30B29/32 ,  H01L41/43 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  C30B1/02

CPC classification number: C30B5/00 ,  C30B29/22 ,  C30B29/32 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L41/318 ,  H01L41/1876

公开(公告)号：JP5808003B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：JP2011180904

申请日：2011-08-22

Applicant: 国立研究開発法人産業技術総合研究所

Inventor： 越崎 直人 ,  ワン ホンシャン ,  宮内 雅浩 ,  石川 善恵 ,  李 越 ,  ピアテンコ アレキサンダー ,  リー シャンユウ

IPC: C30B29/66 ,  C30B1/02 ,  C30B7/00 ,  C01G23/053 ,  H01M14/00 ,  C30B29/16

公开(公告)号：JP5475339B2

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：JP2009149550

申请日：2009-06-24

Applicant: アイメックImec

Inventor： フィリッペ・エム・フェレーケン

IPC: C30B29/62 ,  B82B3/00 ,  C23C26/00 ,  C30B1/02 ,  C30B33/08

CPC classification number: C30B29/60 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B1/023 ,  C30B29/605 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/813

公开(公告)号：JP5393726B2

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：JP2011114335

申请日：2011-05-23

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 充弘 一條 ,  勇臣 浅見 ,  規悦 鈴木 ,  英人 大沼 ,  雅人 米澤

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C30B1/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78636 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: A semiconductor film having a crystalline structure is formed by using a metal element that assists the crystallization of the semiconductor film, and the metal element remaining in the film is effectively removed to decrease the dispersion among the elements. The semiconductor film or, typically, an amorphous silicon film having an amorphous structure is obtained based on the plasma CVD method as a step of forming a gettering site, by using a monosilane, a rare gas element and hydrogen as starting gases, the film containing the rare gas element at a high concentration or, concretely, at a concentration of 1x1020/cm3 to 1x1021/cm3 and containing fluorine at a concentration of 1x1015/cm3 to 1x1017/cm3.

公开(公告)号：JP4427104B2

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：JP52088198

申请日：1997-11-06

Applicant: シーエスジー ソーラー アクチエンゲゼルシャフト

Inventor： マーティン アンドリュー グリーン ,  ジングジャー ジー ,  チェングロン シー ,  ボール アラン ベイサー

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/04 ,  C03C17/22 ,  C03C17/245 ,  C03C17/34 ,  C30B1/02 ,  C30B25/00 ,  C30B25/18 ,  C30B28/02 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/84 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/03682 ,  C03C17/245 ,  C03C17/3435 ,  C03C17/3482 ,  C03C2217/282 ,  C30B1/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02524 ,  H01L21/02587 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: A method of crystallizing amorphous silicon on a glass substrate relies on deliberately heating the glass substrate above its strain point during processing, making low temperature glasses, such as soda lime glasses, ideal for such use. Since the glass is plastic above this temperature while the silicon remains elastic, the glass is forced to conform to the shape defined by the silicon once this temperature is exceeded. This process relaxes any stresses which might otherwise be created in the glass or film, as long as the glass temperature is above the strain point. As the glass temperature is reduced back below the strain point, the glass becomes progressively more rigid and stresses will begin to build up in the film and glass. When cooled slowly, the stress in the film and the glass can be controlled by appropriate selection of a thermal expansion coefficient of the glass relative to that of silicon, particularly those with linear expansion coefficients in the range 4-10 ppm/° C. below the strain point.

公开(公告)号：JP2010013327A

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：JP2008175746

申请日：2008-07-04

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： YUYA SHIGENORI ,  SUZUKI MASAYUKI ,  TAKADA MASAHIRO

IPC: C30B29/32 ,  A61B8/00 ,  C01G33/00 ,  C30B1/02 ,  C30B29/30 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H01L41/257 ,  H01L41/27 ,  H01L41/317 ,  H01L41/333 ,  H01L41/335 ,  H01L41/37 ,  H01L41/39

CPC classification number: B06B1/0629 ,  C30B1/02 ,  C30B29/32 ,  H01L41/083 ,  H01L41/18 ,  H01L41/183 ,  H01L41/333 ,  H01L41/37 ,  H01L41/43

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a perovskite-type oxide single crystal structure, in which shapes of a microstructure are maintained and the structure is uniformly single-crystallized by inducing solid phase epitaxy to single-crystallize a precursor part to obtain a single crystal structure. SOLUTION: The method includes: a step S1 of forming a coating layer on a surface of a seed single crystal substrate, the coating layer containing the same metallic components as those in a predetermined perovskite-type oxide; a step S2 of forming a joint body having a microstructured precursor of the perovskite-type oxide adhered to a surface of the coating layer; and a step S3 of heat-treating the joint body to induce a solid phase epitaxy, and thereby, single-crystallizing the precursor. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造钙钛矿型氧化物单晶结构的方法，其中保持了微观结构的形状，并且通过引发固相外延将结构均匀地单结晶以将前体单晶化 部分获得单晶结构。 解决方案：该方法包括：在种子单晶衬底的表面上形成涂层的步骤S1，该涂层含有与预定的钙钛矿型氧化物相同的金属组分; 形成具有附着在涂层表面的钙钛矿型氧化物的微结构化前体的接合体的台阶S2; 以及对接头体进行热处理以引起固相外延的步骤S3，从而使前体单结晶。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT