公开(公告)号：JP2017504951A

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：JP2016526310

申请日：2013-12-18

Applicant: インテル・コーポレーション

Inventor： ジュン、キミン ,  モロー、パトリック

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/02524 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L29/78

Abstract: 一実施形態において、第2の半導体層は、第1の半導体層の上に(例えば、複数の層転写技術を用いて)転写される。第2の層は、複数の所望のウェル内にパターニングされる。複数のウェルの間に、第1の層が露出する。S1及びS2の両方を含むプレーナ型異種基板を完成させるべく、露出された第1の層は転写された第2の層のレベルまでエピタキシャルに成長させられる。複数の異種材料は、例えば、III−V族又はIV族材料のうち1つから形成されたPチャネルデバイスが、III−V族又はIV族材料のうち1つから形成されたNチャネルデバイスと同一平面を成すように利用され得る。実施形態は、第1の層の上に転写されようとしている第2の層により、格子パラメータの適合を必要としない。また、バッファ及び/又はヘテロエピタキシーは存在しない(又はほとんど存在しない)。他の複数の実施形態は本明細書で説明される。

Abstract translation: 在一个实施例中，第二半导体层，所述第一半导体层上（例如，通过使用多个的层转移技术）转移。 第二层中的多个所希望的孔的图案化。 多个孔之间，所述第一层被暴露。 为了完成含有S1和S2，其被暴露外延生长到已传送的第二层的电平的第一层平面异质衬底。 多个不同的材料，例如，从一个形成在相同的P沟道器件是从III-V族或IV族材料的III-V族或IV族材料中的一种形成的N沟道器件 它可以被用于形成一个平面。 实施例中，第二层是约在第一层被转移，并且不需要的晶格参数的自适应。 的缓冲液和/或异质外延不存在（或几乎没有任何）。 本文描述的其他多个实施方案中。

公开(公告)号：JP5731519B2

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：JP2012535446

申请日：2010-10-25

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー. ,  ASM INTERNATIONAL N.V.

Inventor： ポレ ヴィリヤミ ,  ハタンパー ティモ ,  リタラ ミッコ ,  リスケラ マルック

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/365 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45555 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/0262 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1616 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02551

公开(公告)号：JP5593050B2

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：JP2009229934

申请日：2009-10-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 雅彦 秦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/082 ,  H01L27/095 ,  H01L29/737 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/8252 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/78681

公开(公告)号：JP5575447B2

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：JP2009229217

申请日：2009-10-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 雅彦 秦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/082 ,  H01L27/088 ,  H01L29/737 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7378

公开(公告)号：JP5547362B2

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：JP2006347457

申请日：2006-12-25

Applicant: インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation

Inventor： ドミトリ・タラピン ,  ディビッド・ブライアン・ミッチー ,  クリストファー・ビー・マレー

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/368 ,  H01L27/105 ,  H01L29/786 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L31/0324 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/072 ,  Y02E10/50

公开(公告)号：JP5540025B2

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：JP2012001577

申请日：2012-01-06

Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

Inventor： 銀 珠 張 ,  泰 瓊 安

IPC: C01B19/00 ,  H05B33/14 ,  B82Y20/00 ,  C01B17/20 ,  C01G11/02 ,  C09K11/00 ,  C09K11/08 ,  C09K11/56 ,  C09K11/88 ,  C09K11/89 ,  C30B7/14 ,  C30B29/48 ,  C30B29/66 ,  H01L21/20 ,  H01L21/208 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0256 ,  H01L51/00 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  H05B33/00

CPC classification number: C09K11/883 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B17/20 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/52 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/4213 ,  H01L51/5012 ,  H05B33/14 ,  Y10S977/777 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/785 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/825 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/12049 ,  Y10T428/12181 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2991

公开(公告)号：JP2014506222A

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：JP2013543715

申请日：2011-12-13

Applicant: ノルウェージャン ユニバーシティ オブ サイエンス アンド テクノロジー(エヌティーエヌユー)

Inventor： ヴェマン、ヘルゲ ,  フィムランド、ビョルン−オヴェ ,  チョル キム、ドン

IPC: C30B29/62 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/12 ,  H01L31/06

CPC classification number: H01L21/02603 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1606

Abstract: グラファイト基板上にエピタキシャル成長したナノワイヤを１つ以上含む組成物であって、前記ナノワイヤは、１つ以上のＩＩＩ−Ｖ族化合物もしくは１つ以上のＩＩ−ＶＩ族化合物または１つ以上の非炭素（ＩＶ）族元素を含む組成物。
【課題】
【解決手段】
【選択図】図３Ａ

公开(公告)号：JP4647131B2

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：JP2001136987

申请日：2001-05-08

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構

Inventor： 知二 川合 ,  仁 田畑

IPC: C23C14/28 ,  H01L21/314 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/36

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02581

Abstract: A method for forming a thin film crystal and a semiconductor element employing that method, especially a method for forming a high−quality thin film under low temperature by two steps for forming a thin film, and a semiconductor element provided with a new function utilizing a thin film epitaxial growth technology. The method for forming a thin film crystal characterized by comprising a step (a) for forming a high temperature buffer layer on a substrate, and step (b) for growing a thin film on the high temperature buffer layer under a low temperature. The semiconductor element having a thin film crystal characterized by comprising (a) a high temperature buffer layer formed on a substrate, and (b) a low temperature thin film formed on the high temperature buffer layer. The inventive method for forming a thin film crystal and the semiconductor element employing that method are especially suitable for the field of semiconductor device because a thin film can be formed at a low temperature.

公开(公告)号：JP2010226082A

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：JP2009229959

申请日：2009-10-01

Applicant: Sumitomo Chemical Co Ltd ,  住友化学株式会社

Inventor： HATA MASAHIKO

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8248 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/082 ,  H01L27/095 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02647 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/78681

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To improve performance such as switching speed of electronic devices, and to improve crystallinity of semiconductor substrates. SOLUTION: The semiconductor substrate includes a base substrate, an insulting layer, and an Si x Ge 1-x crystal layer in this order. The semiconductor substrate also includes an inhibition layer provided on the Si x Ge 1-x crystal layer, and a compound semiconductor that is subjected to lattice matching or pseudo lattice matching to the Si x Ge 1-x crystal layer. The inhibition layer includes an opening penetrating up to the Si x Ge 1-x crystal layer, and inhibits crystal growth of a compound semiconductor. The semiconductor substrate includes a compound semiconductor that is subjected to lattice matching or pseudo lattice matching to the Si x Ge 1-x crystal layer inside the opening, and a semiconductor device formed by the compound semiconductor. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提高电子设备的切换速度等性能，提高半导体基板的结晶性。 解决方案：半导体衬底依次包括基底衬底，绝缘层和Si xSe 1-x 晶体层。 半导体衬底还包括设置在Si xS 1-x 晶体层上的抑制层，以及经受与晶格匹配或伪晶格匹配的化合物半导体 Si＆lt; SB＆gt; x＆lt; SB＆gt; 1-x＆lt; / SB＆gt;晶体层。 抑制层包括穿透到Si SiO 1-x 晶体层的开口，并且抑制化合物半导体的晶体生长。 半导体衬底包括与开口内部的Si Ge 1-x 晶体层进行晶格匹配或伪晶格匹配的化合物半导体，形成半导体器件 由化合物半导体。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP4511006B2

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：JP2000264743

申请日：2000-09-01

Applicant: 独立行政法人理化学研究所

Inventor： 荘八 岩井 ,  秀樹 平山 ,  克信 青柳

IPC: C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262