플립칩 실장체의 제조 방법, 플립칩 실장체, 및 선공급형 언더필용 수지 조성물
    4.
    发明公开
    플립칩 실장체의 제조 방법, 플립칩 실장체, 및 선공급형 언더필용 수지 조성물 审中-实审
    一种制造倒装芯片安装体,通过倒装芯片安装体,并用树脂组合物的底部填充seongong geuphyeong的方法

    公开(公告)号:KR1020170128224A

    公开(公告)日:2017-11-22

    申请号:KR1020177021758

    申请日:2016-03-15

    IPC分类号: H01L21/56 H01L23/29

    摘要: 선공급형플립칩본딩프로세스에서언더필용수지조성물중에의보이드발생을억제할수가있는플립칩실장체의제조방법을제공하는것이다. (1) 반도체소자에설치된접속용동 범프전극과, 회로기판에설치된접속용전극의적어도일방에땜납층을설치하는공정, (2) (A) 에폭시수지, (B) 방향족아민경화제, (C) 무기충전제, (D) 실란커플링제및 (E) 플럭스제를포함하는선공급형언더필용수지조성물을회로기판상에공급하는공정, (3) 반도체소자와회로기판을열압착하고, 접속용동 범프전극과접속용전극을, 땜납융점온도이상의온도에서 1초이상가열한다음에수지조성물의특정범위의반응률때에땜납접속하는공정, 및 (4) 특정의가압하에서수지조성물을경화시키는공정을포함하는플립칩실장체의제조방법이다.

    摘要翻译: 提供一种制造倒装芯片接合工艺的seongong geuphyeong方法,倒装芯片,能够抑制在用于在包装元件使用底部填充树脂组合物的空隙的产生。 (1)在连接铜凸块的连接电极中的至少一个设置在所述半导体元件电极上和,设置在电路板(2)(A)环氧树脂,(B)的芳族胺固化剂,提供一焊料层的步骤(C )无机填料,(d)硅烷偶联剂和(E)供给包括在衬底上的磁通回路一个seongong geuphyeong底部填充树脂组合物的步骤,(3)加热所述半导体元件和所述电路板按压,和铜尾纤 焊料连接到焊盘电极的工序和连接电极,当在高于焊料熔点的温度下将树脂组合物进行加热超过一秒的特定范围的反应速率,和(4)固化在在特定压力的树脂组合物的步骤 一种制造倒装芯片安装体的方法是。

    수지 조성물 및 이를 사용한 절연 필름 및 반도체 장치
    7.
    发明公开
    수지 조성물 및 이를 사용한 절연 필름 및 반도체 장치 审中-实审
    树脂组合物,绝缘膜及使用其的半导体器件

    公开(公告)号:KR1020170071470A

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:KR1020177004184

    申请日:2015-10-09

    摘要: FPC의배선을이루는금속박및 폴리이미드필름등의 FPC의기판재료에대한우수한접착강도를갖고, 고주파영역에서우수한전기특성, 구체적으로는주파수 1∼10GHz의영역에서, 저유전율(e) 및저유전탄젠트(tand)를나타내고, 또한양호한셸프라이프를갖는커버레이필름으로서의절연필름및 당해절연필름에함유되는수지조성물의제공. 당해수지조성물은 (A) 양말단에에틸렌성불포화기를갖는변성폴리페닐렌에테르, (B) 에폭시수지, (C) 스티렌계열가소성엘라스토머, (D) 1분자중에이미드기와아크릴레이트기를갖는화합물, 및 (E) 경화촉매를함유하고, 상기성분(A)∼성분(E)의합계 100질량부에대해, 상기성분(D)를 0.5∼4질량부함유한다.

    摘要翻译: 具有优良的接合强度到FPC的衬底材料,例如形成在FPC箔和聚酰亚胺膜的配线,在高频区域中的良好的电特性的区域中,具体地euroneun 1〜10GHz的频率,低介电常数(ε)机械和介电正切( 并且还提供绝缘膜作为具有良好保存期限的覆盖层膜和包含在绝缘膜中的树脂组合物。 具有改性的聚苯醚树脂组合物(A)化合物,(B)环氧树脂,(C)基于苯乙烯的塑料弹性体,(d)在两末端具有乙烯性不饱和基团此酰亚胺基和丙烯酸酯在1个分子,并且 (D)的含量相对于(A)〜(E)成分的合计量100质量份为0.5〜4质量份。